Пам'ять

MT53B512M64D4EZ-062 WT ES:B TR

частина: 8209

Тип пам'яті: Volatile, Формат пам'яті: DRAM, Технологія: SDRAM - Mobile LPDDR4, Обсяг пам'яті: 32Gb (512M x 64), Тактова частота: 1600MHz,

MT25QU256ABA8E14-1SIT TR

частина: 21641

Тип пам'яті: Non-Volatile, Формат пам'яті: FLASH, Технологія: FLASH - NOR, Обсяг пам'яті: 256Mb (32M x 8), Тактова частота: 133MHz, Написати час циклу - Слово, Сторінка: 8ms, 2.8ms,

MT53B4DAEZ-DC TR

частина: 8127

Тип пам'яті: Volatile, Формат пам'яті: DRAM, Технологія: SDRAM - Mobile LPDDR4,

MT44K32M18RB-093F:B TR

частина: 1183

Тип пам'яті: Volatile, Формат пам'яті: DRAM, Технологія: DRAM, Обсяг пам'яті: 576Mb (32M x 18), Тактова частота: 1067MHz,

MT40A512M8HX-093E:A

частина: 8511

Тип пам'яті: Volatile, Формат пам'яті: DRAM, Технологія: SDRAM - DDR4, Обсяг пам'яті: 4Gb (512M x 8), Тактова частота: 1067MHz,

N25Q064A13E12D1F TR

частина: 93584

Тип пам'яті: Non-Volatile, Формат пам'яті: FLASH, Технологія: FLASH - NOR, Обсяг пам'яті: 64Mb (16M x 4), Тактова частота: 108MHz, Написати час циклу - Слово, Сторінка: 8ms, 5ms,

EDFA164A2PF-GD-F-D

частина: 2862

Тип пам'яті: Volatile, Формат пам'яті: DRAM, Технологія: SDRAM - Mobile LPDDR3, Обсяг пам'яті: 16Gb (256M x 64), Тактова частота: 800MHz,

EDF8164A3MA-GD-F-R TR

частина: 178

Тип пам'яті: Volatile, Формат пам'яті: DRAM, Технологія: SDRAM - Mobile LPDDR3, Обсяг пам'яті: 8Gb (128M x 64), Тактова частота: 800MHz,

EDFA112A2PF-GD-F-R TR

частина: 9114

Тип пам'яті: Volatile, Формат пам'яті: DRAM, Технологія: SDRAM - Mobile LPDDR3, Обсяг пам'яті: 16Gb (128M x 128), Тактова частота: 800MHz,

MT29F8G08ABABAWP-AATX:B TR

частина: 4826

Тип пам'яті: Non-Volatile, Формат пам'яті: FLASH, Технологія: FLASH - NAND, Обсяг пам'яті: 8Gb (1G x 8),

MT35XU02GCBA2G12-0SIT TR

частина: 569

Тип пам'яті: Non-Volatile, Формат пам'яті: FLASH, Технологія: FLASH - NOR, Обсяг пам'яті: 2Gb (256M x 8), Тактова частота: 200MHz,

MT29E1T208ECHBBJ4-3ES:B TR

частина: 1294

Тип пам'яті: Non-Volatile, Формат пам'яті: FLASH, Технологія: FLASH - NAND, Обсяг пам'яті: 1.125Tb (144G x 8),

MT35XU01GBBA4G12-0SIT TR

частина: 7570

Тип пам'яті: Non-Volatile, Формат пам'яті: FLASH, Технологія: FLASH - NOR, Обсяг пам'яті: 1Gb (128M x 8), Тактова частота: 200MHz,

EDB8164B4PT-1DIT-F-D

частина: 5439

Тип пам'яті: Volatile, Формат пам'яті: DRAM, Технологія: SDRAM - Mobile LPDDR2, Обсяг пам'яті: 8Gb (128M x 64), Тактова частота: 533MHz,

MT25QL01GBBA8E12-1SIT TR

частина: 9278

Тип пам'яті: Non-Volatile, Формат пам'яті: FLASH, Технологія: FLASH - NOR, Обсяг пам'яті: 1Gb (128M x 8), Тактова частота: 133MHz, Написати час циклу - Слово, Сторінка: 8ms, 2.8ms,

MT29F16G08CBACBWP-12:C TR

частина: 9256

Тип пам'яті: Non-Volatile, Формат пам'яті: FLASH, Технологія: FLASH - NAND, Обсяг пам'яті: 16Gb (2G x 8),

MT53B4DABNK-DC

частина: 1425

Тип пам'яті: Volatile, Формат пам'яті: DRAM, Технологія: SDRAM - Mobile LPDDR4,

MT29F2T08CQCBBG2-37ES:B TR

частина: 635

Тип пам'яті: Non-Volatile, Формат пам'яті: FLASH, Технологія: FLASH - NAND, Обсяг пам'яті: 2Tb (256G x 8), Тактова частота: 267MHz,

M29W400DB70ZE6F TR

частина: 1004

Тип пам'яті: Non-Volatile, Формат пам'яті: FLASH, Технологія: FLASH - NOR, Обсяг пам'яті: 4Mb (512K x 8, 256K x 16), Написати час циклу - Слово, Сторінка: 70ns,

EDFA232A2MA-JD-F-D

частина: 3637

Тип пам'яті: Volatile, Формат пам'яті: DRAM, Технологія: SDRAM - Mobile LPDDR3, Обсяг пам'яті: 16Gb (512M x 32), Тактова частота: 933MHz,

MT53B256M64D2NV MS TR

частина: 9621

Тип пам'яті: Volatile, Формат пам'яті: DRAM, Технологія: SDRAM - Mobile LPDDR4, Обсяг пам'яті: 16Gb (256M x 64),

ECY4008AACS-Y3

частина: 8525

MT29F32G08AECCBH1-10:C TR

частина: 9366

Тип пам'яті: Non-Volatile, Формат пам'яті: FLASH, Технологія: FLASH - NAND, Обсяг пам'яті: 32Gb (4G x 8), Тактова частота: 100MHz,

MT53B2DANH-DC

частина: 8912

Тип пам'яті: Volatile, Формат пам'яті: DRAM, Технологія: SDRAM - Mobile LPDDR4,

MT41K256M16HA-125 AAT:E

частина: 7924

Тип пам'яті: Volatile, Формат пам'яті: DRAM, Технологія: SDRAM - DDR3L, Обсяг пам'яті: 4Gb (256M x 16), Тактова частота: 800MHz,

EDBM432B3PD-1D-F-D

частина: 3219

Тип пам'яті: Volatile, Формат пам'яті: DRAM, Технологія: SDRAM - Mobile LPDDR2, Обсяг пам'яті: 12Gb (384M x 32), Тактова частота: 533MHz,

EDW2032BBBG-60-F-D

частина: 8413

Тип пам'яті: Volatile, Формат пам'яті: RAM, Технологія: SGRAM - GDDR5, Обсяг пам'яті: 2Gb (64M x 32), Тактова частота: 1.5GHz,

MT29F128G08AMCABH2-10IT:A

частина: 9229

Тип пам'яті: Non-Volatile, Формат пам'яті: FLASH, Технологія: FLASH - NAND, Обсяг пам'яті: 128Gb (16G x 8), Тактова частота: 100MHz,

N25Q032A13ESEH0F TR

частина: 1081

Тип пам'яті: Non-Volatile, Формат пам'яті: FLASH, Технологія: FLASH - NOR, Обсяг пам'яті: 32Mb (8M x 4), Тактова частота: 108MHz, Написати час циклу - Слово, Сторінка: 8ms, 5ms,

MT29F4G08ABADAH4-AT:D TR

частина: 10996

Тип пам'яті: Non-Volatile, Формат пам'яті: FLASH, Технологія: FLASH - NAND, Обсяг пам'яті: 4Gb (512M x 8),

MT44K64M18RB-093F:A TR

частина: 912

Тип пам'яті: Volatile, Формат пам'яті: DRAM, Технологія: DRAM, Обсяг пам'яті: 1.125Gb (64Mb x 18), Тактова частота: 1067MHz,

MT53B2DAANK-DC

частина: 2167

Тип пам'яті: Volatile, Формат пам'яті: DRAM, Технологія: SDRAM - Mobile LPDDR4,

MT29F256G08CJAAAWP:A TR

частина: 9334

Тип пам'яті: Non-Volatile, Формат пам'яті: FLASH, Технологія: FLASH - NAND, Обсяг пам'яті: 256Gb (32G x 8),

EMF8164A3PK-DV-F-D

частина: 3419

EMFA164A2PM-DV-F-D

частина: 3864

MT29F2T08CWCCBJ7-12:C TR

частина: 6277

Тип пам'яті: Non-Volatile, Формат пам'яті: FLASH, Технологія: FLASH - NAND, Обсяг пам'яті: 2Tb (256G x 8), Тактова частота: 83MHz,