Пам'ять

MT29E2T08CUHBBM4-3ES:B TR

частина: 587

Тип пам'яті: Non-Volatile, Формат пам'яті: FLASH, Технологія: FLASH - NAND, Обсяг пам'яті: 2Tb (256G x 8), Тактова частота: 333MHz,

MT49H16M36FM-25E:B TR

частина: 701

Тип пам'яті: Volatile, Формат пам'яті: DRAM, Технологія: DRAM, Обсяг пам'яті: 576Mb (16M x 36), Тактова частота: 400MHz,

MT29E4T08EYHBBG9-3ES:B

частина: 1966

Тип пам'яті: Non-Volatile, Формат пам'яті: FLASH, Технологія: FLASH - NAND, Обсяг пам'яті: 4Tb (512G x 8), Тактова частота: 333MHz,

MT29F128G08EBEBBWPES:B TR

частина: 8389

Тип пам'яті: Non-Volatile, Формат пам'яті: FLASH, Технологія: FLASH - NAND, Обсяг пам'яті: 128Gb (16G x 8),

MT29C4G96MAZBBCJV-48 IT TR

частина: 4196

Тип пам'яті: Non-Volatile, Формат пам'яті: FLASH, RAM, Технологія: FLASH - NAND, Mobile LPDRAM, Обсяг пам'яті: 4Gb (256M x 16)(NAND), 4Gb (128M x 32)(LPDRAM), Тактова частота: 208MHz,

EDFA112A2PD-GD-F-R TR

частина: 234

Тип пам'яті: Volatile, Формат пам'яті: DRAM, Технологія: SDRAM - Mobile LPDDR3, Обсяг пам'яті: 16Gb (128M x 128), Тактова частота: 800MHz,

MT35XL02GCBA2G12-0SIT TR

частина: 525

Тип пам'яті: Non-Volatile, Формат пам'яті: FLASH, Технологія: FLASH - NOR, Обсяг пам'яті: 2Gb (256M x 8), Тактова частота: 133MHz,

N25Q128A31EF840E

частина: 3687

Тип пам'яті: Non-Volatile, Формат пам'яті: FLASH, Технологія: FLASH - NOR, Обсяг пам'яті: 128Mb (32M x 4), Тактова частота: 108MHz, Написати час циклу - Слово, Сторінка: 8ms, 5ms,

MT29F32G08AECCBH1-10:C

частина: 8002

Тип пам'яті: Non-Volatile, Формат пам'яті: FLASH, Технологія: FLASH - NAND, Обсяг пам'яті: 32Gb (4G x 8), Тактова частота: 100MHz,

MT51J256M32HF-60:A TR

частина: 4439

Тип пам'яті: Volatile, Формат пам'яті: RAM, Технологія: SGRAM - GDDR5, Обсяг пам'яті: 8Gb (256M x 32), Тактова частота: 1.5GHz,

N25Q016A11ESCA0F TR

частина: 1063

Тип пам'яті: Non-Volatile, Формат пам'яті: FLASH, Технологія: FLASH - NOR, Обсяг пам'яті: 16Mb (2M x 8), Тактова частота: 108MHz, Написати час циклу - Слово, Сторінка: 8ms, 1ms,

MT53B4DBNH-DC

частина: 1445

Тип пам'яті: Volatile, Формат пам'яті: DRAM, Технологія: SDRAM - Mobile LPDDR4,

MT42L256M16D1GU-18 WT:A TR

частина: 7591

Тип пам'яті: Volatile, Формат пам'яті: DRAM, Технологія: SDRAM - Mobile LPDDR2, Обсяг пам'яті: 4Gb (256M x 16), Тактова частота: 533MHz,

M29F400FB5AM6T2 TR

частина: 910

Тип пам'яті: Non-Volatile, Формат пам'яті: FLASH, Технологія: FLASH - NOR, Обсяг пам'яті: 4Mb (512K x 8, 256K x 16), Написати час циклу - Слово, Сторінка: 55ns,

MT29F512G08CEHBBJ4-3RES:B TR

частина: 2537

Тип пам'яті: Non-Volatile, Формат пам'яті: FLASH, Технологія: FLASH - NAND, Обсяг пам'яті: 512Gb (64G x 8), Тактова частота: 333MHz,

MT25TL01GHBB8E12-0AAT TR

частина: 5160

Тип пам'яті: Non-Volatile, Формат пам'яті: FLASH, Технологія: FLASH - NOR, Обсяг пам'яті: 1Gb (128M x 8), Тактова частота: 133MHz, Написати час циклу - Слово, Сторінка: 8ms, 2.8ms,

MT29F1T08CUEABH8-12:A

частина: 9690

Тип пам'яті: Non-Volatile, Формат пам'яті: FLASH, Технологія: FLASH - NAND, Обсяг пам'яті: 1Tb (128G x 8), Тактова частота: 83MHz,

MT29F1HT08ELCBBG1-37ES:B TR

частина: 1057

Тип пам'яті: Non-Volatile, Формат пам'яті: FLASH, Технологія: FLASH - NAND, Обсяг пам'яті: 1.5Tb (192G x 8), Тактова частота: 267MHz,

MT53B128M32D1DS-062 AAT:A

частина: 5859

Тип пам'яті: Volatile, Формат пам'яті: DRAM, Технологія: SDRAM - Mobile LPDDR4, Обсяг пам'яті: 4Gb (128M x 32), Тактова частота: 1600MHz,

M29F400FB55M3T2 TR

частина: 883

Тип пам'яті: Non-Volatile, Формат пам'яті: FLASH, Технологія: FLASH - NOR, Обсяг пам'яті: 4Mb (512K x 8, 256K x 16), Написати час циклу - Слово, Сторінка: 55ns,

EDB4064B3PD-8D-F-D

частина: 7862

Тип пам'яті: Volatile, Формат пам'яті: DRAM, Технологія: SDRAM - Mobile LPDDR2, Обсяг пам'яті: 4Gb (64M x 64), Тактова частота: 400MHz,

MTFC64GANALAM-WT

частина: 1439

Тип пам'яті: Non-Volatile, Формат пам'яті: FLASH, Технологія: FLASH - NAND, Обсяг пам'яті: 512Gb (64G x 8),

MT41K256M16TW-093 IT:P TR

частина: 6122

Тип пам'яті: Volatile, Формат пам'яті: DRAM, Технологія: SDRAM - DDR3L, Обсяг пам'яті: 4Gb (256M x 16), Тактова частота: 1067MHz,

MT29F64G08AECABH1-10IT:A

частина: 9815

Тип пам'яті: Non-Volatile, Формат пам'яті: FLASH, Технологія: FLASH - NAND, Обсяг пам'яті: 64Gb (8G x 8), Тактова частота: 100MHz,

MT29F128G08EBCDBB05A3WC1

частина: 113

MT53B384M64D4NH-062 WT:A TR

частина: 1901

Тип пам'яті: Volatile, Формат пам'яті: DRAM, Технологія: SDRAM - Mobile LPDDR4, Обсяг пам'яті: 24Gb (384M x 64), Тактова частота: 1600MHz,

MT53B512M64D4PV-062 WT ES:C TR

частина: 3880

Тип пам'яті: Volatile, Формат пам'яті: DRAM, Технологія: SDRAM - Mobile LPDDR4, Обсяг пам'яті: 32Gb (512M x 64), Тактова частота: 1600MHz,

MT29C3DBAN-DC TR

частина: 3841

MT49H32M18CSJ-25E IT:B

частина: 1251

Тип пам'яті: Volatile, Формат пам'яті: DRAM, Технологія: DRAM, Обсяг пам'яті: 576Mb (32M x 18), Тактова частота: 400MHz,

NAND512R3A2SN6F

частина: 9928

Тип пам'яті: Non-Volatile, Формат пам'яті: FLASH, Технологія: FLASH - NAND, Обсяг пам'яті: 512Mb (64M x 8), Написати час циклу - Слово, Сторінка: 50ns,

MT28HL16GJBB3ERK-0SCT

частина: 850

MT29F768G08EEHBBJ4-3RES:B TR

частина: 1672

Тип пам'яті: Non-Volatile, Формат пам'яті: FLASH, Технологія: FLASH - NAND, Обсяг пам'яті: 768Gb (96G x 8), Тактова частота: 333MHz,

N25Q032A13EF4A0F TR

частина: 53524

Тип пам'яті: Non-Volatile, Формат пам'яті: FLASH, Технологія: FLASH - NOR, Обсяг пам'яті: 32Mb (8M x 4), Тактова частота: 108MHz, Написати час циклу - Слово, Сторінка: 8ms, 5ms,

MT29F16G08CBECBL72A3WC1P

частина: 7988

Тип пам'яті: Non-Volatile, Формат пам'яті: FLASH, Технологія: FLASH - NAND, Обсяг пам'яті: 16Gb (2G x 8),

MT29F128G08CBCBBH6-6R:B TR

частина: 5302

Тип пам'яті: Non-Volatile, Формат пам'яті: FLASH, Технологія: FLASH - NAND, Обсяг пам'яті: 128Gb (16G x 8), Тактова частота: 166MHz,

N25Q128A13ESEH0E

частина: 3574

Тип пам'яті: Non-Volatile, Формат пам'яті: FLASH, Технологія: FLASH - NOR, Обсяг пам'яті: 128Mb (32M x 4), Тактова частота: 108MHz, Написати час циклу - Слово, Сторінка: 8ms, 5ms,