Пам'ять

MTFC128GAPALNA-AIT ES TR

частина: 119

MT53B512M32D2NP-062 WT ES:D

частина: 1818

Тип пам'яті: Volatile, Формат пам'яті: DRAM, Технологія: SDRAM - Mobile LPDDR4, Обсяг пам'яті: 16Gb (512M x 32), Тактова частота: 1600MHz,

MT25QU128ABB1EW7-CSIT TR

частина: 8495

Тип пам'яті: Non-Volatile, Формат пам'яті: FLASH, Технологія: FLASH - NOR, Обсяг пам'яті: 128Mb (16M x 8), Тактова частота: 133MHz, Написати час циклу - Слово, Сторінка: 8ms, 2.8ms,

MT53D256M64D4NY-046 XT ES:B

частина: 6105

Тип пам'яті: Volatile, Формат пам'яті: DRAM, Технологія: SDRAM - Mobile LPDDR4, Обсяг пам'яті: 16Gb (256M x 64), Тактова частота: 2133MHz,

MTFC16GAKAEJP-AIT

частина: 39

Тип пам'яті: Non-Volatile, Формат пам'яті: FLASH, Технологія: FLASH - NAND, Обсяг пам'яті: 128Gb (16G x 8),

MT29F256G08EBHAFB16A3WC1ES

частина: 670

MT25TL01GHBB8ESF-0AAT

частина: 1426

Тип пам'яті: Non-Volatile, Формат пам'яті: FLASH, Технологія: FLASH - NOR, Обсяг пам'яті: 1Gb (128M x 8), Тактова частота: 133MHz, Написати час циклу - Слово, Сторінка: 8ms, 2.8ms,

MT53B256M64D2NK-053 WT ES:C

частина: 1496

Тип пам'яті: Volatile, Формат пам'яті: DRAM, Технологія: SDRAM - Mobile LPDDR4, Обсяг пам'яті: 16Gb (256M x 64), Тактова частота: 1866MHz,

MT29F512G08EECAGJ4-5M:A TR

частина: 84

MT53D768M64D4SQ-046 WT:A

частина: 6849

MTFC8GAMALNA-AAT ES

частина: 7781

Тип пам'яті: Non-Volatile, Формат пам'яті: FLASH, Технологія: FLASH - NAND, Обсяг пам'яті: 64Gb (8G x 8),

MT53B512M32D2NP-062 WT ES:D TR

частина: 3167

Тип пам'яті: Volatile, Формат пам'яті: DRAM, Технологія: SDRAM - Mobile LPDDR4, Обсяг пам'яті: 16Gb (512M x 32), Тактова частота: 1600MHz,

MT53D256M16D1NY-046 XT ES:B

частина: 2118

Тип пам'яті: Volatile, Формат пам'яті: DRAM, Технологія: SDRAM - Mobile LPDDR4, Обсяг пам'яті: 16Gb (256M x 64), Тактова частота: 2133MHz,

MT28EW128ABA1HPC-1SIT TR

частина: 4725

Тип пам'яті: Non-Volatile, Формат пам'яті: FLASH, Технологія: FLASH - NOR, Обсяг пам'яті: 128Mb (16M x 8, 8M x 16), Написати час циклу - Слово, Сторінка: 60ns,

MT53D1024M64D8WF-053 WT ES:D

частина: 2067

Тип пам'яті: Volatile, Формат пам'яті: DRAM, Технологія: SDRAM - Mobile LPDDR4, Обсяг пам'яті: 64Gb (1G x 64), Тактова частота: 1866MHz,

MTFC32GAPALNA-AAT TR

частина: 2960

Тип пам'яті: Non-Volatile, Формат пам'яті: FLASH, Технологія: FLASH - NAND, Обсяг пам'яті: 256Gb (32G x 8),

MT29F256G08EBHAFB16A3WC1-M

частина: 8044

MT53B512M64D4NW-062 WT ES:D TR

частина: 2750

Тип пам'яті: Volatile, Формат пам'яті: DRAM, Технологія: SDRAM - Mobile LPDDR4, Обсяг пам'яті: 32Gb (512M x 64), Тактова частота: 1600MHz,

MT29F512G08EEHAFJ4-3RES:A

частина: 5438

Тип пам'яті: Non-Volatile, Формат пам'яті: FLASH, Технологія: FLASH - NAND, Обсяг пам'яті: 512Gb (64G x 8), Тактова частота: 333MHz,

MT53D4DBBP-DC

частина: 2298

Тип пам'яті: Volatile, Формат пам'яті: DRAM, Технологія: SDRAM - Mobile LPDDR4,

PN28F128M29EWHA TR

частина: 731

Тип пам'яті: Non-Volatile, Формат пам'яті: FLASH, Технологія: FLASH - NOR, Обсяг пам'яті: 128Mb (16M x 8, 8M x 16), Написати час циклу - Слово, Сторінка: 60ns,

EDF8164A3MC-GD-F-R TR

частина: 8392

Тип пам'яті: Volatile, Формат пам'яті: DRAM, Технологія: SDRAM - Mobile LPDDR3, Обсяг пам'яті: 8Gb (128M x 64), Тактова частота: 800MHz,

MT53D768M64D8JS-053 WT ES:D

частина: 6938

Тип пам'яті: Volatile, Формат пам'яті: DRAM, Технологія: SDRAM - Mobile LPDDR4, Обсяг пам'яті: 48Gb (768M x 64), Тактова частота: 1866MHz,

MTFC32GAMAKAM-WT ES TR

частина: 9362

Тип пам'яті: Non-Volatile, Формат пам'яті: FLASH, Технологія: FLASH - NAND, Обсяг пам'яті: 256Gb (32G x 8),

MT29F256G08CMCGBJ4-37R:G TR

частина: 4175

Тип пам'яті: Non-Volatile, Формат пам'яті: FLASH, Технологія: FLASH - NAND, Обсяг пам'яті: 256Gb (32G x 8), Тактова частота: 267MHz,

MT41J256M16LY-091G:N TR

частина: 3456

Тип пам'яті: Volatile, Формат пам'яті: DRAM, Технологія: SDRAM - DDR3, Обсяг пам'яті: 4Gb (256M x 16), Тактова частота: 1GHz,

MT61M256M32JE-12 AAT:A

частина: 7267

Тип пам'яті: Volatile, Формат пам'яті: RAM, Технологія: SGRAM - GDDR6, Обсяг пам'яті: 8Gb (256M x 32), Тактова частота: 1.5GHz,

MT29F256G08CECEBJ4-37ITRES:E TR

частина: 8558

MT25QL128ABB1EW7-CAUT

частина: 5160

Тип пам'яті: Non-Volatile, Формат пам'яті: FLASH, Технологія: FLASH - NOR, Обсяг пам'яті: 128Mb (16M x 8), Тактова частота: 133MHz, Написати час циклу - Слово, Сторінка: 8ms, 2.8ms,

MT25QU128ABB8ESF-0AUT TR

частина: 3860

Тип пам'яті: Non-Volatile, Формат пам'яті: FLASH, Технологія: FLASH - NOR, Обсяг пам'яті: 128Mb (16M x 8), Тактова частота: 133MHz, Написати час циклу - Слово, Сторінка: 8ms, 2.8ms,

MT53D512M64D4NW-062 WT ES:D

частина: 2380

Тип пам'яті: Volatile, Формат пам'яті: DRAM, Технологія: SDRAM - Mobile LPDDR4, Обсяг пам'яті: 32Gb (512M x 64), Тактова частота: 1600MHz,

MT53B4DBDT-DC TR

частина: 9055

Тип пам'яті: Volatile, Формат пам'яті: DRAM, Технологія: SDRAM - Mobile LPDDR4,

MT28EW512ABA1LPC-1SIT

частина: 4855

Тип пам'яті: Non-Volatile, Формат пам'яті: FLASH, Технологія: FLASH - NOR, Обсяг пам'яті: 512Mb (64M x 8, 32M x 16), Написати час циклу - Слово, Сторінка: 60ns,

MT53B256M64D2TG-062 XT ES:C

частина: 3234

Тип пам'яті: Volatile, Формат пам'яті: DRAM, Технологія: SDRAM - Mobile LPDDR4, Обсяг пам'яті: 16Gb (256M x 64), Тактова частота: 1600MHz,

MT25QL128QLHS8E3WC2-0AAT

частина: 7886

MT35XU01GBBA1G12-0AAT TR

частина: 3618

Тип пам'яті: Non-Volatile, Формат пам'яті: FLASH, Технологія: FLASH - NOR, Обсяг пам'яті: 1Gb (128M x 8), Тактова частота: 200MHz,