Пам'ять | Інтегральні схеми (ІС) | 100

IS66WVH8M8ALL-166B1LI

частина: 15701

Тип пам'яті: Volatile, Формат пам'яті: PSRAM, Технологія: PSRAM (Pseudo SRAM), Обсяг пам'яті: 64Mb (8M x 8), Тактова частота: 166MHz, Написати час циклу - Слово, Сторінка: 36ns,

Список побажань

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

IS25WP256D-RMLE

частина: 197

Тип пам'яті: Non-Volatile, Формат пам'яті: FLASH, Технологія: FLASH - NOR, Обсяг пам'яті: 256Mb (32M x 8), Тактова частота: 104MHz, Написати час циклу - Слово, Сторінка: 800µs,

Список побажань

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

IS66WVE2M16EALL-70BLI-TR

частина: 19681

Тип пам'яті: Volatile, Формат пам'яті: PSRAM, Технологія: PSRAM (Pseudo SRAM), Обсяг пам'яті: 32Mb (2M x 16), Написати час циклу - Слово, Сторінка: 70ns,

Список побажань

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

IS62WV51216EFBLL-45BLI-TR

частина: 90

Тип пам'яті: Volatile, Формат пам'яті: SRAM, Технологія: SRAM - Asynchronous, Обсяг пам'яті: 8Mb (512K x 16), Написати час циклу - Слово, Сторінка: 55ns,

Список побажань

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

IS41LV16105D-50TLI

частина: 148

Тип пам'яті: Volatile, Формат пам'яті: DRAM, Технологія: DRAM - FP, Обсяг пам'яті: 16Mb (1M x 16),

Список побажань

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

IS43R32400E-4BL-TR

частина: 11128

Тип пам'яті: Volatile, Формат пам'яті: DRAM, Технологія: SDRAM - DDR, Обсяг пам'яті: 128Mb (4M x 32), Тактова частота: 250MHz, Написати час циклу - Слово, Сторінка: 16ns,

Список побажань

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

IS45S16800F-7CTLA1-TR

частина: 13035

Тип пам'яті: Volatile, Формат пам'яті: DRAM, Технологія: SDRAM, Обсяг пам'яті: 128Mb (8M x 16), Тактова частота: 143MHz,

Список побажань

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

IS46R16160F-5TLA1

частина: 13042

Тип пам'яті: Volatile, Формат пам'яті: DRAM, Технологія: SDRAM - DDR, Обсяг пам'яті: 256Mb (16M x 16), Тактова частота: 200MHz, Написати час циклу - Слово, Сторінка: 15ns,

Список побажань

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

IS43DR86400C-3DBL

частина: 14969

Тип пам'яті: Volatile, Формат пам'яті: DRAM, Технологія: SDRAM - DDR2, Обсяг пам'яті: 512Mb (64M x 8), Тактова частота: 333MHz, Написати час циклу - Слово, Сторінка: 15ns,

Список побажань

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

IS37SML01G1-MLI

частина: 146

Тип пам'яті: Non-Volatile, Формат пам'яті: FLASH, Технологія: FLASH - NAND (SLC), Обсяг пам'яті: 1Gb (128M x 8), Тактова частота: 104MHz,

Список побажань

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

IS42S32400F-6BL

частина: 14310

Тип пам'яті: Volatile, Формат пам'яті: DRAM, Технологія: SDRAM, Обсяг пам'яті: 128Mb (4M x 32), Тактова частота: 166MHz,

Список побажань

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

IS42RM16800H-6BLI

частина: 12483

Тип пам'яті: Volatile, Формат пам'яті: DRAM, Технологія: SDRAM - Mobile, Обсяг пам'яті: 128Mb (8M x 16), Тактова частота: 166MHz,

Список побажань

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

IS25WP256D-RHLE

частина: 3051

Тип пам'яті: Non-Volatile, Формат пам'яті: FLASH, Технологія: FLASH - NOR, Обсяг пам'яті: 256Mb (32M x 8), Тактова частота: 104MHz, Написати час циклу - Слово, Сторінка: 800µs,

Список побажань

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

IS42S16800F-5TLI

частина: 15024

Тип пам'яті: Volatile, Формат пам'яті: DRAM, Технологія: SDRAM, Обсяг пам'яті: 128Mb (8M x 16), Тактова частота: 200MHz,

Список побажань

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

IS42S16160G-7BLI

частина: 17847

Тип пам'яті: Volatile, Формат пам'яті: DRAM, Технологія: SDRAM, Обсяг пам'яті: 256Mb (16M x 16), Тактова частота: 143MHz,

Список побажань

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

IS66WVE2M16ECLL-70BLI

частина: 16372

Тип пам'яті: Volatile, Формат пам'яті: PSRAM, Технологія: PSRAM (Pseudo SRAM), Обсяг пам'яті: 32Mb (2M x 16), Написати час циклу - Слово, Сторінка: 70ns,

Список побажань

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

IS45S16800F-6CTLA1-TR

частина: 14154

Тип пам'яті: Volatile, Формат пам'яті: DRAM, Технологія: SDRAM, Обсяг пам'яті: 128Mb (8M x 16), Тактова частота: 166MHz,

Список побажань

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

IS61WV25616BLL-10KLI

частина: 18918

Тип пам'яті: Volatile, Формат пам'яті: SRAM, Технологія: SRAM - Asynchronous, Обсяг пам'яті: 4Mb (256K x 16), Написати час циклу - Слово, Сторінка: 10ns,

Список побажань

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

IS43R16320D-6TL

частина: 15048

Тип пам'яті: Volatile, Формат пам'яті: DRAM, Технологія: SDRAM - DDR, Обсяг пам'яті: 512Mb (32M x 16), Тактова частота: 166MHz, Написати час циклу - Слово, Сторінка: 15ns,

Список побажань

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

IS43R32400E-5BLI-TR

частина: 11300

Тип пам'яті: Volatile, Формат пам'яті: DRAM, Технологія: SDRAM - DDR, Обсяг пам'яті: 128Mb (4M x 32), Тактова частота: 200MHz, Написати час циклу - Слово, Сторінка: 15ns,

Список побажань

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

IS45S32400F-7TLA2

частина: 12340

Тип пам'яті: Volatile, Формат пам'яті: DRAM, Технологія: SDRAM, Обсяг пам'яті: 128Mb (4M x 32), Тактова частота: 143MHz,

Список побажань

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

IS61LP6432A-133TQLI-TR

частина: 14609

Тип пам'яті: Volatile, Формат пам'яті: SRAM, Технологія: SRAM - Synchronous, Обсяг пам'яті: 2Mb (64K x 32), Тактова частота: 133MHz,

Список побажань

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

IS61LV12816L-10TI-TR

частина: 17509

Тип пам'яті: Volatile, Формат пам'яті: SRAM, Технологія: SRAM - Asynchronous, Обсяг пам'яті: 2Mb (128K x 16), Написати час циклу - Слово, Сторінка: 10ns,

Список побажань

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

IS62C25616EL-45TLI

частина: 119

Тип пам'яті: Volatile, Формат пам'яті: SRAM, Технологія: SRAM - Asynchronous, Обсяг пам'яті: 4Mb (256K x 16), Написати час циклу - Слово, Сторінка: 45ns,

Список побажань

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

IS42VM16800H-6BLI

частина: 12965

Тип пам'яті: Volatile, Формат пам'яті: DRAM, Технологія: SDRAM - Mobile, Обсяг пам'яті: 128Mb (8M x 16), Тактова частота: 166MHz,

Список побажань

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

IS45S16160J-6BLA1-TR

частина: 14482

Тип пам'яті: Volatile, Формат пам'яті: DRAM, Технологія: SDRAM, Обсяг пам'яті: 256Mb (16M x 16), Тактова частота: 166MHz,

Список побажань

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

IS65WV12816BLL-55TLA3

частина: 16958

Тип пам'яті: Volatile, Формат пам'яті: SRAM, Технологія: SRAM - Asynchronous, Обсяг пам'яті: 2Mb (128K x 16), Написати час циклу - Слово, Сторінка: 55ns,

Список побажань

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

IS61LF6436A-8.5TQLI-TR

частина: 14513

Тип пам'яті: Volatile, Формат пам'яті: SRAM, Технологія: SRAM - Synchronous, Обсяг пам'яті: 2Mb (64K x 36), Тактова частота: 90MHz,

Список побажань

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

IS43R16160F-6BLI-TR

частина: 12864

Тип пам'яті: Volatile, Формат пам'яті: DRAM, Технологія: SDRAM - DDR, Обсяг пам'яті: 256Mb (16M x 16), Тактова частота: 166MHz, Написати час циклу - Слово, Сторінка: 15ns,

Список побажань

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

IS42SM16800H-6BLI

частина: 12529

Тип пам'яті: Volatile, Формат пам'яті: DRAM, Технологія: SDRAM - Mobile, Обсяг пам'яті: 128Mb (8M x 16), Тактова частота: 166MHz,

Список побажань

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

IS43DR16640B-3DBL-TR

частина: 20256

Тип пам'яті: Volatile, Формат пам'яті: DRAM, Технологія: SDRAM - DDR2, Обсяг пам'яті: 1Gb (64M x 16), Тактова частота: 333MHz, Написати час циклу - Слово, Сторінка: 15ns,

Список побажань

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

IS66WVH8M8BLL-100B1LI-TR

частина: 98

Тип пам'яті: Volatile, Формат пам'яті: PSRAM, Технологія: PSRAM (Pseudo SRAM), Обсяг пам'яті: 64Mb (8M x 8), Тактова частота: 100MHz, Написати час циклу - Слово, Сторінка: 40ns,

Список побажань

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

IS61WV25616EDBLL-10BLI

частина: 22968

Тип пам'яті: Volatile, Формат пам'яті: SRAM, Технологія: SRAM - Asynchronous, Обсяг пам'яті: 4Mb (256K x 16), Написати час циклу - Слово, Сторінка: 10ns,

Список побажань

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

IS43TR16128CL-125KBL-TR

частина: 17838

Тип пам'яті: Volatile, Формат пам'яті: DRAM, Технологія: SDRAM - DDR3L, Обсяг пам'яті: 2Gb (128M x 16), Тактова частота: 800MHz, Написати час циклу - Слово, Сторінка: 15ns,

Список побажань

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

IS42S32400F-6TL

частина: 17143

Тип пам'яті: Volatile, Формат пам'яті: DRAM, Технологія: SDRAM, Обсяг пам'яті: 128Mb (4M x 32), Тактова частота: 166MHz,

Список побажань

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

IS43LR32100D-6BLI

частина: 18481

Тип пам'яті: Volatile, Формат пам'яті: DRAM, Технологія: SDRAM - Mobile LPDDR, Обсяг пам'яті: 32Mb (1M x 32), Тактова частота: 166MHz, Написати час циклу - Слово, Сторінка: 15ns,

Список побажань