Menu
УКРАЇНАУКРАЇНА
Rfq / замовлення
0Rfq / замовлення

Транзистори - біполярні (BJT) - масиви

  • Додому
  •  
  • Транзистори - біполярні (BJT) - масиви
2SA1708T-YMH-AN
ON Semiconductor

2SA1708T-YMH-AN

частина: 4488

Транзисторний тип: NPN, PNP, Струм - колектор (Ic) (макс.): 1A, Напруга - пробій випромінювача колектора (макс.): 100V, Насиченість Vce (макс.) @ Ib, Ic: 400mV @ 40mA, 400mA, Струм - відсікання колектора (макс.): 100nA (ICBO), Посилення струму постійного струму (hFE) (мінімальне) @ Ic, Vce: 140 @ 100mA, 5V,

Список побажань
BC848CPDW1T1G
ON Semiconductor

BC848CPDW1T1G

частина: 121168

Транзисторний тип: NPN, PNP, Струм - колектор (Ic) (макс.): 100mA, Напруга - пробій випромінювача колектора (макс.): 30V, Насиченість Vce (макс.) @ Ib, Ic: 600mV @ 5mA, 100mA, Струм - відсікання колектора (макс.): 15nA (ICBO), Посилення струму постійного струму (hFE) (мінімальне) @ Ic, Vce: 420 @ 2mA, 5V,

Список побажань
BC847CDXV6T1H
ON Semiconductor

BC847CDXV6T1H

частина: 122457

Транзисторний тип: 2 NPN (Dual), Струм - колектор (Ic) (макс.): 100mA, Напруга - пробій випромінювача колектора (макс.): 45V, Насиченість Vce (макс.) @ Ib, Ic: 600mV @ 5mA, 100mA, Струм - відсікання колектора (макс.): 15nA (ICBO), Посилення струму постійного струму (hFE) (мінімальне) @ Ic, Vce: 420 @ 2mA, 5V,

Список побажань
BC847BPDXV6T1G
ON Semiconductor

BC847BPDXV6T1G

частина: 160959

Транзисторний тип: NPN, PNP, Струм - колектор (Ic) (макс.): 100mA, Напруга - пробій випромінювача колектора (макс.): 45V, Насиченість Vce (макс.) @ Ib, Ic: 600mV @ 5mA, 100mA, Струм - відсікання колектора (макс.): 15nA (ICBO), Посилення струму постійного струму (hFE) (мінімальне) @ Ic, Vce: 200 @ 2mA, 5V,

Список побажань
BC847CDXV6T1G
ON Semiconductor

BC847CDXV6T1G

частина: 115909

Транзисторний тип: 2 NPN (Dual), Струм - колектор (Ic) (макс.): 100mA, Напруга - пробій випромінювача колектора (макс.): 45V, Насиченість Vce (макс.) @ Ib, Ic: 600mV @ 5mA, 100mA, Струм - відсікання колектора (макс.): 15nA (ICBO), Посилення струму постійного струму (hFE) (мінімальне) @ Ic, Vce: 420 @ 2mA, 5V,

Список побажань
BC847S
ON Semiconductor

BC847S

частина: 147700

Транзисторний тип: 2 NPN (Dual), Струм - колектор (Ic) (макс.): 200mA, Напруга - пробій випромінювача колектора (макс.): 45V, Насиченість Vce (макс.) @ Ib, Ic: 650mV @ 5mA, 100mA, Струм - відсікання колектора (макс.): 15nA (ICBO), Посилення струму постійного струму (hFE) (мінімальне) @ Ic, Vce: 110 @ 2mA, 5V,

Список побажань
BC847BPDXV6T1
ON Semiconductor

BC847BPDXV6T1

частина: 4563

Транзисторний тип: NPN, PNP, Струм - колектор (Ic) (макс.): 100mA, Напруга - пробій випромінювача колектора (макс.): 45V, Насиченість Vce (макс.) @ Ib, Ic: 600mV @ 5mA, 100mA / 650mV @ 5mA, 100mA, Струм - відсікання колектора (макс.): 15nA (ICBO), Посилення струму постійного струму (hFE) (мінімальне) @ Ic, Vce: 200 @ 2mA, 5V,

Список побажань
BC847BS
ON Semiconductor

BC847BS

частина: 182235

Транзисторний тип: 2 NPN (Dual), Струм - колектор (Ic) (макс.): 100mA, Напруга - пробій випромінювача колектора (макс.): 45V, Насиченість Vce (макс.) @ Ib, Ic: 650mV @ 5mA, 100mA, Струм - відсікання колектора (макс.): 15nA (ICBO), Посилення струму постійного струму (hFE) (мінімальне) @ Ic, Vce: 200 @ 2mA, 5V,

Список побажань
BC858CDW1T1G
ON Semiconductor

BC858CDW1T1G

частина: 6498

Транзисторний тип: 2 PNP (Dual), Струм - колектор (Ic) (макс.): 100mA, Напруга - пробій випромінювача колектора (макс.): 30V, Насиченість Vce (макс.) @ Ib, Ic: 650mV @ 5mA, 100mA, Струм - відсікання колектора (макс.): 15nA (ICBO), Посилення струму постійного струму (hFE) (мінімальне) @ Ic, Vce: 420 @ 2mA, 5V,

Список побажань
BC858CDW1T1
ON Semiconductor

BC858CDW1T1

частина: 4499

Транзисторний тип: 2 PNP (Dual), Струм - колектор (Ic) (макс.): 100mA, Напруга - пробій випромінювача колектора (макс.): 30V, Насиченість Vce (макс.) @ Ib, Ic: 650mV @ 5mA, 100mA, Струм - відсікання колектора (макс.): 15nA (ICBO), Посилення струму постійного струму (hFE) (мінімальне) @ Ic, Vce: 420 @ 2mA, 5V,

Список побажань
BC857CDW1T1
ON Semiconductor

BC857CDW1T1

частина: 4423

Транзисторний тип: 2 PNP (Dual), Струм - колектор (Ic) (макс.): 100mA, Напруга - пробій випромінювача колектора (макс.): 45V, Насиченість Vce (макс.) @ Ib, Ic: 650mV @ 5mA, 100mA, Струм - відсікання колектора (макс.): 15nA (ICBO), Посилення струму постійного струму (hFE) (мінімальне) @ Ic, Vce: 420 @ 2mA, 5V,

Список побажань
BC856BDW1T1
ON Semiconductor

BC856BDW1T1

частина: 4478

Транзисторний тип: 2 PNP (Dual), Струм - колектор (Ic) (макс.): 100mA, Напруга - пробій випромінювача колектора (макс.): 65V, Насиченість Vce (макс.) @ Ib, Ic: 650mV @ 5mA, 100mA, Струм - відсікання колектора (макс.): 15nA (ICBO), Посилення струму постійного струму (hFE) (мінімальне) @ Ic, Vce: 220 @ 2mA, 5V,

Список побажань
BC848CPDW1T1
ON Semiconductor

BC848CPDW1T1

частина: 4434

Транзисторний тип: NPN, PNP, Струм - колектор (Ic) (макс.): 100mA, Напруга - пробій випромінювача колектора (макс.): 30V, Насиченість Vce (макс.) @ Ib, Ic: 600mV @ 5mA, 100mA / 650mV @ 5mA, 100mA, Струм - відсікання колектора (макс.): 15nA (ICBO), Посилення струму постійного струму (hFE) (мінімальне) @ Ic, Vce: 420 @ 2mA, 5V,

Список побажань
BC848CDXV6T1G
ON Semiconductor

BC848CDXV6T1G

частина: 4467

Транзисторний тип: 2 NPN (Dual), Струм - колектор (Ic) (макс.): 100mA, Напруга - пробій випромінювача колектора (макс.): 30V, Насиченість Vce (макс.) @ Ib, Ic: 600mV @ 5mA, 100mA, Струм - відсікання колектора (макс.): 15nA (ICBO), Посилення струму постійного струму (hFE) (мінімальне) @ Ic, Vce: 420 @ 2mA, 5V,

Список побажань
BC847BPDXV6T5G
ON Semiconductor

BC847BPDXV6T5G

частина: 6445

Транзисторний тип: NPN, PNP, Струм - колектор (Ic) (макс.): 100mA, Напруга - пробій випромінювача колектора (макс.): 45V, Насиченість Vce (макс.) @ Ib, Ic: 600mV @ 5mA, 100mA / 650mV @ 5mA, 100mA, Струм - відсікання колектора (макс.): 15nA (ICBO), Посилення струму постійного струму (hFE) (мінімальне) @ Ic, Vce: 200 @ 2mA, 5V,

Список побажань
BC858CDXV6T5G
ON Semiconductor

BC858CDXV6T5G

частина: 4404

Транзисторний тип: 2 PNP (Dual), Струм - колектор (Ic) (макс.): 100mA, Напруга - пробій випромінювача колектора (макс.): 30V, Насиченість Vce (макс.) @ Ib, Ic: 650mV @ 5mA, 100mA, Струм - відсікання колектора (макс.): 15nA (ICBO), Посилення струму постійного струму (hFE) (мінімальне) @ Ic, Vce: 420 @ 2mA, 5V,

Список побажань
BC848CDXV6T5G
ON Semiconductor

BC848CDXV6T5G

частина: 4440

Транзисторний тип: 2 NPN (Dual), Струм - колектор (Ic) (макс.): 100mA, Напруга - пробій випромінювача колектора (макс.): 30V, Насиченість Vce (макс.) @ Ib, Ic: 600mV @ 5mA, 100mA, Струм - відсікання колектора (макс.): 15nA (ICBO), Посилення струму постійного струму (hFE) (мінімальне) @ Ic, Vce: 420 @ 2mA, 5V,

Список побажань
BC847CDXV6T5G
ON Semiconductor

BC847CDXV6T5G

частина: 4426

Транзисторний тип: 2 NPN (Dual), Струм - колектор (Ic) (макс.): 100mA, Напруга - пробій випромінювача колектора (макс.): 45V, Насиченість Vce (макс.) @ Ib, Ic: 600mV @ 5mA, 100mA, Струм - відсікання колектора (макс.): 15nA (ICBO), Посилення струму постійного струму (hFE) (мінімальне) @ Ic, Vce: 420 @ 2mA, 5V,

Список побажань
BC847CDXV6T5
ON Semiconductor

BC847CDXV6T5

частина: 4475

Транзисторний тип: 2 NPN (Dual), Струм - колектор (Ic) (макс.): 100mA, Напруга - пробій випромінювача колектора (макс.): 45V, Насиченість Vce (макс.) @ Ib, Ic: 600mV @ 5mA, 100mA, Струм - відсікання колектора (макс.): 15nA (ICBO), Посилення струму постійного струму (hFE) (мінімальне) @ Ic, Vce: 420 @ 2mA, 5V,

Список побажань
BC858CDXV6T5
ON Semiconductor

BC858CDXV6T5

частина: 4393

Транзисторний тип: 2 PNP (Dual), Струм - колектор (Ic) (макс.): 100mA, Напруга - пробій випромінювача колектора (макс.): 30V, Насиченість Vce (макс.) @ Ib, Ic: 650mV @ 5mA, 100mA, Струм - відсікання колектора (макс.): 15nA (ICBO), Посилення струму постійного струму (hFE) (мінімальне) @ Ic, Vce: 420 @ 2mA, 5V,

Список побажань
BC848CDXV6T5
ON Semiconductor

BC848CDXV6T5

частина: 4433

Транзисторний тип: 2 NPN (Dual), Струм - колектор (Ic) (макс.): 100mA, Напруга - пробій випромінювача колектора (макс.): 30V, Насиченість Vce (макс.) @ Ib, Ic: 600mV @ 5mA, 100mA, Струм - відсікання колектора (макс.): 15nA (ICBO), Посилення струму постійного струму (hFE) (мінімальне) @ Ic, Vce: 420 @ 2mA, 5V,

Список побажань
BC857S
ON Semiconductor

BC857S

частина: 117373

Транзисторний тип: 2 PNP (Dual), Струм - колектор (Ic) (макс.): 200mA, Напруга - пробій випромінювача колектора (макс.): 45V, Насиченість Vce (макс.) @ Ib, Ic: 650mV @ 5mA, 100mA, Струм - відсікання колектора (макс.): 15nA (ICBO), Посилення струму постійного струму (hFE) (мінімальне) @ Ic, Vce: 125 @ 2mA, 5V,

Список побажань
BC856BDW1T3G
ON Semiconductor

BC856BDW1T3G

частина: 135230

Транзисторний тип: 2 PNP (Dual), Струм - колектор (Ic) (макс.): 100mA, Напруга - пробій випромінювача колектора (макс.): 65V, Насиченість Vce (макс.) @ Ib, Ic: 650mV @ 5mA, 100mA, Струм - відсікання колектора (макс.): 15nA (ICBO), Посилення струму постійного струму (hFE) (мінімальне) @ Ic, Vce: 220 @ 2mA, 5V,

Список побажань
BC848CDW1T1G
ON Semiconductor

BC848CDW1T1G

частина: 175357

Транзисторний тип: 2 NPN (Dual), Струм - колектор (Ic) (макс.): 100mA, Напруга - пробій випромінювача колектора (макс.): 30V, Насиченість Vce (макс.) @ Ib, Ic: 600mV @ 5mA, 100mA, Струм - відсікання колектора (макс.): 15nA (ICBO), Посилення струму постійного струму (hFE) (мінімальне) @ Ic, Vce: 420 @ 2mA, 5V,

Список побажань
BC847CDW1T1G
ON Semiconductor

BC847CDW1T1G

частина: 117917

Транзисторний тип: 2 NPN (Dual), Струм - колектор (Ic) (макс.): 100mA, Напруга - пробій випромінювача колектора (макс.): 45V, Насиченість Vce (макс.) @ Ib, Ic: 600mV @ 5mA, 100mA, Струм - відсікання колектора (макс.): 15nA (ICBO), Посилення струму постійного струму (hFE) (мінімальне) @ Ic, Vce: 420 @ 2mA, 5V,

Список побажань
BC856BDW1T1G
ON Semiconductor

BC856BDW1T1G

частина: 175380

Транзисторний тип: 2 PNP (Dual), Струм - колектор (Ic) (макс.): 100mA, Напруга - пробій випромінювача колектора (макс.): 65V, Насиченість Vce (макс.) @ Ib, Ic: 650mV @ 5mA, 100mA, Струм - відсікання колектора (макс.): 15nA (ICBO), Посилення струму постійного струму (hFE) (мінімальне) @ Ic, Vce: 220 @ 2mA, 5V,

Список побажань
BC858CDXV6T1G
ON Semiconductor

BC858CDXV6T1G

частина: 168041

Транзисторний тип: 2 PNP (Dual), Струм - колектор (Ic) (макс.): 100mA, Напруга - пробій випромінювача колектора (макс.): 30V, Насиченість Vce (макс.) @ Ib, Ic: 650mV @ 5mA, 100mA, Струм - відсікання колектора (макс.): 15nA (ICBO), Посилення струму постійного струму (hFE) (мінімальне) @ Ic, Vce: 420 @ 2mA, 5V,

Список побажань
BC847BPDW1T2G
ON Semiconductor

BC847BPDW1T2G

частина: 149592

Транзисторний тип: NPN, PNP, Струм - колектор (Ic) (макс.): 100mA, Напруга - пробій випромінювача колектора (макс.): 45V, Насиченість Vce (макс.) @ Ib, Ic: 600mV @ 5mA, 100mA / 650mV @ 5mA, 100mA, Струм - відсікання колектора (макс.): 15nA (ICBO), Посилення струму постійного струму (hFE) (мінімальне) @ Ic, Vce: 200 @ 2mA, 5V,

Список побажань
BC857CDW1T1G
ON Semiconductor

BC857CDW1T1G

частина: 185143

Транзисторний тип: 2 PNP (Dual), Струм - колектор (Ic) (макс.): 100mA, Напруга - пробій випромінювача колектора (макс.): 45V, Насиченість Vce (макс.) @ Ib, Ic: 650mV @ 5mA, 100mA, Струм - відсікання колектора (макс.): 15nA (ICBO), Посилення струму постійного струму (hFE) (мінімальне) @ Ic, Vce: 420 @ 2mA, 5V,

Список побажань
BC846BPDW1T1G
ON Semiconductor

BC846BPDW1T1G

частина: 165331

Транзисторний тип: NPN, PNP, Струм - колектор (Ic) (макс.): 100mA, Напруга - пробій випромінювача колектора (макс.): 65V, Насиченість Vce (макс.) @ Ib, Ic: 600mV @ 5mA, 100mA, Струм - відсікання колектора (макс.): 15nA (ICBO), Посилення струму постійного струму (hFE) (мінімальне) @ Ic, Vce: 200 @ 2mA, 5V,

Список побажань
BC847BPDW1T3G
ON Semiconductor

BC847BPDW1T3G

частина: 123526

Транзисторний тип: NPN, PNP, Струм - колектор (Ic) (макс.): 100mA, Напруга - пробій випромінювача колектора (макс.): 45V, Насиченість Vce (макс.) @ Ib, Ic: 600mV @ 5mA, 100mA / 650mV @ 5mA, 100mA, Струм - відсікання колектора (макс.): 15nA (ICBO), Посилення струму постійного струму (hFE) (мінімальне) @ Ic, Vce: 200 @ 2mA, 5V,

Список побажань
BC847BDW1T3G
ON Semiconductor

BC847BDW1T3G

частина: 102627

Транзисторний тип: 2 NPN (Dual), Струм - колектор (Ic) (макс.): 100mA, Напруга - пробій випромінювача колектора (макс.): 45V, Насиченість Vce (макс.) @ Ib, Ic: 600mV @ 5mA, 100mA, Струм - відсікання колектора (макс.): 15nA (ICBO), Посилення струму постійного струму (hFE) (мінімальне) @ Ic, Vce: 200 @ 2mA, 5V,

Список побажань
BC847BDW1T1G
ON Semiconductor

BC847BDW1T1G

частина: 161746

Транзисторний тип: 2 NPN (Dual), Струм - колектор (Ic) (макс.): 100mA, Напруга - пробій випромінювача колектора (макс.): 45V, Насиченість Vce (макс.) @ Ib, Ic: 600mV @ 5mA, 100mA, Струм - відсікання колектора (макс.): 15nA (ICBO), Посилення струму постійного струму (hFE) (мінімальне) @ Ic, Vce: 200 @ 2mA, 5V,

Список побажань
BC847BPDW1T1G
ON Semiconductor

BC847BPDW1T1G

частина: 144465

Транзисторний тип: NPN, PNP, Струм - колектор (Ic) (макс.): 100mA, Напруга - пробій випромінювача колектора (макс.): 45V, Насиченість Vce (макс.) @ Ib, Ic: 600mV @ 5mA, 100mA, Струм - відсікання колектора (макс.): 15nA (ICBO), Посилення струму постійного струму (hFE) (мінімальне) @ Ic, Vce: 200 @ 2mA, 5V,

Список побажань
BC857BDW1T1G
ON Semiconductor

BC857BDW1T1G

частина: 194751

Транзисторний тип: 2 PNP (Dual), Струм - колектор (Ic) (макс.): 100mA, Напруга - пробій випромінювача колектора (макс.): 45V, Насиченість Vce (макс.) @ Ib, Ic: 650mV @ 5mA, 100mA, Струм - відсікання колектора (макс.): 15nA (ICBO), Посилення струму постійного струму (hFE) (мінімальне) @ Ic, Vce: 220 @ 2mA, 5V,

Список побажань
BC846BDW1T1G
ON Semiconductor

BC846BDW1T1G

частина: 189374

Транзисторний тип: 2 NPN (Dual), Струм - колектор (Ic) (макс.): 100mA, Напруга - пробій випромінювача колектора (макс.): 65V, Насиченість Vce (макс.) @ Ib, Ic: 600mV @ 5mA, 100mA, Струм - відсікання колектора (макс.): 15nA (ICBO), Посилення струму постійного струму (hFE) (мінімальне) @ Ic, Vce: 200 @ 2mA, 5V,

Список побажань