Menu
УКРАЇНАУКРАЇНА
Rfq / замовлення
0Rfq / замовлення

Пам'ять

IS43LR32400G-6BL
ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

IS43LR32400G-6BL

частина: 12816

Тип пам'яті: Volatile, Формат пам'яті: DRAM, Технологія: SDRAM - Mobile LPDDR, Обсяг пам'яті: 128Mb (4M x 32), Тактова частота: 166MHz, Написати час циклу - Слово, Сторінка: 15ns,

Список побажань
IS61LV12816L-10LQLI-TR
ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

IS61LV12816L-10LQLI-TR

частина: 18537

Тип пам'яті: Volatile, Формат пам'яті: SRAM, Технологія: SRAM - Asynchronous, Обсяг пам'яті: 2Mb (128K x 16), Написати час циклу - Слово, Сторінка: 10ns,

Список побажань
IS45S16800F-7TLA2
ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

IS45S16800F-7TLA2

частина: 13888

Тип пам'яті: Volatile, Формат пам'яті: DRAM, Технологія: SDRAM, Обсяг пам'яті: 128Mb (8M x 16), Тактова частота: 143MHz,

Список побажань
IS61WV2568EDBLL-10KLI-TR
ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

IS61WV2568EDBLL-10KLI-TR

частина: 17384

Тип пам'яті: Volatile, Формат пам'яті: SRAM, Технологія: SRAM - Asynchronous, Обсяг пам'яті: 2Mb (256K x 8), Написати час циклу - Слово, Сторінка: 10ns,

Список побажань
IS45S32200L-6BLA1-TR
ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

IS45S32200L-6BLA1-TR

частина: 15319

Тип пам'яті: Volatile, Формат пам'яті: DRAM, Технологія: SDRAM, Обсяг пам'яті: 64Mb (2M x 32), Тактова частота: 166MHz,

Список побажань
IS61C5128AS-25TLI
ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

IS61C5128AS-25TLI

частина: 16353

Тип пам'яті: Volatile, Формат пам'яті: SRAM, Технологія: SRAM - Asynchronous, Обсяг пам'яті: 4Mb (512K x 8), Написати час циклу - Слово, Сторінка: 25ns,

Список побажань
IS42S83200J-7TLI
ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

IS42S83200J-7TLI

частина: 12873

Тип пам'яті: Volatile, Формат пам'яті: DRAM, Технологія: SDRAM, Обсяг пам'яті: 256Mb (32M x 8), Тактова частота: 143MHz,

Список побажань
IS61WV2568EDBLL-10TLI
ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

IS61WV2568EDBLL-10TLI

частина: 18147

Тип пам'яті: Volatile, Формат пам'яті: SRAM, Технологія: SRAM - Asynchronous, Обсяг пам'яті: 2Mb (256K x 8), Написати час циклу - Слово, Сторінка: 10ns,

Список побажань
IS45S32200L-6TLA2
ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

IS45S32200L-6TLA2

частина: 13992

Тип пам'яті: Volatile, Формат пам'яті: DRAM, Технологія: SDRAM, Обсяг пам'яті: 64Mb (2M x 32), Тактова частота: 166MHz,

Список побажань
IS66WVE4M16ALL-70BLI-TR
ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

IS66WVE4M16ALL-70BLI-TR

частина: 19216

Тип пам'яті: Volatile, Формат пам'яті: PSRAM, Технологія: PSRAM (Pseudo SRAM), Обсяг пам'яті: 64Mb (4M x 16), Написати час циклу - Слово, Сторінка: 70ns,

Список побажань
IS43DR16160B-25DBLI
ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

IS43DR16160B-25DBLI

частина: 11753

Тип пам'яті: Volatile, Формат пам'яті: DRAM, Технологія: SDRAM - DDR2, Обсяг пам'яті: 256Mb (16M x 16), Тактова частота: 400MHz, Написати час циклу - Слово, Сторінка: 15ns,

Список побажань
IS45S16160J-6CTLA1
ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

IS45S16160J-6CTLA1

частина: 12977

Тип пам'яті: Volatile, Формат пам'яті: DRAM, Технологія: SDRAM, Обсяг пам'яті: 256Mb (16M x 16), Тактова частота: 166MHz,

Список побажань
IS66WVH16M8BLL-100B1LI-TR
ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

IS66WVH16M8BLL-100B1LI-TR

частина: 116

Тип пам'яті: Volatile, Формат пам'яті: PSRAM, Технологія: PSRAM (Pseudo SRAM), Обсяг пам'яті: 128Mb (16M x 8), Тактова частота: 100MHz, Написати час циклу - Слово, Сторінка: 40ns,

Список побажань
IS43R86400D-5TL
ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

IS43R86400D-5TL

частина: 14184

Тип пам'яті: Volatile, Формат пам'яті: DRAM, Технологія: SDRAM - DDR, Обсяг пам'яті: 512Mb (64M x 8), Тактова частота: 200MHz, Написати час циклу - Слово, Сторінка: 15ns,

Список побажань
IS45S16800F-7BLA1-TR
ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

IS45S16800F-7BLA1-TR

частина: 15040

Тип пам'яті: Volatile, Формат пам'яті: DRAM, Технологія: SDRAM, Обсяг пам'яті: 128Mb (8M x 16), Тактова частота: 143MHz,

Список побажань
IS43TR82560B-15HBL-TR
ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

IS43TR82560B-15HBL-TR

частина: 17456

Тип пам'яті: Volatile, Формат пам'яті: DRAM, Технологія: SDRAM - DDR3, Обсяг пам'яті: 2Gb (256M x 8), Тактова частота: 667MHz, Написати час циклу - Слово, Сторінка: 15ns,

Список побажань
IS43DR16640C-3DBLI-TR
ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

IS43DR16640C-3DBLI-TR

частина: 122

Тип пам'яті: Volatile, Формат пам'яті: DRAM, Технологія: SDRAM - DDR2, Обсяг пам'яті: 1Gb (64M x 16), Тактова частота: 333MHz, Написати час циклу - Слово, Сторінка: 15ns,

Список побажань
IS42S32400F-7TLI
ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

IS42S32400F-7TLI

частина: 13830

Тип пам'яті: Volatile, Формат пам'яті: DRAM, Технологія: SDRAM, Обсяг пам'яті: 128Mb (4M x 32), Тактова частота: 143MHz,

Список побажань
IS43DR16640C-25DBL
ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

IS43DR16640C-25DBL

частина: 15602

Тип пам'яті: Volatile, Формат пам'яті: DRAM, Технологія: SDRAM - DDR2, Обсяг пам'яті: 1Gb (64M x 16), Тактова частота: 400MHz, Написати час циклу - Слово, Сторінка: 15ns,

Список побажань
IS66WVC4M16ECLL-7010BLI-TR
ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

IS66WVC4M16ECLL-7010BLI-TR

частина: 137

Тип пам'яті: Volatile, Формат пам'яті: PSRAM, Технологія: PSRAM (Pseudo SRAM), Обсяг пам'яті: 64Mb (4M x 16), Написати час циклу - Слово, Сторінка: 70ns,

Список побажань
IS43R16160D-6BL-TR
ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

IS43R16160D-6BL-TR

частина: 13759

Тип пам'яті: Volatile, Формат пам'яті: DRAM, Технологія: SDRAM - DDR, Обсяг пам'яті: 256Mb (16M x 16), Тактова частота: 166MHz, Написати час циклу - Слово, Сторінка: 15ns,

Список побажань
IS42VM16160K-75BLI-TR
ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

IS42VM16160K-75BLI-TR

частина: 12412

Тип пам'яті: Volatile, Формат пам'яті: DRAM, Технологія: SDRAM - Mobile, Обсяг пам'яті: 256Mb (16M x 16), Тактова частота: 133MHz,

Список побажань
IS45S16160J-7CTLA1-TR
ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

IS45S16160J-7CTLA1-TR

частина: 15044

Тип пам'яті: Volatile, Формат пам'яті: DRAM, Технологія: SDRAM, Обсяг пам'яті: 256Mb (16M x 16), Тактова частота: 143MHz,

Список побажань
IS61WV2568EDBLL-10BLI-TR
ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

IS61WV2568EDBLL-10BLI-TR

частина: 113

Тип пам'яті: Volatile, Формат пам'яті: SRAM, Технологія: SRAM - Asynchronous, Обсяг пам'яті: 2Mb (256K x 8), Написати час циклу - Слово, Сторінка: 10ns,

Список побажань
IS43LR32400G-6BL-TR
ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

IS43LR32400G-6BL-TR

частина: 14599

Тип пам'яті: Volatile, Формат пам'яті: DRAM, Технологія: SDRAM - Mobile LPDDR, Обсяг пам'яті: 128Mb (4M x 32), Тактова частота: 166MHz, Написати час циклу - Слово, Сторінка: 15ns,

Список побажань
IS43R86400D-5TL-TR
ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

IS43R86400D-5TL-TR

частина: 15885

Тип пам'яті: Volatile, Формат пам'яті: DRAM, Технологія: SDRAM - DDR, Обсяг пам'яті: 512Mb (64M x 8), Тактова частота: 200MHz, Написати час циклу - Слово, Сторінка: 15ns,

Список побажань
IS45S16800F-6BLA1-TR
ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

IS45S16800F-6BLA1-TR

частина: 14011

Тип пам'яті: Volatile, Формат пам'яті: DRAM, Технологія: SDRAM, Обсяг пам'яті: 128Mb (8M x 16), Тактова частота: 166MHz,

Список побажань
IS45S16160J-7BLA1
ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

IS45S16160J-7BLA1

частина: 13506

Тип пам'яті: Volatile, Формат пам'яті: DRAM, Технологія: SDRAM, Обсяг пам'яті: 256Mb (16M x 16), Тактова частота: 143MHz,

Список побажань
IS46DR16320E-25DBLA2-TR
ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

IS46DR16320E-25DBLA2-TR

частина: 94

Тип пам'яті: Volatile, Формат пам'яті: DRAM, Технологія: SDRAM - DDR2, Обсяг пам'яті: 512Mb (32M x 16), Тактова частота: 400MHz, Написати час циклу - Слово, Сторінка: 15ns,

Список побажань
IS25LP256D-RMLE
ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

IS25LP256D-RMLE

частина: 136

Тип пам'яті: Non-Volatile, Формат пам'яті: FLASH, Технологія: FLASH - NOR, Обсяг пам'яті: 256Mb (32M x 8), Тактова частота: 133MHz, Написати час циклу - Слово, Сторінка: 800µs,

Список побажань
IS25LP256D-RHLE
ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

IS25LP256D-RHLE

частина: 7033

Тип пам'яті: Non-Volatile, Формат пам'яті: FLASH, Технологія: FLASH - NOR, Обсяг пам'яті: 256Mb (32M x 8), Тактова частота: 133MHz, Написати час циклу - Слово, Сторінка: 800µs,

Список побажань
IS43DR16160B-3DBLI
ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

IS43DR16160B-3DBLI

частина: 12585

Тип пам'яті: Volatile, Формат пам'яті: DRAM, Технологія: SDRAM - DDR2, Обсяг пам'яті: 256Mb (16M x 16), Тактова частота: 333MHz, Написати час циклу - Слово, Сторінка: 15ns,

Список побажань
IS66WVE4M16ALL-70BLI
ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

IS66WVE4M16ALL-70BLI

частина: 16691

Тип пам'яті: Volatile, Формат пам'яті: PSRAM, Технологія: PSRAM (Pseudo SRAM), Обсяг пам'яті: 64Mb (4M x 16), Написати час циклу - Слово, Сторінка: 70ns,

Список побажань
IS42RM16800H-75BLI
ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

IS42RM16800H-75BLI

частина: 13181

Тип пам'яті: Volatile, Формат пам'яті: DRAM, Технологія: SDRAM - Mobile, Обсяг пам'яті: 128Mb (8M x 16), Тактова частота: 133MHz,

Список побажань
IS61WV25616BLS-25TLI
ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

IS61WV25616BLS-25TLI

частина: 18561

Тип пам'яті: Volatile, Формат пам'яті: SRAM, Технологія: SRAM - Asynchronous, Обсяг пам'яті: 4Mb (256K x 16), Написати час циклу - Слово, Сторінка: 25ns,

Список побажань
IS61C25616AS-25TLI
ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

IS61C25616AS-25TLI

частина: 18629

Тип пам'яті: Volatile, Формат пам'яті: SRAM, Технологія: SRAM - Asynchronous, Обсяг пам'яті: 4Mb (256K x 16), Написати час циклу - Слово, Сторінка: 25ns,

Список побажань