Menu
УКРАЇНАУКРАЇНА
Rfq / замовлення
0Rfq / замовлення

Транзистори - біполярні (BJT) - масиви

  • Додому
  •  
  • Транзистори - біполярні (BJT) - масиви
NSV40302PDR2G
ON Semiconductor

NSV40302PDR2G

частина: 172467

Транзисторний тип: NPN, PNP, Струм - колектор (Ic) (макс.): 3A, Напруга - пробій випромінювача колектора (макс.): 40V, Насиченість Vce (макс.) @ Ib, Ic: 115mV @ 200mA, 2A, Струм - відсікання колектора (макс.): 100nA (ICBO), Посилення струму постійного струму (hFE) (мінімальне) @ Ic, Vce: 180 @ 1A, 2V,

Список побажань
NSVT3904DXV6T1G
ON Semiconductor

NSVT3904DXV6T1G

частина: 128900

Транзисторний тип: 2 NPN (Dual), Струм - колектор (Ic) (макс.): 200mA, Напруга - пробій випромінювача колектора (макс.): 40V, Насиченість Vce (макс.) @ Ib, Ic: 300mV @ 5mA, 50mA, Посилення струму постійного струму (hFE) (мінімальне) @ Ic, Vce: 100 @ 10mA, 1V,

Список побажань
FMBA14
ON Semiconductor

FMBA14

частина: 179794

Транзисторний тип: 2 NPN (Dual), Струм - колектор (Ic) (макс.): 1.2A, Напруга - пробій випромінювача колектора (макс.): 30V, Насиченість Vce (макс.) @ Ib, Ic: 1.5V @ 100µA, 100mA, Струм - відсікання колектора (макс.): 100nA (ICBO), Посилення струму постійного струму (hFE) (мінімальне) @ Ic, Vce: 20000 @ 100mA, 5V,

Список побажань
NSM4002MR6T1G
ON Semiconductor

NSM4002MR6T1G

частина: 171582

Транзисторний тип: 2 NPN (Dual), Струм - колектор (Ic) (макс.): 200mA, 500mA, Напруга - пробій випромінювача колектора (макс.): 40V, 45V, Насиченість Vce (макс.) @ Ib, Ic: 300mV @ 5mA, 50mA / 700mV @ 50mA, 500mA, Струм - відсікання колектора (макс.): 100nA (ICBO), Посилення струму постійного струму (hFE) (мінімальне) @ Ic, Vce: 100 @ 10mA, 1V / 250 @ 100mA, 1V,

Список побажань
NSVT45011MW6T3G
ON Semiconductor

NSVT45011MW6T3G

частина: 174696

Транзисторний тип: 2 NPN (Dual), Струм - колектор (Ic) (макс.): 100mA, Напруга - пробій випромінювача колектора (макс.): 45V, Насиченість Vce (макс.) @ Ib, Ic: 600mV @ 5mA, 100mA, Струм - відсікання колектора (макс.): 15nA (ICBO), Посилення струму постійного струму (hFE) (мінімальне) @ Ic, Vce: 200 @ 2mA, 5V,

Список побажань
NST30010MXV6T1G
ON Semiconductor

NST30010MXV6T1G

частина: 190901

Транзисторний тип: 2 PNP (Dual) Matched Pair, Струм - колектор (Ic) (макс.): 100mA, Напруга - пробій випромінювача колектора (макс.): 30V, Насиченість Vce (макс.) @ Ib, Ic: 600mV @ 5mA, 100mA, Струм - відсікання колектора (макс.): 15nA (ICBO), Посилення струму постійного струму (hFE) (мінімальне) @ Ic, Vce: 420 @ 2mA, 5V,

Список побажань
NST3904DXV6T1G
ON Semiconductor

NST3904DXV6T1G

частина: 101109

Транзисторний тип: 2 NPN (Dual), Струм - колектор (Ic) (макс.): 200mA, Напруга - пробій випромінювача колектора (макс.): 40V, Насиченість Vce (макс.) @ Ib, Ic: 300mV @ 5mA, 50mA, Посилення струму постійного струму (hFE) (мінімальне) @ Ic, Vce: 100 @ 10mA, 1V,

Список побажань
SHN1B01FDW1T1G
ON Semiconductor

SHN1B01FDW1T1G

частина: 160441

Транзисторний тип: NPN, PNP, Струм - колектор (Ic) (макс.): 200mA, Напруга - пробій випромінювача колектора (макс.): 50V, Насиченість Vce (макс.) @ Ib, Ic: 250mV @ 10mA, 100mA, Струм - відсікання колектора (макс.): 2µA, Посилення струму постійного струму (hFE) (мінімальне) @ Ic, Vce: 200 @ 2mA, 6V,

Список побажань
SBC847CDW1T1G
ON Semiconductor

SBC847CDW1T1G

частина: 146654

Транзисторний тип: 2 NPN (Dual), Струм - колектор (Ic) (макс.): 100mA, Напруга - пробій випромінювача колектора (макс.): 45V, Насиченість Vce (макс.) @ Ib, Ic: 600mV @ 5mA, 100mA, Струм - відсікання колектора (макс.): 15nA (ICBO), Посилення струму постійного струму (hFE) (мінімальне) @ Ic, Vce: 420 @ 2mA, 5V,

Список побажань
NSVEMT1DXV6T5G
ON Semiconductor

NSVEMT1DXV6T5G

частина: 197370

Транзисторний тип: 2 PNP (Dual), Струм - колектор (Ic) (макс.): 100mA, Напруга - пробій випромінювача колектора (макс.): 60V, Насиченість Vce (макс.) @ Ib, Ic: 500mV @ 5mA, 50mA, Струм - відсікання колектора (макс.): 500pA (ICBO), Посилення струму постійного струму (hFE) (мінімальне) @ Ic, Vce: 120 @ 1mA, 6V,

Список побажань
SBC856BDW1T3G
ON Semiconductor

SBC856BDW1T3G

частина: 108317

Транзисторний тип: 2 PNP (Dual), Струм - колектор (Ic) (макс.): 100mA, Напруга - пробій випромінювача колектора (макс.): 65V, Насиченість Vce (макс.) @ Ib, Ic: 650mV @ 5mA, 100mA, Струм - відсікання колектора (макс.): 15nA (ICBO), Посилення струму постійного струму (hFE) (мінімальне) @ Ic, Vce: 220 @ 2mA, 5V,

Список побажань
NSVEMX1DXV6T1G
ON Semiconductor

NSVEMX1DXV6T1G

частина: 103172

Транзисторний тип: 2 NPN (Dual), Струм - колектор (Ic) (макс.): 100mA, Напруга - пробій випромінювача колектора (макс.): 50V, Насиченість Vce (макс.) @ Ib, Ic: 400mV @ 5mA, 50mA, Струм - відсікання колектора (макс.): 500nA (ICBO), Посилення струму постійного струму (hFE) (мінімальне) @ Ic, Vce: 120 @ 1mA, 6V,

Список побажань
NST45011MW6T1G
ON Semiconductor

NST45011MW6T1G

частина: 182701

Транзисторний тип: 2 NPN (Dual) Matched Pair, Струм - колектор (Ic) (макс.): 100mA, Напруга - пробій випромінювача колектора (макс.): 45V, Насиченість Vce (макс.) @ Ib, Ic: 600mV @ 5mA, 100mA, Струм - відсікання колектора (макс.): 15nA (ICBO), Посилення струму постійного струму (hFE) (мінімальне) @ Ic, Vce: 200 @ 2mA, 5V,

Список побажань
CPH5506-TL-E
ON Semiconductor

CPH5506-TL-E

частина: 120064

Транзисторний тип: NPN, PNP (Emitter Coupled), Струм - колектор (Ic) (макс.): 1.5A, Напруга - пробій випромінювача колектора (макс.): 30V, Насиченість Vce (макс.) @ Ib, Ic: 225mV @ 15mA, 750mA / 375mV @ 15mA, 750mA, Струм - відсікання колектора (макс.): 100nA (ICBO), Посилення струму постійного струму (hFE) (мінімальне) @ Ic, Vce: 200 @ 100mA, 2V,

Список побажань
SBC846BPDW1T2G
ON Semiconductor

SBC846BPDW1T2G

частина: 175944

Транзисторний тип: NPN, PNP, Струм - колектор (Ic) (макс.): 100mA, Напруга - пробій випромінювача колектора (макс.): 65V, Насиченість Vce (макс.) @ Ib, Ic: 600mV @ 5mA, 100mA, Струм - відсікання колектора (макс.): 15nA (ICBO), Посилення струму постійного струму (hFE) (мінімальне) @ Ic, Vce: 200 @ 2mA, 5V,

Список побажань
NST3946DP6T5G
ON Semiconductor

NST3946DP6T5G

частина: 152851

Транзисторний тип: NPN, PNP, Струм - колектор (Ic) (макс.): 200mA, Напруга - пробій випромінювача колектора (макс.): 40V, Насиченість Vce (макс.) @ Ib, Ic: 300mV @ 5mA, 50mA / 400mV @ 5mA, 50mA, Посилення струму постійного струму (hFE) (мінімальне) @ Ic, Vce: 100 @ 10mA, 1V,

Список побажань
CPH5505-TL-E
ON Semiconductor

CPH5505-TL-E

частина: 166597

Транзисторний тип: 2 PNP (Dual), Струм - колектор (Ic) (макс.): 3A, Напруга - пробій випромінювача колектора (макс.): 30V, Насиченість Vce (макс.) @ Ib, Ic: 230mV @ 30mA, 1.5A, Струм - відсікання колектора (макс.): 100nA (ICBO), Посилення струму постійного струму (hFE) (мінімальне) @ Ic, Vce: 200 @ 500mA, 2V,

Список побажань
NSVBC848CDW1T1G
ON Semiconductor

NSVBC848CDW1T1G

частина: 125941

Транзисторний тип: 2 NPN (Dual), Струм - колектор (Ic) (макс.): 100mA, Напруга - пробій випромінювача колектора (макс.): 30V, Насиченість Vce (макс.) @ Ib, Ic: 600mV @ 5mA, 100mA, Струм - відсікання колектора (макс.): 15nA (ICBO), Посилення струму постійного струму (hFE) (мінімальне) @ Ic, Vce: 420 @ 2mA, 5V,

Список побажань
NSV40300MDR2G
ON Semiconductor

NSV40300MDR2G

частина: 148007

Транзисторний тип: 2 PNP (Dual), Струм - колектор (Ic) (макс.): 3A, Напруга - пробій випромінювача колектора (макс.): 40V, Насиченість Vce (макс.) @ Ib, Ic: 170mV @ 200mA, 2A, Струм - відсікання колектора (макс.): 100nA (ICBO), Посилення струму постійного струму (hFE) (мінімальне) @ Ic, Vce: 180 @ 1A, 2V,

Список побажань
EMT1DXV6T1
ON Semiconductor

EMT1DXV6T1

частина: 4480

Транзисторний тип: 2 PNP (Dual), Струм - колектор (Ic) (макс.): 100mA, Напруга - пробій випромінювача колектора (макс.): 60V, Насиченість Vce (макс.) @ Ib, Ic: 500mV @ 5mA, 50mA, Струм - відсікання колектора (макс.): 500nA (ICBO), Посилення струму постійного струму (hFE) (мінімальне) @ Ic, Vce: 120 @ 1mA, 6V,

Список побажань
NST847BDP6T5G
ON Semiconductor

NST847BDP6T5G

частина: 165488

Транзисторний тип: 2 NPN (Dual), Струм - колектор (Ic) (макс.): 100mA, Напруга - пробій випромінювача колектора (макс.): 45V, Насиченість Vce (макс.) @ Ib, Ic: 600mV @ 5mA, 100mA, Струм - відсікання колектора (макс.): 15nA (ICBO), Посилення струму постійного струму (hFE) (мінімальне) @ Ic, Vce: 200 @ 2mA, 5V,

Список побажань
NST65010MW6T1G
ON Semiconductor

NST65010MW6T1G

частина: 196459

Транзисторний тип: 2 PNP (Dual), Струм - колектор (Ic) (макс.): 100mA, Напруга - пробій випромінювача колектора (макс.): 65V, Насиченість Vce (макс.) @ Ib, Ic: 650mV @ 5mA, 100mA, Струм - відсікання колектора (макс.): 15nA (ICBO), Посилення струму постійного струму (hFE) (мінімальне) @ Ic, Vce: 220 @ 2mA, 5V,

Список побажань
NST847BPDP6T5G
ON Semiconductor

NST847BPDP6T5G

частина: 170917

Транзисторний тип: NPN, PNP, Струм - колектор (Ic) (макс.): 100mA, Напруга - пробій випромінювача колектора (макс.): 45V, Насиченість Vce (макс.) @ Ib, Ic: 600mV @ 5mA, 100mA / 700mV @ 5mA, 100mA, Струм - відсікання колектора (макс.): 15nA (ICBO), Посилення струму постійного струму (hFE) (мінімальне) @ Ic, Vce: 200 @ 2mA, 5V / 220 @ 2mA, 5V,

Список побажань
SBC847BPDW1T1G
ON Semiconductor

SBC847BPDW1T1G

частина: 147868

Транзисторний тип: NPN, PNP, Струм - колектор (Ic) (макс.): 100mA, Напруга - пробій випромінювача колектора (макс.): 45V, Насиченість Vce (макс.) @ Ib, Ic: 600mV @ 5mA, 100mA, Струм - відсікання колектора (макс.): 15nA (ICBO), Посилення струму постійного струму (hFE) (мінімальне) @ Ic, Vce: 200 @ 2mA, 5V,

Список побажань
FMB5551
ON Semiconductor

FMB5551

частина: 161037

Транзисторний тип: 2 NPN (Dual), Струм - колектор (Ic) (макс.): 600mA, Напруга - пробій випромінювача колектора (макс.): 160V, Насиченість Vce (макс.) @ Ib, Ic: 200mV @ 5mA, 50mA, Струм - відсікання колектора (макс.): 50nA (ICBO), Посилення струму постійного струму (hFE) (мінімальне) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V,

Список побажань
NST3946DXV6T1
ON Semiconductor

NST3946DXV6T1

частина: 4567

Транзисторний тип: NPN, PNP, Струм - колектор (Ic) (макс.): 200mA, Напруга - пробій випромінювача колектора (макс.): 40V, Насиченість Vce (макс.) @ Ib, Ic: 300mV @ 5mA, 50mA / 400mV @ 5mA, 50mA, Посилення струму постійного струму (hFE) (мінімальне) @ Ic, Vce: 100 @ 10mA, 1V,

Список побажань
EMT1DXV6T1G
ON Semiconductor

EMT1DXV6T1G

частина: 161432

Транзисторний тип: 2 PNP (Dual), Струм - колектор (Ic) (макс.): 100mA, Напруга - пробій випромінювача колектора (макс.): 60V, Насиченість Vce (макс.) @ Ib, Ic: 500mV @ 5mA, 50mA, Струм - відсікання колектора (макс.): 500nA (ICBO), Посилення струму постійного струму (hFE) (мінімальне) @ Ic, Vce: 120 @ 1mA, 6V,

Список побажань
FMB3946
ON Semiconductor

FMB3946

частина: 109471

Транзисторний тип: NPN, PNP, Струм - колектор (Ic) (макс.): 200mA, Напруга - пробій випромінювача колектора (макс.): 40V, Насиченість Vce (макс.) @ Ib, Ic: 250mV @ 1mA, 10mA, Струм - відсікання колектора (макс.): 50nA (ICBO), Посилення струму постійного струму (hFE) (мінімальне) @ Ic, Vce: 100 @ 10mA, 1V,

Список побажань
MBT6429DW1T1
ON Semiconductor

MBT6429DW1T1

частина: 4478

Транзисторний тип: 2 NPN (Dual), Струм - колектор (Ic) (макс.): 200mA, Напруга - пробій випромінювача колектора (макс.): 45V, Насиченість Vce (макс.) @ Ib, Ic: 600mV @ 5mA, 100mA, Струм - відсікання колектора (макс.): 100nA, Посилення струму постійного струму (hFE) (мінімальне) @ Ic, Vce: 500 @ 100µA, 5V,

Список побажань
ECH8502-TL-H
ON Semiconductor

ECH8502-TL-H

частина: 196927

Транзисторний тип: NPN, PNP, Струм - колектор (Ic) (макс.): 5A, Напруга - пробій випромінювача колектора (макс.): 100V, 50V, Насиченість Vce (макс.) @ Ib, Ic: 120mV @ 125mA, 2.5A, Струм - відсікання колектора (макс.): 100nA (ICBO), Посилення струму постійного струму (hFE) (мінімальне) @ Ic, Vce: 200 @ 500mA, 2V,

Список побажань
ECH8501-TL-H
ON Semiconductor

ECH8501-TL-H

частина: 192899

Транзисторний тип: NPN, PNP, Струм - колектор (Ic) (макс.): 5A, Напруга - пробій випромінювача колектора (макс.): 30V, Насиченість Vce (макс.) @ Ib, Ic: 110mV @ 125mA, 2.5A, Струм - відсікання колектора (макс.): 100nA (ICBO), Посилення струму постійного струму (hFE) (мінімальне) @ Ic, Vce: 200 @ 500mA, 2V,

Список побажань
FMB2907A
ON Semiconductor

FMB2907A

частина: 153935

Транзисторний тип: 2 PNP (Dual), Струм - колектор (Ic) (макс.): 600mA, Напруга - пробій випромінювача колектора (макс.): 60V, Насиченість Vce (макс.) @ Ib, Ic: 1.6V @ 50mA, 500mA, Струм - відсікання колектора (макс.): 20nA (ICBO), Посилення струму постійного струму (hFE) (мінімальне) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 10V,

Список побажань
CPH5541-TL-E
ON Semiconductor

CPH5541-TL-E

частина: 131817

Транзисторний тип: NPN, PNP (Emitter Coupled), Струм - колектор (Ic) (макс.): 700mA, Напруга - пробій випромінювача колектора (макс.): 40V, 30V, Насиченість Vce (макс.) @ Ib, Ic: 190mV @ 10mA, 200mA, Струм - відсікання колектора (макс.): 100nA (ICBO), Посилення струму постійного струму (hFE) (мінімальне) @ Ic, Vce: 300 @ 50mA, 2V,

Список побажань
NSVT3946DP6T5G
ON Semiconductor

NSVT3946DP6T5G

частина: 194061

Транзисторний тип: NPN, PNP, Струм - колектор (Ic) (макс.): 200mA, Напруга - пробій випромінювача колектора (макс.): 40V, Насиченість Vce (макс.) @ Ib, Ic: 300mV @ 5mA, 50mA / 400mV @ 5mA, 50mA, Посилення струму постійного струму (hFE) (мінімальне) @ Ic, Vce: 100 @ 10mA, 1V / 100 @ 10mA, 1V,

Список побажань
EMX2DXV6T5G
ON Semiconductor

EMX2DXV6T5G

частина: 131066

Транзисторний тип: 2 NPN (Dual), Струм - колектор (Ic) (макс.): 100mA, Напруга - пробій випромінювача колектора (макс.): 50V, Насиченість Vce (макс.) @ Ib, Ic: 400mV @ 5mA, 50mA, Струм - відсікання колектора (макс.): 500nA (ICBO), Посилення струму постійного струму (hFE) (мінімальне) @ Ic, Vce: 120 @ 1mA, 6V,

Список побажань
NST65011MW6T1G
ON Semiconductor

NST65011MW6T1G

частина: 154437

Транзисторний тип: 2 NPN (Dual), Струм - колектор (Ic) (макс.): 100mA, Напруга - пробій випромінювача колектора (макс.): 65V, Насиченість Vce (макс.) @ Ib, Ic: 600mV @ 5mA, 100mA, Струм - відсікання колектора (макс.): 15nA (ICBO), Посилення струму постійного струму (hFE) (мінімальне) @ Ic, Vce: 200 @ 2mA, 5V,

Список побажань