Пам'ять

MTFC32GAMALAM-WT ES TR

частина: 3342

Тип пам'яті: Non-Volatile, Формат пам'яті: FLASH, Технологія: FLASH - NAND, Обсяг пам'яті: 256Gb (32G x 8),

MT53D8DANZ-DC

частина: 3751

MT53B256M32D1PX-062 XT ES:C

частина: 3153

Тип пам'яті: Volatile, Формат пам'яті: DRAM, Технологія: SDRAM - Mobile LPDDR4, Обсяг пам'яті: 8Gb (256M x 32), Тактова частота: 1600MHz,

MT25QL128ABA1ESE-MSIT

частина: 1277

Тип пам'яті: Non-Volatile, Формат пам'яті: FLASH, Технологія: FLASH - NOR, Обсяг пам'яті: 128Mb (16M x 8), Тактова частота: 133MHz, Написати час циклу - Слово, Сторінка: 8ms, 2.8ms,

MT53D512M64D4BP-046 WT ES:E

частина: 6613

Тип пам'яті: Volatile, Формат пам'яті: DRAM, Технологія: SDRAM - Mobile LPDDR4, Обсяг пам'яті: 32Gb (512M x 64), Тактова частота: 1866MHz,

MT61M256M32JE-12 N:A

частина: 7329

Тип пам'яті: Volatile, Формат пам'яті: RAM, Технологія: SGRAM - GDDR6, Обсяг пам'яті: 8Gb (256M x 32), Тактова частота: 1.5GHz,

MT53B384M64D4EZ-062 WT ES:B

частина: 1659

Тип пам'яті: Volatile, Формат пам'яті: DRAM, Технологія: SDRAM - Mobile LPDDR4, Обсяг пам'яті: 24Gb (384M x 64), Тактова частота: 1600MHz,

MT53D8D1BSQ-DC

частина: 6973

MT41K1G8RKB-107:N TR

частина: 1897

Тип пам'яті: Volatile, Формат пам'яті: DRAM, Технологія: SDRAM - DDR3L, Обсяг пам'яті: 8Gb (1G x 8), Тактова частота: 933MHz,

MT53D4DBBP-DC TR

частина: 3408

Тип пам'яті: Volatile, Формат пам'яті: DRAM, Технологія: SDRAM - Mobile LPDDR4,

MT53E1G32D4NQ-046 WT:E TR

частина: 9853

MT53D4DCSB-DC

частина: 6432

MT53D2G32D8QD-062 WT:D TR

частина: 3412

MT35XL512ABA2G12-0AAT

частина: 1325

Тип пам'яті: Non-Volatile, Формат пам'яті: FLASH, Технологія: FLASH - NOR, Обсяг пам'яті: 512Mb (64M x 8), Тактова частота: 133MHz,

MT53D512M64D4NY-046 XT ES:E TR

частина: 9540

Тип пам'яті: Volatile, Формат пам'яті: DRAM, Технологія: SDRAM - Mobile LPDDR4, Обсяг пам'яті: 32Gb (512M x 64), Тактова частота: 2133MHz,

MT40A512M16LY-062E IT:E TR

частина: 8928

Тип пам'яті: Volatile, Формат пам'яті: DRAM, Технологія: SDRAM - DDR4, Обсяг пам'яті: 8Gb (512M x 16), Тактова частота: 1.6GHz,

MT53B4DANW-DC

частина: 1704

Тип пам'яті: Volatile, Формат пам'яті: DRAM, Технологія: SDRAM - Mobile LPDDR4,

MT53B384M64D4TP-062 XT ES:B

частина: 1691

Тип пам'яті: Volatile, Формат пам'яті: DRAM, Технологія: SDRAM - Mobile LPDDR4, Обсяг пам'яті: 24Gb (384M x 64), Тактова частота: 1600MHz,

MT29F256G08CMCABH2-12Z:A

частина: 5244

Тип пам'яті: Non-Volatile, Формат пам'яті: FLASH, Технологія: FLASH - NAND, Обсяг пам'яті: 256Gb (32G x 8), Тактова частота: 83MHz,

MT53B1536M32D8QD-053 WT ES:D TR

частина: 8982

Тип пам'яті: Volatile, Формат пам'яті: DRAM, Технологія: SDRAM - Mobile LPDDR4, Обсяг пам'яті: 6Gb (1.5G x 32), Тактова частота: 1866MHz,

MT47H128M4SH-25E:H TR

частина: 758

Тип пам'яті: Volatile, Формат пам'яті: DRAM, Технологія: SDRAM - DDR2, Обсяг пам'яті: 512Mb (128M x 4), Тактова частота: 400MHz, Написати час циклу - Слово, Сторінка: 15ns,

MT53D768M64D8WF-053 WT ES:D

частина: 6942

Тип пам'яті: Volatile, Формат пам'яті: DRAM, Технологія: SDRAM - Mobile LPDDR4, Обсяг пам'яті: 48Gb (768M x 64), Тактова частота: 1866MHz,

MTFC64GAPALNA-AAT ES TR

частина: 528

MT29TZZZAD8DKKBT-107 W.9F8

частина: 5522

MT47H256M8EB-25E AIT:C TR

частина: 3327

Тип пам'яті: Volatile, Формат пам'яті: DRAM, Технологія: SDRAM - DDR2, Обсяг пам'яті: 2Gb (256M x 8), Тактова частота: 400MHz, Написати час циклу - Слово, Сторінка: 15ns,

MT53B192M32D1SG-062 WT ES:A

частина: 1435

Тип пам'яті: Volatile, Формат пам'яті: DRAM, Технологія: SDRAM - Mobile LPDDR4, Обсяг пам'яті: 6Gb (192M x 32), Тактова частота: 1600MHz,

MT25TL256HBA8ESF-0AAT

частина: 1321

Тип пам'яті: Non-Volatile, Формат пам'яті: FLASH, Технологія: FLASH - NOR, Обсяг пам'яті: 256Mb (32M x 8), Тактова частота: 133MHz, Написати час циклу - Слово, Сторінка: 8ms, 2.8ms,

MT53B1G64D8NW-062 WT:D

частина: 1449

MT53D512M64D4CR-053 WT:D TR

частина: 3487

Тип пам'яті: Volatile, Формат пам'яті: DRAM, Технологія: SDRAM - Mobile LPDDR4, Обсяг пам'яті: 32Gb (512M x 64), Тактова частота: 1866MHz,

MT47H128M16RT-25E AAT:C TR

частина: 3091

Тип пам'яті: Volatile, Формат пам'яті: DRAM, Технологія: SDRAM - DDR2, Обсяг пам'яті: 2Gb (128M x 16), Тактова частота: 400MHz, Написати час циклу - Слово, Сторінка: 15ns,

MT29GZ5A5BPGGA-53IT.87J TR

частина: 3097

Тип пам'яті: Non-Volatile, Формат пам'яті: FLASH, RAM, Технологія: FLASH - NAND, DRAM - LPDDR4, Обсяг пам'яті: 4Gb (512M x 8)(NAND), 4G (128M x 32)(LPDDR4), Тактова частота: 1866MHz,

MT53D4DCSB-DC TR

частина: 9343

MT29F256G08CMCDBJ5-6R:D

частина: 4268

Тип пам'яті: Non-Volatile, Формат пам'яті: FLASH, Технологія: FLASH - NAND, Обсяг пам'яті: 256Gb (32G x 8), Тактова частота: 167MHz,

MT53B2G32D8QD-062 WT:D

частина: 1651

MTFC32GAKAEJP-5M AIT

частина: 2449

Тип пам'яті: Non-Volatile, Формат пам'яті: FLASH, Технологія: FLASH - NAND, Обсяг пам'яті: 256Gb (32G x 8),

MT35XU256ABA2G12-0AAT TR

частина: 3626

Тип пам'яті: Non-Volatile, Формат пам'яті: FLASH, Технологія: FLASH - NOR, Обсяг пам'яті: 256Mb (32M x 8), Тактова частота: 200MHz,