Пам'ять

MT29F64G08CBABAWP-IT:B TR

частина: 7882

Тип пам'яті: Non-Volatile, Формат пам'яті: FLASH, Технологія: FLASH - NAND, Обсяг пам'яті: 64Gb (8G x 8),

MT29F4G08ABBDAH4-ITE:D

частина: 9752

Тип пам'яті: Non-Volatile, Формат пам'яті: FLASH, Технологія: FLASH - NAND, Обсяг пам'яті: 4Gb (512M x 8),

MT29F64G08ABCBBH6-6:B TR

частина: 6793

Тип пам'яті: Non-Volatile, Формат пам'яті: FLASH, Технологія: FLASH - NAND, Обсяг пам'яті: 64Gb (8G x 8), Тактова частота: 167MHz,

MT53B2DANL-DC

частина: 2507

Тип пам'яті: Volatile, Формат пам'яті: DRAM, Технологія: SDRAM - Mobile LPDDR4,

EDFP264A2PB-JD-F-R TR

частина: 873

Тип пам'яті: Volatile, Формат пам'яті: DRAM, Технологія: SDRAM - Mobile LPDDR3, Обсяг пам'яті: 24Gb (384M x 64), Тактова частота: 933MHz,

N25Q512A13GSFA0F TR

частина: 7894

Тип пам'яті: Non-Volatile, Формат пам'яті: FLASH, Технологія: FLASH - NOR, Обсяг пам'яті: 512Mb (128M x 4), Тактова частота: 108MHz, Написати час циклу - Слово, Сторінка: 8ms, 5ms,

N25Q064A13EW94ME

частина: 3658

Тип пам'яті: Non-Volatile, Формат пам'яті: FLASH, Технологія: FLASH - NOR, Обсяг пам'яті: 64Mb (16M x 4), Тактова частота: 108MHz, Написати час циклу - Слово, Сторінка: 8ms, 5ms,

MT53B512M64D4NJ-062 WT ES:B TR

частина: 9094

Тип пам'яті: Volatile, Формат пам'яті: DRAM, Технологія: SDRAM - Mobile LPDDR4, Обсяг пам'яті: 32Gb (512M x 64), Тактова частота: 1600MHz,

EDY4016AABG-JD-F-R TR

частина: 8456

Тип пам'яті: Volatile, Формат пам'яті: DRAM, Технологія: SDRAM - DDR4, Обсяг пам'яті: 4Gb (256M x 16), Тактова частота: 1.6GHz,

MT25QU128ABA8E14-1SIT TR

частина: 28446

Тип пам'яті: Non-Volatile, Формат пам'яті: FLASH, Технологія: FLASH - NOR, Обсяг пам'яті: 128Mb (16M x 8), Тактова частота: 133MHz, Написати час циклу - Слово, Сторінка: 8ms, 2.8ms,

MT53B256M64D2NK-053 WT ES:C TR

частина: 8776

Тип пам'яті: Volatile, Формат пам'яті: DRAM, Технологія: SDRAM - Mobile LPDDR4, Обсяг пам'яті: 16Gb (256M x 64), Тактова частота: 1866MHz,

MT29F1G01ABAFD12-AATES:F

частина: 11931

Тип пам'яті: Non-Volatile, Формат пам'яті: FLASH, Технологія: FLASH - NAND, Обсяг пам'яті: 1Gb (1G x 1),

MT53B4DAPV-DC TR

частина: 8097

Тип пам'яті: Volatile, Формат пам'яті: DRAM, Технологія: SDRAM - Mobile LPDDR4,

N25Q512A81GSF40F TR

частина: 1296

Тип пам'яті: Non-Volatile, Формат пам'яті: FLASH, Технологія: FLASH - NOR, Обсяг пам'яті: 512Mb (128M x 4), Тактова частота: 108MHz, Написати час циклу - Слово, Сторінка: 8ms, 5ms,

EDB130ABDBH-1D-F-D

частина: 17990

Тип пам'яті: Volatile, Формат пам'яті: DRAM, Технологія: SDRAM - Mobile LPDDR2, Обсяг пам'яті: 1Gb (64M x 16, 32M x 32), Тактова частота: 533MHz,

PF58F0095HVT0B0A

частина: 8378

EDF8132A3PB-JD-F-R TR

частина: 8991

Тип пам'яті: Volatile, Формат пам'яті: DRAM, Технологія: SDRAM - Mobile LPDDR3, Обсяг пам'яті: 8Gb (256M x 32), Тактова частота: 933MHz,

MT29F256G08CKCABH2-12:A TR

частина: 358

Тип пам'яті: Non-Volatile, Формат пам'яті: FLASH, Технологія: FLASH - NAND, Обсяг пам'яті: 256Gb (32G x 8), Тактова частота: 83MHz,

MT40A512M16LY-062E:E

частина: 124

Тип пам'яті: Volatile, Формат пам'яті: DRAM, Технологія: SDRAM - DDR4, Обсяг пам'яті: 8Gb (512M x 16), Тактова частота: 1.6GHz,

NAND256W3A2BE06

частина: 9774

Тип пам'яті: Non-Volatile, Формат пам'яті: FLASH, Технологія: FLASH - NAND, Обсяг пам'яті: 256Mb (32M x 8), Написати час циклу - Слово, Сторінка: 50ns,

MT29F1T08CMCBBJ4-37ES:B TR

частина: 1299

Тип пам'яті: Non-Volatile, Формат пам'яті: FLASH, Технологія: FLASH - NAND, Обсяг пам'яті: 1Tb (128G x 8), Тактова частота: 267MHz,

NAND512R3A2SZA6F

частина: 9843

Тип пам'яті: Non-Volatile, Формат пам'яті: FLASH, Технологія: FLASH - NAND, Обсяг пам'яті: 512Mb (64M x 8), Написати час циклу - Слово, Сторінка: 50ns,

MT53B4DAANK-DC

частина: 1132

Тип пам'яті: Volatile, Формат пам'яті: DRAM, Технологія: SDRAM - Mobile LPDDR4,

MT29F512G08CMCABK7-6:A

частина: 9145

Тип пам'яті: Non-Volatile, Формат пам'яті: FLASH, Технологія: FLASH - NAND, Обсяг пам'яті: 512Gb (64G x 8), Тактова частота: 166MHz,

MT29TZZZAD7JKKFB-107 W.97R TR

частина: 7209

MT53D384M64D4TZ-053 WT ES:C TR

частина: 2266

Тип пам'яті: Volatile, Формат пам'яті: DRAM, Технологія: SDRAM - Mobile LPDDR4, Обсяг пам'яті: 24Gb (384M x 64), Тактова частота: 1866MHz,

MT29F512G08CMCABK7-6:A TR

частина: 277

Тип пам'яті: Non-Volatile, Формат пам'яті: FLASH, Технологія: FLASH - NAND, Обсяг пам'яті: 512Gb (64G x 8), Тактова частота: 166MHz,

MT49H16M18FM-33:B

частина: 663

Тип пам'яті: Volatile, Формат пам'яті: DRAM, Технологія: DRAM, Обсяг пам'яті: 288Mb (16M x 18), Тактова частота: 300MHz,

MT53B384M64D4NH-062 WT ES:B TR

частина: 1456

Тип пам'яті: Volatile, Формат пам'яті: DRAM, Технологія: SDRAM - Mobile LPDDR4, Обсяг пам'яті: 24Gb (384M x 64), Тактова частота: 1600MHz,

EDFP112A3PB-JDTJ-F-R TR

частина: 738

Тип пам'яті: Volatile, Формат пам'яті: DRAM, Технологія: SDRAM - Mobile LPDDR3, Обсяг пам'яті: 24Gb (192M x 128), Тактова частота: 933MHz,

MT53B256M64D2NK-062 WT:C TR

частина: 2116

Тип пам'яті: Volatile, Формат пам'яті: DRAM, Технологія: SDRAM - Mobile LPDDR4, Обсяг пам'яті: 16Gb (256M x 64), Тактова частота: 1600MHz,

EDFA112A2PD-JD-F-R TR

частина: 288

Тип пам'яті: Volatile, Формат пам'яті: DRAM, Технологія: SDRAM - Mobile LPDDR3, Обсяг пам'яті: 16Gb (128M x 128), Тактова частота: 933MHz,

MT38M5041A3034EZZI.XR6 TR

частина: 11265

Тип пам'яті: Non-Volatile, Формат пам'яті: FLASH, RAM, Технологія: FLASH, PSRAM, Обсяг пам'яті: 512Mb (32M x 16), 128M (8M x 16), Тактова частота: 133MHz,

N25Q128A11ESECFE

частина: 3562

Тип пам'яті: Non-Volatile, Формат пам'яті: FLASH, Технологія: FLASH - NOR, Обсяг пам'яті: 128Mb (32M x 4), Тактова частота: 108MHz, Написати час циклу - Слово, Сторінка: 8ms, 5ms,

MT29F1T08CUEABH8-12:A TR

частина: 9383

Тип пам'яті: Non-Volatile, Формат пам'яті: FLASH, Технологія: FLASH - NAND, Обсяг пам'яті: 1Tb (128G x 8), Тактова частота: 83MHz,

EDBM432B3PB-1D-F-D

частина: 3105

Тип пам'яті: Volatile, Формат пам'яті: DRAM, Технологія: SDRAM - Mobile LPDDR2, Обсяг пам'яті: 12Gb (384M x 32), Тактова частота: 533MHz,