Пам'ять

MT29F512G08ELCDBG7-37ES:D TR

частина: 2128

Тип пам'яті: Non-Volatile, Формат пам'яті: FLASH, Технологія: FLASH - NAND, Обсяг пам'яті: 512Gb (64G x 8), Тактова частота: 267MHz,

MT41K512M8RH-125 V:E TR

частина: 9920

Тип пам'яті: Volatile, Формат пам'яті: DRAM, Технологія: SDRAM - DDR3L, Обсяг пам'яті: 4Gb (512M x 8), Тактова частота: 800MHz,

N25Q016A11EF640E

частина: 3788

Тип пам'яті: Non-Volatile, Формат пам'яті: FLASH, Технологія: FLASH - NOR, Обсяг пам'яті: 16Mb (2M x 8), Тактова частота: 108MHz, Написати час циклу - Слово, Сторінка: 8ms, 1ms,

MT29F2G08ABBFAH4:F TR

частина: 6132

Тип пам'яті: Non-Volatile, Формат пам'яті: FLASH, Технологія: FLASH - NAND, Обсяг пам'яті: 2Gb (256M x 8),

NAND512R3A2SE06

частина: 9834

Тип пам'яті: Non-Volatile, Формат пам'яті: FLASH, Технологія: FLASH - NAND, Обсяг пам'яті: 512Mb (64M x 8), Написати час циклу - Слово, Сторінка: 50ns,

MT49H64M9FM-25E:B

частина: 918

Тип пам'яті: Volatile, Формат пам'яті: DRAM, Технологія: DRAM, Обсяг пам'яті: 576Mb (64M x 9), Тактова частота: 400MHz,

EDB1332BDPC-1D-F-D

частина: 19025

Тип пам'яті: Volatile, Формат пам'яті: DRAM, Технологія: SDRAM - Mobile LPDDR2, Обсяг пам'яті: 1Gb (32M x 32), Тактова частота: 533MHz,

MT29F128G08EBCDBJ4-5M:D TR

частина: 8031

Тип пам'яті: Non-Volatile, Формат пам'яті: FLASH, Технологія: FLASH - NAND, Обсяг пам'яті: 128Gb (16G x 8), Тактова частота: 200MHz,

MT52L512M16D1PF-093 WT ES:B TR

частина: 6977

Тип пам'яті: Volatile, Формат пам'яті: DRAM, Технологія: SDRAM - Mobile LPDDR3, Обсяг пам'яті: 8Gb (512M x 16), Тактова частота: 1067MHz,

MT41K2G4SN-107:A TR

частина: 7454

Тип пам'яті: Volatile, Формат пам'яті: DRAM, Технологія: SDRAM - DDR3L, Обсяг пам'яті: 8Gb (2G x 4), Тактова частота: 933MHz,

MT53B256M64D2NV-062 XT:C TR

частина: 3406

Тип пам'яті: Volatile, Формат пам'яті: DRAM, Технологія: SDRAM - Mobile LPDDR4, Обсяг пам'яті: 16Gb (256M x 64), Тактова частота: 1600MHz,

EDY4016AABG-DR-F-R TR

частина: 8409

Тип пам'яті: Volatile, Формат пам'яті: DRAM, Технологія: SDRAM - DDR4, Обсяг пам'яті: 4Gb (256M x 16), Тактова частота: 1.2GHz,

EDBA232B2PD-1D-F-D

частина: 3201

Тип пам'яті: Volatile, Формат пам'яті: DRAM, Технологія: SDRAM - Mobile LPDDR2, Обсяг пам'яті: 16Gb (512M x 32), Тактова частота: 533MHz,

MT53B768M32D4TT-062 WT ES:B TR

частина: 1494

Тип пам'яті: Volatile, Формат пам'яті: DRAM, Технологія: SDRAM - Mobile LPDDR4, Обсяг пам'яті: 24Gb (768M x 32), Тактова частота: 1600MHz,

MT29F256G08CMHGBJ4-3RES:G TR

частина: 2475

Тип пам'яті: Non-Volatile, Формат пам'яті: FLASH, Технологія: FLASH - NAND, Обсяг пам'яті: 256Gb (32G x 8), Тактова частота: 333MHz,

MT29F64G08CBCBBH1-10:B TR

частина: 5617

Тип пам'яті: Non-Volatile, Формат пам'яті: FLASH, Технологія: FLASH - NAND, Обсяг пам'яті: 64Gb (8G x 8), Тактова частота: 100MHz,

MT29RZ1CVCZZHGTN-18 W.85H TR

частина: 11622

Тип пам'яті: Non-Volatile, Формат пам'яті: FLASH, RAM, Технологія: FLASH - NAND, DRAM - LPDDR2, Обсяг пам'яті: 1Gb (128M x 8)(NAND), 512M (32M x 16)(LPDDR2), Тактова частота: 533MHz,

MT42L64M32D1TK-18 AAT:C TR

частина: 7747

Тип пам'яті: Volatile, Формат пам'яті: DRAM, Технологія: SDRAM - Mobile LPDDR2, Обсяг пам'яті: 2Gb (64M x 32), Тактова частота: 533MHz,

MT29E4T08CTHBBM5-3ES:B TR

частина: 324

Тип пам'яті: Non-Volatile, Формат пам'яті: FLASH, Технологія: FLASH - NAND, Обсяг пам'яті: 4Tb (512G x 8), Тактова частота: 333MHz,

MT38W201DAA033JZZI.X68 TR

частина: 7285

MT53B384M64D4TX-053 WT ES:B TR

частина: 2301

Тип пам'яті: Volatile, Формат пам'яті: DRAM, Технологія: SDRAM - Mobile LPDDR4, Обсяг пам'яті: 24Gb (384M x 64), Тактова частота: 1866MHz,

MTFC32GALAJAM-WT TR

частина: 2977

Тип пам'яті: Non-Volatile, Формат пам'яті: FLASH, Технологія: FLASH - NAND, Обсяг пам'яті: 256Gb (32G x 8),

MT29F4G16ABADAM60A3WC1

частина: 9675

Тип пам'яті: Non-Volatile, Формат пам'яті: FLASH, Технологія: FLASH - NAND, Обсяг пам'яті: 4Gb (256M x 16),

MT51J256M32HF-80:A TR

частина: 4134

Тип пам'яті: Volatile, Формат пам'яті: RAM, Технологія: SGRAM - GDDR5, Обсяг пам'яті: 8Gb (256M x 32), Тактова частота: 2.0GHz,

NAND256W3A0BN6E

частина: 9833

Тип пам'яті: Non-Volatile, Формат пам'яті: FLASH, Технологія: FLASH - NAND, Обсяг пам'яті: 256Mb (32M x 8), Написати час циклу - Слово, Сторінка: 50ns,

MT41K256M16TW-107 M AIT:P TR

частина: 6533

Тип пам'яті: Volatile, Формат пам'яті: DRAM, Технологія: SDRAM - DDR3L, Обсяг пам'яті: 4Gb (256M x 16), Тактова частота: 933MHz,

MT29F1T08CUCABK8-6:A

частина: 9187

Тип пам'яті: Non-Volatile, Формат пам'яті: FLASH, Технологія: FLASH - NAND, Обсяг пам'яті: 1Tb (128G x 8), Тактова частота: 167MHz,

N25Q064A13ESED0G

частина: 8401

Тип пам'яті: Non-Volatile, Формат пам'яті: FLASH, Технологія: FLASH - NOR, Обсяг пам'яті: 64Mb (16M x 4), Тактова частота: 108MHz, Написати час циклу - Слово, Сторінка: 8ms, 5ms,

N25Q256A81ESF40G

частина: 29104

Тип пам'яті: Non-Volatile, Формат пам'яті: FLASH, Технологія: FLASH - NOR, Обсяг пам'яті: 256Mb (64M x 4), Тактова частота: 108MHz, Написати час циклу - Слово, Сторінка: 8ms, 5ms,

EDY4016AABG-JD-F-D

частина: 8544

Тип пам'яті: Volatile, Формат пам'яті: DRAM, Технологія: SDRAM - DDR4, Обсяг пам'яті: 4Gb (256M x 16), Тактова частота: 1.6GHz,

MT40A256M16GE-062E:B

частина: 3756

Тип пам'яті: Volatile, Формат пам'яті: DRAM, Технологія: SDRAM - DDR4, Обсяг пам'яті: 4Gb (256M x 16), Тактова частота: 1.6GHz,

MT53B256M32D1NP-062 WT ES:C TR

частина: 7982

Тип пам'яті: Volatile, Формат пам'яті: DRAM, Технологія: SDRAM - Mobile LPDDR4, Обсяг пам'яті: 8Gb (256M x 32), Тактова частота: 1600MHz,

MT49H32M9FM-33:B

частина: 865

Тип пам'яті: Volatile, Формат пам'яті: DRAM, Технологія: DRAM, Обсяг пам'яті: 288Mb (32M x 9), Тактова частота: 300MHz,

EDF8164A3PK-JD-F-R TR

частина: 5012

Тип пам'яті: Volatile, Формат пам'яті: DRAM, Технологія: SDRAM - Mobile LPDDR3, Обсяг пам'яті: 8Gb (128M x 64), Тактова частота: 933MHz,

EDY4016AABG-DR-F-D

частина: 8484

Тип пам'яті: Volatile, Формат пам'яті: DRAM, Технологія: SDRAM - DDR4, Обсяг пам'яті: 4Gb (256M x 16), Тактова частота: 1.2GHz,

MT29F4T08CTCBBM5-37ES:B TR

частина: 300

Тип пам'яті: Non-Volatile, Формат пам'яті: FLASH, Технологія: FLASH - NAND, Обсяг пам'яті: 4Tb (512G x 8), Тактова частота: 267MHz,