Транзистори - транзистори, транзистори MOSF - один

FDC604P

частина: 171781

Тип FET: P-Channel, Технологія: MOSFET (Metal Oxide), Слив до джерела напруги (Vdss): 20V, Струм - безперервний злив (Id) при 25 ° C: 5.5A (Ta), Приводна напруга: 1.8V, 4.5V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 33 mOhm @ 5.5A, 4.5V,

FDD5680

частина: 131340

Тип FET: N-Channel, Технологія: MOSFET (Metal Oxide), Слив до джерела напруги (Vdss): 60V, Струм - безперервний злив (Id) при 25 ° C: 8.5A (Ta), Приводна напруга: 6V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 21 mOhm @ 8.5A, 10V,

FDMS7672

частина: 161896

Тип FET: N-Channel, Технологія: MOSFET (Metal Oxide), Слив до джерела напруги (Vdss): 30V, Струм - безперервний злив (Id) при 25 ° C: 19A (Ta), 28A (Tc), Приводна напруга: 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5 mOhm @ 19A, 10V,

FDC645N

частина: 198282

Тип FET: N-Channel, Технологія: MOSFET (Metal Oxide), Слив до джерела напруги (Vdss): 30V, Струм - безперервний злив (Id) при 25 ° C: 5.5A (Ta), Приводна напруга: 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 26 mOhm @ 6.2A, 10V,

NTP5862NG

частина: 59224

Тип FET: N-Channel, Технологія: MOSFET (Metal Oxide), Слив до джерела напруги (Vdss): 60V, Струм - безперервний злив (Id) при 25 ° C: 98A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.7 mOhm @ 45A, 10V,

NVATS4A103PZT4G

частина: 120177

Тип FET: P-Channel, Технологія: MOSFET (Metal Oxide), Слив до джерела напруги (Vdss): 30V, Струм - безперервний злив (Id) при 25 ° C: 60A (Ta), Приводна напруга: 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13 mOhm @ 28A, 10V,

NTMFS4C760NT1G

частина: 198309

NTMFS4934NT1G

частина: 73182

Тип FET: N-Channel, Технологія: MOSFET (Metal Oxide), Слив до джерела напруги (Vdss): 30V, Струм - безперервний злив (Id) при 25 ° C: 17.1A (Ta), 147A (Tc), Приводна напруга: 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2 mOhm @ 30A, 10V,

NTMFS4C06NT1G

частина: 185021

Тип FET: N-Channel, Технологія: MOSFET (Metal Oxide), Слив до джерела напруги (Vdss): 30V, Струм - безперервний злив (Id) при 25 ° C: 11A (Ta), 69A (Tc), Приводна напруга: 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4 mOhm @ 30A, 10V,

FDD9509L-F085

частина: 126

Тип FET: P-Channel, Технологія: MOSFET (Metal Oxide), Слив до джерела напруги (Vdss): 40V, Струм - безперервний злив (Id) при 25 ° C: 90A (Tc), Приводна напруга: 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.5 mOhm @ 70A, 10V,

FDT1600N10ALZ

частина: 167495

Тип FET: N-Channel, Технологія: MOSFET (Metal Oxide), Слив до джерела напруги (Vdss): 100V, Струм - безперервний злив (Id) при 25 ° C: 5.6A (Tc), Приводна напруга: 5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 160 mOhm @ 2.8A, 10V,

FDMS86300DC

частина: 61723

Тип FET: N-Channel, Технологія: MOSFET (Metal Oxide), Слив до джерела напруги (Vdss): 80V, Струм - безперервний злив (Id) при 25 ° C: 24A (Ta), 76A (Tc), Приводна напруга: 8V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.1 mOhm @ 24A, 10V,

FDN358P

частина: 165730

Тип FET: P-Channel, Технологія: MOSFET (Metal Oxide), Слив до джерела напруги (Vdss): 30V, Струм - безперервний злив (Id) при 25 ° C: 1.5A (Ta), Приводна напруга: 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 125 mOhm @ 1.5A, 10V,

FDBL9403-F085

частина: 222

Тип FET: N-Channel, Технологія: MOSFET (Metal Oxide), Слив до джерела напруги (Vdss): 40V, Струм - безперервний злив (Id) при 25 ° C: 240A (Tc), Приводна напруга: 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.9 mOhm @ 80A, 10V,

FDD5810-F085

частина: 195

Тип FET: N-Channel, Технологія: MOSFET (Metal Oxide), Слив до джерела напруги (Vdss): 60V, Струм - безперервний злив (Id) при 25 ° C: 7.4A (Ta), 37A (Tc), Приводна напруга: 5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22 mOhm @ 32A, 10V,

FDT86244

частина: 103066

Тип FET: N-Channel, Технологія: MOSFET (Metal Oxide), Слив до джерела напруги (Vdss): 150V, Струм - безперервний злив (Id) при 25 ° C: 2.8A (Tc), Приводна напруга: 6V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 128 mOhm @ 2.8A, 10V,

FDB110N15A

частина: 37020

Тип FET: N-Channel, Технологія: MOSFET (Metal Oxide), Слив до джерела напруги (Vdss): 150V, Струм - безперервний злив (Id) при 25 ° C: 92A (Tc), Приводна напруга: 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11 mOhm @ 92A, 10V,

FDMC8321L

частина: 82277

Тип FET: N-Channel, Технологія: MOSFET (Metal Oxide), Слив до джерела напруги (Vdss): 40V, Струм - безперервний злив (Id) при 25 ° C: 22A (Ta), 49A (Tc), Приводна напруга: 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.5 mOhm @ 22A, 10V,

FDC2612

частина: 198330

Тип FET: N-Channel, Технологія: MOSFET (Metal Oxide), Слив до джерела напруги (Vdss): 200V, Струм - безперервний злив (Id) при 25 ° C: 1.1A (Ta), Приводна напруга: 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 725 mOhm @ 1.1A, 10V,

FDMS0300S

частина: 135859

Тип FET: N-Channel, Технологія: MOSFET (Metal Oxide), Слив до джерела напруги (Vdss): 30V, Струм - безперервний злив (Id) при 25 ° C: 31A (Ta), 49A (Tc), Приводна напруга: 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.8 mOhm @ 30A, 10V,

FDMS0308AS

частина: 155182

Тип FET: N-Channel, Технологія: MOSFET (Metal Oxide), Слив до джерела напруги (Vdss): 30V, Струм - безперервний злив (Id) при 25 ° C: 24A (Ta), 49A (Tc), Приводна напруга: 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.8 mOhm @ 24A, 10V,

FDMC4435BZ

частина: 116311

Тип FET: P-Channel, Технологія: MOSFET (Metal Oxide), Слив до джерела напруги (Vdss): 30V, Струм - безперервний злив (Id) при 25 ° C: 8.5A (Ta), 18A (Tc), Приводна напруга: 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20 mOhm @ 8.5A, 10V,

FDMC7660S

частина: 118191

Тип FET: N-Channel, Технологія: MOSFET (Metal Oxide), Слив до джерела напруги (Vdss): 30V, Струм - безперервний злив (Id) при 25 ° C: 20A (Ta), 40A (Tc), Приводна напруга: 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.2 mOhm @ 20A, 10V,

FDMS8680

частина: 98395

Тип FET: N-Channel, Технологія: MOSFET (Metal Oxide), Слив до джерела напруги (Vdss): 30V, Струм - безперервний злив (Id) при 25 ° C: 14A (Ta), 35A (Tc), Приводна напруга: 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7 mOhm @ 14A, 10V,

FDD14AN06LA0-F085

частина: 266

Тип FET: N-Channel, Технологія: MOSFET (Metal Oxide), Слив до джерела напруги (Vdss): 60V, Струм - безперервний злив (Id) при 25 ° C: 9.5A (Ta), 50A (Tc), Приводна напруга: 5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11.6 mOhm @ 50A, 10V,

FDME410NZT

частина: 159827

Тип FET: N-Channel, Технологія: MOSFET (Metal Oxide), Слив до джерела напруги (Vdss): 20V, Струм - безперервний злив (Id) при 25 ° C: 7A (Ta), Приводна напруга: 1.5V, 4.5V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 26 mOhm @ 7A, 4.5V,

FDMS8888

частина: 119592

Тип FET: N-Channel, Технологія: MOSFET (Metal Oxide), Слив до джерела напруги (Vdss): 30V, Струм - безперервний злив (Id) при 25 ° C: 13.5A (Ta), 21A (Tc), Приводна напруга: 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.5 mOhm @ 13.5A, 10V,

FDMS86380-F085

частина: 203

Тип FET: N-Channel, Технологія: MOSFET (Metal Oxide), Слив до джерела напруги (Vdss): 80V, Струм - безперервний злив (Id) при 25 ° C: 50A (Tc), Приводна напруга: 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13.4 mOhm @ 50A, 10V,

FDD86369-F085

частина: 246

Тип FET: N-Channel, Технологія: MOSFET (Metal Oxide), Слив до джерела напруги (Vdss): 80V, Струм - безперервний злив (Id) при 25 ° C: 90A (Tc), Приводна напруга: 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.9 mOhm @ 80A, 10V,

FDN86501LZ

частина: 107772

Тип FET: N-Channel, Технологія: MOSFET (Metal Oxide), Слив до джерела напруги (Vdss): 60V, Струм - безперервний злив (Id) при 25 ° C: 2.6A (Ta), Приводна напруга: 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 116 mOhm @ 2.6A, 10V,

FDMS86381-F085

частина: 196

Тип FET: N-Channel, Технологія: MOSFET (Metal Oxide), Слив до джерела напруги (Vdss): 80V, Струм - безперервний злив (Id) при 25 ° C: 30A (Tc), Приводна напруга: 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22 mOhm @ 30A, 10V,

FDB1D7N10CL7

частина: 169

Тип FET: N-Channel, Технологія: MOSFET (Metal Oxide), Слив до джерела напруги (Vdss): 100V, Струм - безперервний злив (Id) при 25 ° C: 268A (Tc), Приводна напруга: 6V, 15V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.65 mOhm @ 100A, 15V,

FDMS8333L

частина: 105706

Тип FET: N-Channel, Технологія: MOSFET (Metal Oxide), Слив до джерела напруги (Vdss): 40V, Струм - безперервний злив (Id) при 25 ° C: 22A (Ta), 76A (Tc), Приводна напруга: 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.1 mOhm @ 22A, 10V,

FDT86246L

частина: 168771

Тип FET: N-Channel, Технологія: MOSFET (Metal Oxide), Слив до джерела напруги (Vdss): 150V, Струм - безперервний злив (Id) при 25 ° C: 2A (Ta), Приводна напруга: 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 228 mOhm @ 2A, 10V,

FDMS10C4D2N

частина: 46402

Тип FET: N-Channel, Технологія: MOSFET (Metal Oxide), Слив до джерела напруги (Vdss): 100V, Струм - безперервний злив (Id) при 25 ° C: 17A (Tc), Приводна напруга: 6V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.2 mOhm @ 44A, 10V,

FDMC8321LDC

частина: 69290

Тип FET: N-Channel, Технологія: MOSFET (Metal Oxide), Слив до джерела напруги (Vdss): 40V, Струм - безперервний злив (Id) при 25 ° C: 27A (Ta), 108A (Tc), Приводна напруга: 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.5 mOhm @ 27A, 10V,