Menu
УКРАЇНАУКРАЇНА
Rfq / замовлення
0Rfq / замовлення

Пам'ять

IS42VM16800H-6BLI-TR
ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

IS42VM16800H-6BLI-TR

частина: 14667

Тип пам'яті: Volatile, Формат пам'яті: DRAM, Технологія: SDRAM - Mobile, Обсяг пам'яті: 128Mb (8M x 16), Тактова частота: 166MHz,

Список побажань
IS42VM16800H-75BLI
ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

IS42VM16800H-75BLI

частина: 13525

Тип пам'яті: Volatile, Формат пам'яті: DRAM, Технологія: SDRAM - Mobile, Обсяг пам'яті: 128Mb (8M x 16), Тактова частота: 133MHz,

Список побажань
IS45S16400J-7BLA2
ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

IS45S16400J-7BLA2

частина: 13622

Тип пам'яті: Volatile, Формат пам'яті: DRAM, Технологія: SDRAM, Обсяг пам'яті: 64Mb (4M x 16), Тактова частота: 143MHz,

Список побажань
IS62WV25616EALL-55TLI
ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

IS62WV25616EALL-55TLI

частина: 14913

Тип пам'яті: Volatile, Формат пам'яті: SRAM, Технологія: SRAM - Asynchronous, Обсяг пам'яті: 4Mb (256K x 16), Написати час циклу - Слово, Сторінка: 55ns,

Список побажань
IS42S83200G-7TL
ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

IS42S83200G-7TL

частина: 12344

Тип пам'яті: Volatile, Формат пам'яті: DRAM, Технологія: SDRAM, Обсяг пам'яті: 256Mb (32M x 8), Тактова частота: 143MHz,

Список побажань
IS61LV12816L-10TI
ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

IS61LV12816L-10TI

частина: 15752

Тип пам'яті: Volatile, Формат пам'яті: SRAM, Технологія: SRAM - Asynchronous, Обсяг пам'яті: 2Mb (128K x 16), Написати час циклу - Слово, Сторінка: 10ns,

Список побажань
IS45S32200L-6TLA2-TR
ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

IS45S32200L-6TLA2-TR

частина: 15279

Тип пам'яті: Volatile, Формат пам'яті: DRAM, Технологія: SDRAM, Обсяг пам'яті: 64Mb (2M x 32), Тактова частота: 166MHz,

Список побажань
IS62WV25616EALL-55BLI-TR
ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

IS62WV25616EALL-55BLI-TR

частина: 16164

Тип пам'яті: Volatile, Формат пам'яті: SRAM, Технологія: SRAM - Asynchronous, Обсяг пам'яті: 4Mb (256K x 16), Написати час циклу - Слово, Сторінка: 55ns,

Список побажань
IS61LV5128AL-10TLI
ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

IS61LV5128AL-10TLI

частина: 17173

Тип пам'яті: Volatile, Формат пам'яті: SRAM, Технологія: SRAM - Asynchronous, Обсяг пам'яті: 4Mb (512K x 8), Написати час циклу - Слово, Сторінка: 10ns,

Список побажань
IS45S32400F-7BLA1-TR
ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

IS45S32400F-7BLA1-TR

частина: 13696

Тип пам'яті: Volatile, Формат пам'яті: DRAM, Технологія: SDRAM, Обсяг пам'яті: 128Mb (4M x 32), Тактова частота: 143MHz,

Список побажань
IS43DR81280C-25DBL
ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

IS43DR81280C-25DBL

частина: 14461

Тип пам'яті: Volatile, Формат пам'яті: DRAM, Технологія: SDRAM - DDR2, Обсяг пам'яті: 1Gb (128M x 8), Тактова частота: 400MHz, Написати час циклу - Слово, Сторінка: 15ns,

Список побажань
IS43LR32400G-6BLI-TR
ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

IS43LR32400G-6BLI-TR

частина: 13291

Тип пам'яті: Volatile, Формат пам'яті: DRAM, Технологія: SDRAM - Mobile LPDDR, Обсяг пам'яті: 128Mb (4M x 32), Тактова частота: 166MHz, Написати час циклу - Слово, Сторінка: 15ns,

Список побажань
IS43R83200D-6TL
ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

IS43R83200D-6TL

частина: 12539

Тип пам'яті: Volatile, Формат пам'яті: DRAM, Технологія: SDRAM - DDR, Обсяг пам'яті: 256Mb (32M x 8), Тактова частота: 166MHz, Написати час циклу - Слово, Сторінка: 15ns,

Список побажань
IS42S32400F-7TLI-TR
ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

IS42S32400F-7TLI-TR

частина: 15026

Тип пам'яті: Volatile, Формат пам'яті: DRAM, Технологія: SDRAM, Обсяг пам'яті: 128Mb (4M x 32), Тактова частота: 143MHz,

Список побажань
IS66WVE4M16TBLL-70BLI
ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

IS66WVE4M16TBLL-70BLI

частина: 110

Тип пам'яті: Volatile, Формат пам'яті: PSRAM, Технологія: PSRAM (Pseudo SRAM), Обсяг пам'яті: 64Mb (4M x 16), Написати час циклу - Слово, Сторінка: 70ns,

Список побажань
IS62WV51216EBLL-45TLI-TR
ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

IS62WV51216EBLL-45TLI-TR

частина: 16168

Тип пам'яті: Volatile, Формат пам'яті: SRAM, Технологія: SRAM - Asynchronous, Обсяг пам'яті: 8Mb (512K x 16), Написати час циклу - Слово, Сторінка: 45ns,

Список побажань
IS42SM16800H-75BLI-TR
ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

IS42SM16800H-75BLI-TR

частина: 14905

Тип пам'яті: Volatile, Формат пам'яті: DRAM, Технологія: SDRAM - Mobile, Обсяг пам'яті: 128Mb (8M x 16), Тактова частота: 133MHz,

Список побажань
IS43DR16320C-3DBL
ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

IS43DR16320C-3DBL

частина: 13500

Тип пам'яті: Volatile, Формат пам'яті: DRAM, Технологія: SDRAM - DDR2, Обсяг пам'яті: 512Mb (32M x 16), Тактова частота: 333MHz, Написати час циклу - Слово, Сторінка: 15ns,

Список побажань
IS43R83200D-6TL-TR
ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

IS43R83200D-6TL-TR

частина: 13711

Тип пам'яті: Volatile, Формат пам'яті: DRAM, Технологія: SDRAM - DDR, Обсяг пам'яті: 256Mb (32M x 8), Тактова частота: 166MHz, Написати час циклу - Слово, Сторінка: 15ns,

Список побажань
IS42S32400F-6TLI
ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

IS42S32400F-6TLI

частина: 12766

Тип пам'яті: Volatile, Формат пам'яті: DRAM, Технологія: SDRAM, Обсяг пам'яті: 128Mb (4M x 32), Тактова частота: 166MHz,

Список побажань
IS45S16800F-7BLA1
ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

IS45S16800F-7BLA1

частина: 13441

Тип пам'яті: Volatile, Формат пам'яті: DRAM, Технологія: SDRAM, Обсяг пам'яті: 128Mb (8M x 16), Тактова частота: 143MHz,

Список побажань
IS62WV51216EFBLL-45TLI
ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

IS62WV51216EFBLL-45TLI

частина: 121

Тип пам'яті: Volatile, Формат пам'яті: SRAM, Технологія: SRAM - Asynchronous, Обсяг пам'яті: 8Mb (512K x 16), Написати час циклу - Слово, Сторінка: 55ns,

Список побажань
IS46DR16320E-25DBLA1-TR
ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

IS46DR16320E-25DBLA1-TR

частина: 71

Тип пам'яті: Volatile, Формат пам'яті: DRAM, Технологія: SDRAM - DDR2, Обсяг пам'яті: 512Mb (32M x 16), Тактова частота: 400MHz, Написати час циклу - Слово, Сторінка: 15ns,

Список побажань
IS25WP256D-JMLE
ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

IS25WP256D-JMLE

частина: 2901

Тип пам'яті: Non-Volatile, Формат пам'яті: FLASH, Технологія: FLASH - NOR, Обсяг пам'яті: 256Mb (32M x 8), Тактова частота: 104MHz, Написати час циклу - Слово, Сторінка: 800µs,

Список побажань
IS61LV25616AL-10TLI
ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

IS61LV25616AL-10TLI

частина: 15676

Тип пам'яті: Volatile, Формат пам'яті: SRAM, Технологія: SRAM - Asynchronous, Обсяг пам'яті: 4Mb (256K x 16), Написати час циклу - Слово, Сторінка: 10ns,

Список побажань
IS42S83200G-7TL-TR
ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

IS42S83200G-7TL-TR

частина: 13333

Тип пам'яті: Volatile, Формат пам'яті: DRAM, Технологія: SDRAM, Обсяг пам'яті: 256Mb (32M x 8), Тактова частота: 143MHz,

Список побажань
IS45S16160G-7TLA1-TR
ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

IS45S16160G-7TLA1-TR

частина: 13131

Тип пам'яті: Volatile, Формат пам'яті: DRAM, Технологія: SDRAM, Обсяг пам'яті: 256Mb (16M x 16), Тактова частота: 143MHz,

Список побажань
IS42VM32400H-6BLI-TR
ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

IS42VM32400H-6BLI-TR

частина: 13597

Тип пам'яті: Volatile, Формат пам'яті: DRAM, Технологія: SDRAM - Mobile, Обсяг пам'яті: 128Mb (4M x 32), Тактова частота: 166MHz,

Список побажань
IS61LV25616AL-10BLI
ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

IS61LV25616AL-10BLI

частина: 15308

Тип пам'яті: Volatile, Формат пам'яті: SRAM, Технологія: SRAM - Asynchronous, Обсяг пам'яті: 4Mb (256K x 16), Написати час циклу - Слово, Сторінка: 10ns,

Список побажань
IS43R86400D-6TL
ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

IS43R86400D-6TL

частина: 15101

Тип пам'яті: Volatile, Формат пам'яті: DRAM, Технологія: SDRAM - DDR, Обсяг пам'яті: 512Mb (64M x 8), Тактова частота: 166MHz, Написати час циклу - Слово, Сторінка: 15ns,

Список побажань
IS43DR16640B-3DBL
ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

IS43DR16640B-3DBL

частина: 14418

Тип пам'яті: Volatile, Формат пам'яті: DRAM, Технологія: SDRAM - DDR2, Обсяг пам'яті: 1Gb (64M x 16), Тактова частота: 333MHz, Написати час циклу - Слово, Сторінка: 15ns,

Список побажань
IS43LR16800G-6BLI-TR
ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

IS43LR16800G-6BLI-TR

частина: 14548

Тип пам'яті: Volatile, Формат пам'яті: DRAM, Технологія: SDRAM - Mobile LPDDR, Обсяг пам'яті: 128Mb (8M x 16), Тактова частота: 166MHz, Написати час циклу - Слово, Сторінка: 15ns,

Список побажань
IS37SML01G1-LLI
ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

IS37SML01G1-LLI

частина: 159

Тип пам'яті: Non-Volatile, Формат пам'яті: FLASH, Технологія: FLASH - NAND (SLC), Обсяг пам'яті: 1Gb (128M x 8), Тактова частота: 104MHz,

Список побажань
IS62WV25616EALL-55TLI-TR
ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

IS62WV25616EALL-55TLI-TR

частина: 16721

Тип пам'яті: Volatile, Формат пам'яті: SRAM, Технологія: SRAM - Asynchronous, Обсяг пам'яті: 4Mb (256K x 16), Написати час циклу - Слово, Сторінка: 55ns,

Список побажань
IS46R16160F-6TLA1-TR
ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

IS46R16160F-6TLA1-TR

частина: 15031

Тип пам'яті: Volatile, Формат пам'яті: DRAM, Технологія: SDRAM - DDR, Обсяг пам'яті: 256Mb (16M x 16), Тактова частота: 166MHz, Написати час циклу - Слово, Сторінка: 15ns,

Список побажань
IS45S16400J-6BLA2
ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

IS45S16400J-6BLA2

частина: 12899

Тип пам'яті: Volatile, Формат пам'яті: DRAM, Технологія: SDRAM, Обсяг пам'яті: 64Mb (4M x 16), Тактова частота: 166MHz,

Список побажань