Пам'ять

MT53D4DACB-DC

частина: 2217

Тип пам'яті: Volatile, Формат пам'яті: DRAM, Технологія: SDRAM - Mobile LPDDR4,

MTFC16GAPALBH-AAT ES TR

частина: 131

Тип пам'яті: Non-Volatile, Формат пам'яті: FLASH, Технологія: FLASH - NAND, Обсяг пам'яті: 128Gb (16G x 8),

MTFC16GAKAEEF-O1 AIT TR

частина: 66

Тип пам'яті: Non-Volatile, Формат пам'яті: FLASH, Технологія: FLASH - NAND, Обсяг пам'яті: 128Gb (16G x 8),

MTFC64GAJAECE-5M AIT TR

частина: 3037

Тип пам'яті: Non-Volatile, Формат пам'яті: FLASH, Технологія: FLASH - NAND, Обсяг пам'яті: 512Gb (64G x 8),

MT53D4DADT-DC TR

частина: 9269

MT53D4DARN-DC

частина: 6400

MT53D1024M32D4NQ-053 WT ES:D TR

частина: 3269

Тип пам'яті: Volatile, Формат пам'яті: DRAM, Технологія: SDRAM - Mobile LPDDR4, Обсяг пам'яті: 32Gb (1G x 32), Тактова частота: 1866MHz,

MT25TL256BBA8ESF-0AAT

частина: 1310

Тип пам'яті: Non-Volatile, Формат пам'яті: FLASH, Технологія: FLASH - NOR, Обсяг пам'яті: 256Mb (32M x 8), Тактова частота: 133MHz, Написати час циклу - Слово, Сторінка: 8ms, 2.8ms,

MT53D4DBKA-DC

частина: 6424

MT53D384M16D1NY-046 XT ES:D

частина: 2182

MT53D512M32D2NP-046 AIT ES:D TR

частина: 3408

Тип пам'яті: Volatile, Формат пам'яті: DRAM, Технологія: SDRAM - Mobile LPDDR4, Обсяг пам'яті: 16Gb (512M x 32), Тактова частота: 2133MHz,

MT53D2G32D8QD-062 WT ES:D TR

частина: 3334

MTFC64GAPALNA-AIT

частина: 7764

MT35XL512ABA2G12-0AAT TR

частина: 3528

Тип пам'яті: Non-Volatile, Формат пам'яті: FLASH, Технологія: FLASH - NOR, Обсяг пам'яті: 512Mb (64M x 8), Тактова частота: 133MHz,

MT35XU02GCBA1G12-0AUT TR

частина: 8855

Тип пам'яті: Non-Volatile, Формат пам'яті: FLASH, Технологія: FLASH - NOR, Обсяг пам'яті: 2Gb (256M x 8), Тактова частота: 200MHz,

MT53B256M64D2NK-062 WT ES:C

частина: 1547

Тип пам'яті: Volatile, Формат пам'яті: DRAM, Технологія: SDRAM - Mobile LPDDR4, Обсяг пам'яті: 16Gb (256M x 64), Тактова частота: 1600MHz,

MT53D1024M32D4DT-046 AUT:D TR

частина: 3189

Тип пам'яті: Volatile, Формат пам'яті: DRAM, Технологія: SDRAM - Mobile LPDDR4, Обсяг пам'яті: 32Gb (1G x 32), Тактова частота: 2133MHz,

MT35XU01GBBA2G12-0AAT TR

частина: 3399

Тип пам'яті: Non-Volatile, Формат пам'яті: FLASH, Технологія: FLASH - NOR, Обсяг пам'яті: 1Gb (128M x 8), Тактова частота: 200MHz,

MT29F2G01ABBGDM79A3WC1

частина: 8062

MT25QL128ABB8E12-0AUT

частина: 5190

Тип пам'яті: Non-Volatile, Формат пам'яті: FLASH, Технологія: FLASH - NOR, Обсяг пам'яті: 128Mb (16M x 8), Тактова частота: 133MHz, Написати час циклу - Слово, Сторінка: 8ms, 2.8ms,

MT53B128M32D1Z00NEC2

частина: 8171

MT53D8D1ASQ-DC TR

частина: 9753

MT53D1024M32D4NQ-046 WT ES:D TR

частина: 3327

Тип пам'яті: Volatile, Формат пам'яті: DRAM, Технологія: SDRAM - Mobile LPDDR4, Обсяг пам'яті: 32Gb (1G x 32), Тактова частота: 2133MHz,

MT25QL256ABA1EW7-0SIT

частина: 1231

Тип пам'яті: Non-Volatile, Формат пам'яті: FLASH, Технологія: FLASH - NOR, Обсяг пам'яті: 256Mb (32M x 8), Тактова частота: 133MHz, Написати час циклу - Слово, Сторінка: 8ms, 2.8ms,

MT53D4DDFL-DC

частина: 6467

MT53D2G32D8QD-062 WT ES:D

частина: 9394

ECF620AAACN-C2-Y3-ES

частина: 7889

MT25QL256ABA8E14-1SIT TR

частина: 676

Тип пам'яті: Non-Volatile, Формат пам'яті: FLASH, Технологія: FLASH - NOR, Обсяг пам'яті: 256Mb (32M x 8), Тактова частота: 133MHz, Написати час циклу - Слово, Сторінка: 8ms, 2.8ms,

MT53D1G32D4NQ-062 WT ES:D

частина: 2061

N25Q512A83G12H0F

частина: 2617

Тип пам'яті: Non-Volatile, Формат пам'яті: FLASH, Технологія: FLASH - NOR, Обсяг пам'яті: 512Mb (128M x 4), Тактова частота: 108MHz, Написати час циклу - Слово, Сторінка: 8ms, 5ms,

MT53D512M32D2NP-062 WT ES:D

частина: 2341

Тип пам'яті: Volatile, Формат пам'яті: DRAM, Технологія: SDRAM - Mobile LPDDR4, Обсяг пам'яті: 16Gb (512M x 32), Тактова частота: 1600MHz,

MT53D1024M64D8NW-062 WT ES:D

частина: 2026

Тип пам'яті: Volatile, Формат пам'яті: DRAM, Технологія: SDRAM - Mobile LPDDR4, Обсяг пам'яті: 64Gb (1G x 64), Тактова частота: 1600MHz,

MT25TL01GBBB8E12-0AAT

частина: 1128

Тип пам'яті: Non-Volatile, Формат пам'яті: FLASH, Технологія: FLASH - NOR, Обсяг пам'яті: 1Gb (128M x 8), Тактова частота: 133MHz, Написати час циклу - Слово, Сторінка: 8ms, 2.8ms,

MT53B512M64D4PV-062 WT ES:C

частина: 1835

Тип пам'яті: Volatile, Формат пам'яті: DRAM, Технологія: SDRAM - Mobile LPDDR4, Обсяг пам'яті: 32Gb (512M x 64), Тактова частота: 1600MHz,

MT41K256M16V00HWC1-N001

частина: 8088

MTFC128GAPALNS-AIT ES

частина: 7389

Тип пам'яті: Non-Volatile, Формат пам'яті: FLASH, Технологія: FLASH - NAND, Обсяг пам'яті: 1Tb (128G x 8),