Транзистори - транзистори, транзистори MOSF - один

MCH6342-TL-W

частина: 133614

Тип FET: P-Channel, Технологія: MOSFET (Metal Oxide), Слив до джерела напруги (Vdss): 30V, Струм - безперервний злив (Id) при 25 ° C: 4.5A (Ta), Приводна напруга: 1.8V, 4.5V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 73 mOhm @ 2A, 4.5V,

FDB0260N1007L

частина: 18741

Тип FET: N-Channel, Технологія: MOSFET (Metal Oxide), Слив до джерела напруги (Vdss): 100V, Струм - безперервний злив (Id) при 25 ° C: 200A (Tc), Приводна напруга: 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.6 mOhm @ 27A, 10V,

FDD86102LZ

частина: 187955

Тип FET: N-Channel, Технологія: MOSFET (Metal Oxide), Слив до джерела напруги (Vdss): 100V, Струм - безперервний злив (Id) при 25 ° C: 8A (Ta), 35A (Tc), Приводна напруга: 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22.5 mOhm @ 8A, 10V,

FDB20N50F

частина: 36745

Тип FET: N-Channel, Технологія: MOSFET (Metal Oxide), Слив до джерела напруги (Vdss): 500V, Струм - безперервний злив (Id) при 25 ° C: 20A (Tc), Приводна напруга: 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 260 mOhm @ 10A, 10V,

FQB34N20LTM

частина: 55512

Тип FET: N-Channel, Технологія: MOSFET (Metal Oxide), Слив до джерела напруги (Vdss): 200V, Струм - безперервний злив (Id) при 25 ° C: 31A (Tc), Приводна напруга: 5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 75 mOhm @ 15.5A, 10V,

NTB60N06T4G

частина: 60205

Тип FET: N-Channel, Технологія: MOSFET (Metal Oxide), Слив до джерела напруги (Vdss): 60V, Струм - безперервний злив (Id) при 25 ° C: 60A (Ta), Приводна напруга: 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14 mOhm @ 30A, 10V,

NVD5C486NLT4G

частина: 69

Тип FET: N-Channel, Технологія: MOSFET (Metal Oxide), Слив до джерела напруги (Vdss): 40V, Струм - безперервний злив (Id) при 25 ° C: 9.8A (Ta), 24A (Tc), Приводна напруга: 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16 mOhm @ 10A, 10V,

FQB27N25TM-F085

частина: 69

Тип FET: N-Channel, Технологія: MOSFET (Metal Oxide), Слив до джерела напруги (Vdss): 250V, Струм - безперервний злив (Id) при 25 ° C: 25.5A (Tc), Приводна напруга: 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 131 mOhm @ 25.5A, 10V,

FDB86363-F085

частина: 156

Тип FET: N-Channel, Технологія: MOSFET (Metal Oxide), Слив до джерела напруги (Vdss): 80V, Струм - безперервний злив (Id) при 25 ° C: 110A (Tc), Приводна напруга: 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.4 mOhm @ 80A, 10V,

FDMC7672

частина: 150964

Тип FET: N-Channel, Технологія: MOSFET (Metal Oxide), Слив до джерела напруги (Vdss): 30V, Струм - безперервний злив (Id) при 25 ° C: 16.9A (Ta), 20A (Tc), Приводна напруга: 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.7 mOhm @ 16.9A, 10V,

FDS6676AS

частина: 177679

Тип FET: N-Channel, Технологія: MOSFET (Metal Oxide), Слив до джерела напруги (Vdss): 30V, Струм - безперервний злив (Id) при 25 ° C: 14.5A (Ta), Приводна напруга: 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6 mOhm @ 14.5A, 10V,

NVD5C464NLT4G

частина: 78

FDB150N10

частина: 43107

Тип FET: N-Channel, Технологія: MOSFET (Metal Oxide), Слив до джерела напруги (Vdss): 100V, Струм - безперервний злив (Id) при 25 ° C: 57A (Tc), Приводна напруга: 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15 mOhm @ 49A, 10V,

FQD5N15TM

частина: 104312

Тип FET: N-Channel, Технологія: MOSFET (Metal Oxide), Слив до джерела напруги (Vdss): 150V, Струм - безперервний злив (Id) при 25 ° C: 4.3A (Tc), Приводна напруга: 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 800 mOhm @ 2.15A, 10V,

HUF76639S3ST

частина: 60119

Тип FET: N-Channel, Технологія: MOSFET (Metal Oxide), Слив до джерела напруги (Vdss): 100V, Струм - безперервний злив (Id) при 25 ° C: 51A (Tc), Приводна напруга: 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 26 mOhm @ 51A, 10V,

FQD17P06TM

частина: 196420

Тип FET: P-Channel, Технологія: MOSFET (Metal Oxide), Слив до джерела напруги (Vdss): 60V, Струм - безперервний злив (Id) при 25 ° C: 12A (Tc), Приводна напруга: 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 135 mOhm @ 6A, 10V,

FDMA7630

частина: 114863

Тип FET: N-Channel, Технологія: MOSFET (Metal Oxide), Слив до джерела напруги (Vdss): 30V, Струм - безперервний злив (Id) при 25 ° C: 11A (Ta), Приводна напруга: 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13 mOhm @ 11A, 10V,

FDD6N25TM

частина: 176829

Тип FET: N-Channel, Технологія: MOSFET (Metal Oxide), Слив до джерела напруги (Vdss): 250V, Струм - безперервний злив (Id) при 25 ° C: 4.4A (Tc), Приводна напруга: 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.1 Ohm @ 2.2A, 10V,

FDS4675-F085

частина: 47

Тип FET: P-Channel, Технологія: MOSFET (Metal Oxide), Слив до джерела напруги (Vdss): 40V, Струм - безперервний злив (Id) при 25 ° C: 11A (Ta), Приводна напруга: 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13 mOhm @ 11A, 10V,

NVGS4141NT1G

частина: 184116

Тип FET: N-Channel, Технологія: MOSFET (Metal Oxide), Слив до джерела напруги (Vdss): 30V, Струм - безперервний злив (Id) при 25 ° C: 3.5A (Ta), Приводна напруга: 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25 mOhm @ 7A, 10V,

NDT451AN

частина: 160296

Тип FET: N-Channel, Технологія: MOSFET (Metal Oxide), Слив до джерела напруги (Vdss): 30V, Струм - безперервний злив (Id) при 25 ° C: 7.2A (Ta), Приводна напруга: 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35 mOhm @ 7.2A, 10V,

FQU20N06LTU

частина: 60109

Тип FET: N-Channel, Технологія: MOSFET (Metal Oxide), Слив до джерела напруги (Vdss): 60V, Струм - безперервний злив (Id) при 25 ° C: 17.2A (Tc), Приводна напруга: 5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60 mOhm @ 8.6A, 10V,

NVMFS5A140PLZT3G

частина: 92

Тип FET: P-Channel, Технологія: MOSFET (Metal Oxide), Слив до джерела напруги (Vdss): 40V, Струм - безперервний злив (Id) при 25 ° C: 20A (Ta), 140A (Tc), Приводна напруга: 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.2 mOhm @ 50A, 10V,

FDP8D5N10C

частина: 65

Тип FET: N-Channel, Технологія: MOSFET (Metal Oxide), Слив до джерела напруги (Vdss): 100V, Струм - безперервний злив (Id) при 25 ° C: 76A (Tc), Приводна напруга: 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.5 mOhm @ 76A, 10V,

NTD4909NA-35G

частина: 100735

Тип FET: N-Channel, Технологія: MOSFET (Metal Oxide), Слив до джерела напруги (Vdss): 30V, Струм - безперервний злив (Id) при 25 ° C: 8.8A (Ta), 41A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8 mOhm @ 30A, 10V,

NTLJS4114NTAG

частина: 162293

Тип FET: N-Channel, Технологія: MOSFET (Metal Oxide), Слив до джерела напруги (Vdss): 30V, Струм - безперервний злив (Id) при 25 ° C: 3.6A (Ta), Приводна напруга: 1.8V, 4.5V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35 mOhm @ 2A, 4.5V,

FDMS86255ET150

частина: 34355

Тип FET: N-Channel, Технологія: MOSFET (Metal Oxide), Слив до джерела напруги (Vdss): 150V, Струм - безперервний злив (Id) при 25 ° C: 10A (Ta), 63A (Tc), Приводна напруга: 6V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12.4 mOhm @ 10A, 10V,

FDMS7670AS

частина: 133614

Тип FET: N-Channel, Технологія: MOSFET (Metal Oxide), Слив до джерела напруги (Vdss): 30V, Струм - безперервний злив (Id) при 25 ° C: 22A (Ta), 42A (Tc), Приводна напруга: 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3 mOhm @ 21A, 10V,

NTMFS4C025NT3G

частина: 168375

Тип FET: N-Channel, Технологія: MOSFET (Metal Oxide), Слив до джерела напруги (Vdss): 30V, Струм - безперервний злив (Id) при 25 ° C: 20A (Ta), 69A (Tc), Приводна напруга: 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.41 mOhm @ 30A, 10V,

NTD20N06LT4G

частина: 69769

Тип FET: N-Channel, Технологія: MOSFET (Metal Oxide), Слив до джерела напруги (Vdss): 60V, Струм - безперервний злив (Id) при 25 ° C: 20A (Ta), Приводна напруга: 5V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 48 mOhm @ 10A, 5V,

NTMFS5C430NLT3G

частина: 85364

Тип FET: N-Channel, Технологія: MOSFET (Metal Oxide), Слив до джерела напруги (Vdss): 40V, Приводна напруга: 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5 mOhm @ 50A, 10V,

NTMFS5C612NLT3G

частина: 51829

Тип FET: N-Channel, Технологія: MOSFET (Metal Oxide), Слив до джерела напруги (Vdss): 60V, Струм - безперервний злив (Id) при 25 ° C: 36A (Ta), 235A (Tc), Приводна напруга: 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5 mOhm @ 50A, 10V,

NTD4979N-35G

частина: 197782

Тип FET: N-Channel, Технологія: MOSFET (Metal Oxide), Слив до джерела напруги (Vdss): 30V, Струм - безперервний злив (Id) при 25 ° C: 9.4A (Ta), 41A (Tc), Приводна напруга: 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9 mOhm @ 30A, 10V,

FDMS86350ET80

частина: 36734

Тип FET: N-Channel, Технологія: MOSFET (Metal Oxide), Слив до джерела напруги (Vdss): 80V, Струм - безперервний злив (Id) при 25 ° C: 25A (Ta), 198A (Tc), Приводна напруга: 8V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.4 mOhm @ 25A, 10V,

FDB0170N607L

частина: 20543

Тип FET: N-Channel, Технологія: MOSFET (Metal Oxide), Слив до джерела напруги (Vdss): 60V, Струм - безперервний злив (Id) при 25 ° C: 300A (Tc), Приводна напруга: 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4 mOhm @ 39A, 10V,

NTMFS5C410NLT1G

частина: 29711

Тип FET: N-Channel, Технологія: MOSFET (Metal Oxide), Слив до джерела напруги (Vdss): 40V, Струм - безперервний злив (Id) при 25 ° C: 46A (Ta), 302A (Tc), Приводна напруга: 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.9 mOhm @ 50A, 10V,