Пам'ять

MT29C1G12MAAJVAMD-5 IT

частина: 1049

MT53D1G64D8NW-062 WT ES:D TR

частина: 3329

MT49H32M9SJ-25:B

частина: 3253

Тип пам'яті: Volatile, Формат пам'яті: DRAM, Технологія: DRAM, Обсяг пам'яті: 288Mb (32M x 9), Тактова частота: 400MHz,

MTFC16GAKAEEF-AIT TR

частина: 4301

Тип пам'яті: Non-Volatile, Формат пам'яті: FLASH, Технологія: FLASH - NAND, Обсяг пам'яті: 128Gb (16G x 8),

MT53D8DBWF-DC

частина: 2337

Тип пам'яті: Volatile, Формат пам'яті: DRAM, Технологія: SDRAM - Mobile LPDDR4,

MT29F1G01ABAFDM78A3WC1

частина: 4274

MT35XU512ABA1G12-0AAT TR

частина: 3693

Тип пам'яті: Non-Volatile, Формат пам'яті: FLASH, Технологія: FLASH - NOR, Обсяг пам'яті: 512Mb (64M x 8), Тактова частота: 200MHz,

MT29F128G08CECGBJ4-37R:G TR

частина: 839

Тип пам'яті: Non-Volatile, Формат пам'яті: FLASH, Технологія: FLASH - NAND, Обсяг пам'яті: 128Gb (16G x 8),

MT25QU02GCBB8E12-0SIT

частина: 1136

Тип пам'яті: Non-Volatile, Формат пам'яті: FLASH, Технологія: FLASH - NOR, Обсяг пам'яті: 2Gb (256M x 8), Тактова частота: 133MHz, Написати час циклу - Слово, Сторінка: 8ms, 2.8ms,

MTFC32GAPALNA-AIT ES TR

частина: 417

Тип пам'яті: Non-Volatile, Формат пам'яті: FLASH, Технологія: FLASH - NAND, Обсяг пам'яті: 256Gb (32G x 8),

MT53D1G64D8NW-062 WT:D TR

частина: 2807

MT53D1G64D8NZ-046 WT ES:E

частина: 6014

Тип пам'яті: Volatile, Формат пам'яті: DRAM, Технологія: SDRAM - Mobile LPDDR4, Обсяг пам'яті: 64Gb (1G x 64), Тактова частота: 2133MHz,

MT49H8M36SJ-25:B TR

частина: 3271

Тип пам'яті: Volatile, Формат пам'яті: DRAM, Технологія: DRAM, Обсяг пам'яті: 288Mb (8M x 36), Тактова частота: 400MHz,

MT29F256G08EBHAFJ4-3RES:A

частина: 5297

Тип пам'яті: Non-Volatile, Формат пам'яті: FLASH, Технологія: FLASH - NAND, Обсяг пам'яті: 256Gb (32G x 8), Тактова частота: 333MHz,

MT53B384M32D2NK-062 WT ES:B TR

частина: 2669

Тип пам'яті: Volatile, Формат пам'яті: DRAM, Технологія: SDRAM - Mobile LPDDR4, Обсяг пам'яті: 12Gb (384M x 32), Тактова частота: 1600MHz,

MT35XU256ABA2G12-0AAT

частина: 1309

Тип пам'яті: Non-Volatile, Формат пам'яті: FLASH, Технологія: FLASH - NOR, Обсяг пам'яті: 256Mb (32M x 8), Тактова частота: 200MHz,

MT53D1024M32D4BD-053 WT ES:D

частина: 5995

Тип пам'яті: Volatile, Формат пам'яті: DRAM, Технологія: SDRAM - Mobile LPDDR4, Обсяг пам'яті: 32Gb (1G x 32), Тактова частота: 1866MHz,

MTFC8GAMALNA-AIT TR

частина: 2995

Тип пам'яті: Non-Volatile, Формат пам'яті: FLASH, Технологія: FLASH - NAND, Обсяг пам'яті: 64Gb (8G x 8),

MT53D512M32D2NP-046 AAT ES:D

частина: 2246

Тип пам'яті: Volatile, Формат пам'яті: DRAM, Технологія: SDRAM - Mobile LPDDR4, Обсяг пам'яті: 16Gb (512M x 32), Тактова частота: 2133MHz,

MT53B2G32D8QD-062 WT ES:D

частина: 1546

MT53B256M32D1Z91MWC1

частина: 8232

MT53B512M64D4PV-053 WT ES:C

частина: 1848

Тип пам'яті: Volatile, Формат пам'яті: DRAM, Технологія: SDRAM - Mobile LPDDR4, Обсяг пам'яті: 32Gb (512M x 64), Тактова частота: 1866MHz,

MT29F256G08EBHAFB16A3WTA

частина: 8035

MTFC32GAKAEJP-AIT TR

частина: 2945

Тип пам'яті: Non-Volatile, Формат пам'яті: FLASH, Технологія: FLASH - NAND, Обсяг пам'яті: 256Gb (32G x 8),

MTFC32GAMAKAM-WT ES

частина: 2467

Тип пам'яті: Non-Volatile, Формат пам'яті: FLASH, Технологія: FLASH - NAND, Обсяг пам'яті: 256Gb (32G x 8),

MTFC32GAKAEJP-AIT

частина: 2491

Тип пам'яті: Non-Volatile, Формат пам'яті: FLASH, Технологія: FLASH - NAND, Обсяг пам'яті: 256Gb (32G x 8),

MT53D2G32D8QD-046 WT ES:E

частина: 6089

MTFC64GAPALNA-AAT

частина: 3772

MT53D512M64D4NZ-046 WT ES:E

частина: 6741

Тип пам'яті: Volatile, Формат пам'яті: DRAM, Технологія: SDRAM - Mobile LPDDR4, Обсяг пам'яті: 32Gb (512M x 64), Тактова частота: 2133MHz,

MTFC16GAKAEDQ-AIT TR

частина: 38

Тип пам'яті: Non-Volatile, Формат пам'яті: FLASH, Технологія: FLASH - NAND, Обсяг пам'яті: 128Gb (16G x 8),

ECF620AAACN-C1-Y3

частина: 7859

MT28EW512ABA1HPC-1SIT TR

частина: 4825

Тип пам'яті: Non-Volatile, Формат пам'яті: FLASH, Технологія: FLASH - NOR, Обсяг пам'яті: 512Mb (64M x 8, 32M x 16), Написати час циклу - Слово, Сторінка: 60ns,

MT53B4DCNY-DC

частина: 5894

Тип пам'яті: Volatile, Формат пам'яті: DRAM, Технологія: SDRAM - Mobile LPDDR4,

ECF440AACCN-P2-Y3

частина: 4092

MT29F4G08ABAFAWP-AATES:F

частина: 5421

Тип пам'яті: Non-Volatile, Формат пам'яті: FLASH, Технологія: FLASH - NAND, Обсяг пам'яті: 4Gb (512M x 8),

MT53D4D1ASQ-DC

частина: 6247