Menu
УКРАЇНАУКРАЇНА
Rfq / замовлення
0Rfq / замовлення

Пам'ять

IS43LD32640B-18BPLI
ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

IS43LD32640B-18BPLI

частина: 80

Тип пам'яті: Volatile, Формат пам'яті: DRAM, Технологія: SDRAM - Mobile LPDDR2-S4, Обсяг пам'яті: 2Gb (64M x 32), Тактова частота: 533MHz, Написати час циклу - Слово, Сторінка: 15ns,

Список побажань
IS61WV51216EDALL-20BLI
ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

IS61WV51216EDALL-20BLI

частина: 54

Тип пам'яті: Volatile, Формат пам'яті: SRAM, Технологія: SRAM - Asynchronous, Обсяг пам'яті: 8Mb (512K x 16), Написати час циклу - Слово, Сторінка: 20ns,

Список побажань
IS25WQ080-JBLE
ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

IS25WQ080-JBLE

частина: 1650

Тип пам'яті: Non-Volatile, Формат пам'яті: FLASH, Технологія: FLASH - NOR, Обсяг пам'яті: 8Mb (1M x 8), Тактова частота: 104MHz, Написати час циклу - Слово, Сторінка: 700µs,

Список побажань
IS42S16320D-6BL-TR
ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

IS42S16320D-6BL-TR

частина: 5407

Тип пам'яті: Volatile, Формат пам'яті: DRAM, Технологія: SDRAM, Обсяг пам'яті: 512Mb (32M x 16), Тактова частота: 166MHz,

Список побажань
IS42SM32160E-75BLI
ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

IS42SM32160E-75BLI

частина: 5601

Тип пам'яті: Volatile, Формат пам'яті: DRAM, Технологія: SDRAM - Mobile, Обсяг пам'яті: 512Mb (16M x 32), Тактова частота: 133MHz,

Список побажань
IS61NLP25636A-200TQLI-TR
ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

IS61NLP25636A-200TQLI-TR

частина: 6376

Тип пам'яті: Volatile, Формат пам'яті: SRAM, Технологія: SRAM - Synchronous, Обсяг пам'яті: 9Mb (256K x 36), Тактова частота: 200MHz,

Список побажань
IS25WD020-JKLE
ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

IS25WD020-JKLE

частина: 1625

Тип пам'яті: Non-Volatile, Формат пам'яті: FLASH, Технологія: FLASH - NOR, Обсяг пам'яті: 2Mb (256K x 8), Тактова частота: 80MHz, Написати час циклу - Слово, Сторінка: 3ms,

Список побажань
IS61WV51216EDBLL-8BLI
ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

IS61WV51216EDBLL-8BLI

частина: 6530

Тип пам'яті: Volatile, Формат пам'яті: SRAM, Технологія: SRAM - Asynchronous, Обсяг пам'яті: 8Mb (512K x 16), Написати час циклу - Слово, Сторінка: 8ns,

Список побажань
IS61LPD25636A-200TQLI-TR
ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

IS61LPD25636A-200TQLI-TR

частина: 6311

Тип пам'яті: Volatile, Формат пам'яті: SRAM, Технологія: SRAM - Synchronous, Обсяг пам'яті: 9Mb (256K x 36), Тактова частота: 200MHz,

Список побажань
IS61LF25636A-7.5TQLI-TR
ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

IS61LF25636A-7.5TQLI-TR

частина: 6379

Тип пам'яті: Volatile, Формат пам'яті: SRAM, Технологія: SRAM - Synchronous, Обсяг пам'яті: 9Mb (256K x 36), Тактова частота: 117MHz,

Список побажань
IS25CQ032-JFLE
ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

IS25CQ032-JFLE

частина: 1568

Тип пам'яті: Non-Volatile, Формат пам'яті: FLASH, Технологія: FLASH, Обсяг пам'яті: 32Mb (4M x 8), Тактова частота: 104MHz, Написати час циклу - Слово, Сторінка: 4ms,

Список побажань
IS61WV102416DBLL-10BLI-TR
ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

IS61WV102416DBLL-10BLI-TR

частина: 150

Тип пам'яті: Volatile, Формат пам'яті: SRAM, Технологія: SRAM - Asynchronous, Обсяг пам'яті: 16Mb (1M x 16), Написати час циклу - Слово, Сторінка: 10ns,

Список побажань
IS43LR32640A-5BL-TR
ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

IS43LR32640A-5BL-TR

частина: 5018

Тип пам'яті: Volatile, Формат пам'яті: DRAM, Технологія: SDRAM - DDR, Обсяг пам'яті: 2Gb (64M x 32), Тактова частота: 200MHz, Написати час циклу - Слово, Сторінка: 15ns,

Список побажань
IS61WV102416FBLL-8TLI-TR
ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

IS61WV102416FBLL-8TLI-TR

частина: 148

Тип пам'яті: Volatile, Формат пам'яті: SRAM, Технологія: SRAM - Dual Port, Asynchronous, Обсяг пам'яті: 16Mb (1M x 16), Написати час циклу - Слово, Сторінка: 8ns,

Список побажань
IS42S32160D-7BL-TR
ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

IS42S32160D-7BL-TR

частина: 5485

Тип пам'яті: Volatile, Формат пам'яті: DRAM, Технологія: SDRAM, Обсяг пам'яті: 512Mb (16M x 32), Тактова частота: 143MHz,

Список побажань
IS25CD512-JDLE-TR
ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

IS25CD512-JDLE-TR

частина: 1676

Тип пам'яті: Non-Volatile, Формат пам'яті: FLASH, Технологія: FLASH, Обсяг пам'яті: 512Kb (64K x 8), Тактова частота: 100MHz, Написати час циклу - Слово, Сторінка: 5ms,

Список побажань
IS25WQ080-JNLE
ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

IS25WQ080-JNLE

частина: 1466

Тип пам'яті: Non-Volatile, Формат пам'яті: FLASH, Технологія: FLASH - NOR, Обсяг пам'яті: 8Mb (1M x 8), Тактова частота: 104MHz, Написати час циклу - Слово, Сторінка: 700µs,

Список побажань
IS43TR16128AL-125KBL
ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

IS43TR16128AL-125KBL

частина: 3055

Тип пам'яті: Volatile, Формат пам'яті: DRAM, Технологія: SDRAM - DDR3L, Обсяг пам'яті: 2Gb (128M x 16), Тактова частота: 800MHz, Написати час циклу - Слово, Сторінка: 15ns,

Список побажань
IS25LD020-JDLE
ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

IS25LD020-JDLE

частина: 1685

Тип пам'яті: Non-Volatile, Формат пам'яті: FLASH, Технологія: FLASH, Обсяг пам'яті: 2Mb (256K x 8), Тактова частота: 100MHz, Написати час циклу - Слово, Сторінка: 5ms,

Список побажань
IS43DR16128C-25DBLI-TR
ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

IS43DR16128C-25DBLI-TR

частина: 59

Тип пам'яті: Volatile, Формат пам'яті: DRAM, Технологія: SDRAM - DDR2, Обсяг пам'яті: 2Gb (128M x 16), Тактова частота: 400MHz, Написати час циклу - Слово, Сторінка: 15ns,

Список побажань
IS62WV102416EBLL-45BLI
ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

IS62WV102416EBLL-45BLI

частина: 6020

Тип пам'яті: Volatile, Формат пам'яті: SRAM, Технологія: SRAM - Asynchronous, Обсяг пам'яті: 16Mb (1M x 16), Написати час циклу - Слово, Сторінка: 45ns,

Список побажань
IS46TR16128A-15HBLA2-TR
ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

IS46TR16128A-15HBLA2-TR

частина: 5489

Тип пам'яті: Volatile, Формат пам'яті: DRAM, Технологія: SDRAM - DDR3, Обсяг пам'яті: 2Gb (128M x 16), Тактова частота: 667MHz, Написати час циклу - Слово, Сторінка: 15ns,

Список побажань
IS61NLF25636A-7.5TQLI-TR
ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

IS61NLF25636A-7.5TQLI-TR

частина: 6291

Тип пам'яті: Volatile, Формат пам'яті: SRAM, Технологія: SRAM - Synchronous, Обсяг пам'яті: 9Mb (256K x 36), Тактова частота: 117MHz,

Список побажань
IS42S86400F-7TL-TR
ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

IS42S86400F-7TL-TR

частина: 5807

Тип пам'яті: Volatile, Формат пам'яті: DRAM, Технологія: SDRAM, Обсяг пам'яті: 512Mb (64M x 8), Тактова частота: 143MHz,

Список побажань
IS25LQ080-JNLE
ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

IS25LQ080-JNLE

частина: 1532

Тип пам'яті: Non-Volatile, Формат пам'яті: FLASH, Технологія: FLASH - NOR, Обсяг пам'яті: 8Mb (1M x 8), Тактова частота: 104MHz, Написати час циклу - Слово, Сторінка: 1ms,

Список побажань
IS42S16320F-7BL-TR
ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

IS42S16320F-7BL-TR

частина: 6072

Тип пам'яті: Volatile, Формат пам'яті: DRAM, Технологія: SDRAM, Обсяг пам'яті: 512Mb (32M x 16), Тактова частота: 143MHz,

Список побажань
IS46R16320D-6BLA2
ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

IS46R16320D-6BLA2

частина: 5532

Тип пам'яті: Volatile, Формат пам'яті: DRAM, Технологія: SDRAM - DDR, Обсяг пам'яті: 512Mb (32M x 16), Тактова частота: 166MHz, Написати час циклу - Слово, Сторінка: 15ns,

Список побажань
IS43TR82560BL-125KBLI
ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

IS43TR82560BL-125KBLI

частина: 5488

Тип пам'яті: Volatile, Формат пам'яті: DRAM, Технологія: SDRAM - DDR3L, Обсяг пам'яті: 2Gb (256M x 8), Тактова частота: 800MHz, Написати час циклу - Слово, Сторінка: 15ns,

Список побажань
IS25LQ040-JBLE
ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

IS25LQ040-JBLE

частина: 1629

Тип пам'яті: Non-Volatile, Формат пам'яті: FLASH, Технологія: FLASH - NOR, Обсяг пам'яті: 4Mb (512K x 8), Тактова частота: 104MHz, Написати час циклу - Слово, Сторінка: 700µs,

Список побажань
IS46DR16640B-3DBLA2
ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

IS46DR16640B-3DBLA2

частина: 5706

Тип пам'яті: Volatile, Формат пам'яті: DRAM, Технологія: SDRAM - DDR2, Обсяг пам'яті: 1Gb (64M x 16), Тактова частота: 333MHz, Написати час циклу - Слово, Сторінка: 15ns,

Список побажань
IS34ML04G084-TLI
ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

IS34ML04G084-TLI

частина: 1248

Тип пам'яті: Non-Volatile, Формат пам'яті: FLASH, Технологія: FLASH - NAND (SLC), Обсяг пам'яті: 4Gb (512M x 8), Написати час циклу - Слово, Сторінка: 25ns,

Список побажань
IS25LD040-JBLE
ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

IS25LD040-JBLE

частина: 1587

Тип пам'яті: Non-Volatile, Формат пам'яті: FLASH, Технологія: FLASH, Обсяг пам'яті: 4Mb (512K x 8), Тактова частота: 100MHz, Написати час циклу - Слово, Сторінка: 5ms,

Список побажань
IS61WV102416FBLL-10T2LI-TR
ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

IS61WV102416FBLL-10T2LI-TR

частина: 74

Тип пам'яті: Volatile, Формат пам'яті: SRAM, Технологія: SRAM - Dual Port, Asynchronous, Обсяг пам'яті: 16Mb (1M x 16), Написати час циклу - Слово, Сторінка: 10ns,

Список побажань
IS43TR16256AL-15HBLI
ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

IS43TR16256AL-15HBLI

частина: 5371

Тип пам'яті: Volatile, Формат пам'яті: DRAM, Технологія: SDRAM - DDR3L, Обсяг пам'яті: 4Gb (256M x 16), Тактова частота: 667MHz, Написати час циклу - Слово, Сторінка: 15ns,

Список побажань
IS61LPS25636A-200TQ2LI-TR
ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

IS61LPS25636A-200TQ2LI-TR

частина: 6329

Тип пам'яті: Volatile, Формат пам'яті: SRAM, Технологія: SRAM - Synchronous, Обсяг пам'яті: 9Mb (256K x 36), Тактова частота: 200MHz,

Список побажань
IS25CD010-JNLE
ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

IS25CD010-JNLE

частина: 1761

Тип пам'яті: Non-Volatile, Формат пам'яті: FLASH, Технологія: FLASH, Обсяг пам'яті: 1Mb (128K x 8), Тактова частота: 100MHz, Написати час циклу - Слово, Сторінка: 5ms,

Список побажань