Menu
УКРАЇНАУКРАЇНА
Rfq / замовлення
0Rfq / замовлення

Пам'ять

IS43TR16256A-107MBLI
ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

IS43TR16256A-107MBLI

частина: 108

Тип пам'яті: Volatile, Формат пам'яті: DRAM, Технологія: SDRAM - DDR3, Обсяг пам'яті: 4Gb (256M x 16), Тактова частота: 933MHz, Написати час циклу - Слово, Сторінка: 15ns,

Список побажань
IS61LF51218A-7.5TQLI-TR
ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

IS61LF51218A-7.5TQLI-TR

частина: 6368

Тип пам'яті: Volatile, Формат пам'яті: SRAM, Технологія: SRAM - Synchronous, Обсяг пам'яті: 9Mb (512K x 18), Тактова частота: 117MHz,

Список побажань
IS43LD16640C-25BLI
ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

IS43LD16640C-25BLI

частина: 5532

Тип пам'яті: Volatile, Формат пам'яті: DRAM, Технологія: SDRAM - Mobile LPDDR2-S4, Обсяг пам'яті: 1Gb (64M x 16), Тактова частота: 400MHz, Написати час циклу - Слово, Сторінка: 15ns,

Список побажань
IS62WV5128DBLL-45T2LI
ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

IS62WV5128DBLL-45T2LI

частина: 870

Тип пам'яті: Volatile, Формат пам'яті: SRAM, Технологія: SRAM - Asynchronous, Обсяг пам'яті: 4Mb (512K x 8), Написати час циклу - Слово, Сторінка: 45ns,

Список побажань
IS61WV102416DBLL-10TLI-TR
ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

IS61WV102416DBLL-10TLI-TR

частина: 105

Тип пам'яті: Volatile, Формат пам'яті: SRAM, Технологія: SRAM - Asynchronous, Обсяг пам'яті: 16Mb (1M x 16), Написати час циклу - Слово, Сторінка: 10ns,

Список побажань
IS25LQ016-JKLE
ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

IS25LQ016-JKLE

частина: 1441

Тип пам'яті: Non-Volatile, Формат пам'яті: FLASH, Технологія: FLASH - NOR, Обсяг пам'яті: 16Mb (2M x 8), Тактова частота: 104MHz, Написати час циклу - Слово, Сторінка: 2ms,

Список побажань
IS43TR16256AL-107MBL
ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

IS43TR16256AL-107MBL

частина: 169

Тип пам'яті: Volatile, Формат пам'яті: DRAM, Технологія: SDRAM - DDR3L, Обсяг пам'яті: 4Gb (256M x 16), Тактова частота: 933MHz, Написати час циклу - Слово, Сторінка: 15ns,

Список побажань
IS25WD020-JBLE
ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

IS25WD020-JBLE

частина: 1791

Тип пам'яті: Non-Volatile, Формат пам'яті: FLASH, Технологія: FLASH - NOR, Обсяг пам'яті: 2Mb (256K x 8), Тактова частота: 80MHz, Написати час циклу - Слово, Сторінка: 3ms,

Список побажань
IS62WV102416GALL-55TLI
ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

IS62WV102416GALL-55TLI

частина: 59

Тип пам'яті: Volatile, Формат пам'яті: SRAM, Технологія: SRAM - Asynchronous, Обсяг пам'яті: 16Mb (1M x 16), Написати час циклу - Слово, Сторінка: 55ns,

Список побажань
IS61WV25616BLL-10BI
ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

IS61WV25616BLL-10BI

частина: 8553

Тип пам'яті: Volatile, Формат пам'яті: SRAM, Технологія: SRAM - Asynchronous, Обсяг пам'яті: 4Mb (256K x 16), Написати час циклу - Слово, Сторінка: 10ns,

Список побажань
IS43TR16256A-125KBLI
ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

IS43TR16256A-125KBLI

частина: 5605

Тип пам'яті: Volatile, Формат пам'яті: DRAM, Технологія: SDRAM - DDR3, Обсяг пам'яті: 4Gb (256M x 16), Тактова частота: 800MHz, Написати час циклу - Слово, Сторінка: 15ns,

Список побажань
IS25WQ080-JKLE
ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

IS25WQ080-JKLE

частина: 1416

Тип пам'яті: Non-Volatile, Формат пам'яті: FLASH, Технологія: FLASH - NOR, Обсяг пам'яті: 8Mb (1M x 8), Тактова частота: 104MHz, Написати час циклу - Слово, Сторінка: 700µs,

Список побажань
IS61LPS25636A-200TQLI-TR
ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

IS61LPS25636A-200TQLI-TR

частина: 6348

Тип пам'яті: Volatile, Формат пам'яті: SRAM, Технологія: SRAM - Synchronous, Обсяг пам'яті: 9Mb (256K x 36), Тактова частота: 200MHz,

Список побажань
IS61WV102416FBLL-10BLI-TR
ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

IS61WV102416FBLL-10BLI-TR

частина: 101

Тип пам'яті: Volatile, Формат пам'яті: SRAM, Технологія: SRAM - Asynchronous, Обсяг пам'яті: 16Mb (1M x 16), Написати час циклу - Слово, Сторінка: 10ns,

Список побажань
IS43LD32640B-25BPLI
ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

IS43LD32640B-25BPLI

частина: 156

Тип пам'яті: Volatile, Формат пам'яті: DRAM, Технологія: SDRAM - Mobile LPDDR2-S4, Обсяг пам'яті: 2Gb (64M x 32), Тактова частота: 400MHz, Написати час циклу - Слово, Сторінка: 15ns,

Список побажань
IS46LR16320C-6BLA2-TR
ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

IS46LR16320C-6BLA2-TR

частина: 5479

Тип пам'яті: Volatile, Формат пам'яті: DRAM, Технологія: SDRAM - Mobile LPDDR, Обсяг пам'яті: 512Mb (32M x 16), Тактова частота: 166MHz, Написати час циклу - Слово, Сторінка: 15ns,

Список побажань
IS61WV51216EDALL-20BLI-TR
ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

IS61WV51216EDALL-20BLI-TR

частина: 108

Тип пам'яті: Volatile, Формат пам'яті: SRAM, Технологія: SRAM - Asynchronous, Обсяг пам'яті: 8Mb (512K x 16), Написати час циклу - Слово, Сторінка: 20ns,

Список побажань
IS42RM32160E-75BLI-TR
ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

IS42RM32160E-75BLI-TR

частина: 6012

Тип пам'яті: Volatile, Формат пам'яті: DRAM, Технологія: SDRAM - Mobile, Обсяг пам'яті: 512Mb (16M x 32), Тактова частота: 133MHz,

Список побажань
IS64LF12836EC-7.5B3LA3
ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

IS64LF12836EC-7.5B3LA3

частина: 6902

Тип пам'яті: Volatile, Формат пам'яті: SRAM, Технологія: SRAM - Synchronous, Обсяг пам'яті: 4.5Mb (128K x 36), Тактова частота: 117MHz,

Список побажань
IS61WV51216BLL-10TLI-TR
ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

IS61WV51216BLL-10TLI-TR

частина: 6883

Тип пам'яті: Volatile, Формат пам'яті: SRAM, Технологія: SRAM - Asynchronous, Обсяг пам'яті: 8Mb (512K x 16), Написати час циклу - Слово, Сторінка: 10ns,

Список побажань
IS42S16320F-7TL-TR
ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

IS42S16320F-7TL-TR

частина: 6195

Тип пам'яті: Volatile, Формат пам'яті: DRAM, Технологія: SDRAM, Обсяг пам'яті: 512Mb (32M x 16), Тактова частота: 143MHz,

Список побажань
IS43TR82560B-125KBLI
ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

IS43TR82560B-125KBLI

частина: 5730

Тип пам'яті: Volatile, Формат пам'яті: DRAM, Технологія: SDRAM - DDR3, Обсяг пам'яті: 2Gb (256M x 8), Тактова частота: 800MHz, Написати час циклу - Слово, Сторінка: 15ns,

Список побажань
IS43LD16128B-25BLI
ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

IS43LD16128B-25BLI

частина: 86

Тип пам'яті: Volatile, Формат пам'яті: DRAM, Технологія: SDRAM - Mobile LPDDR2-S4, Обсяг пам'яті: 2Gb (128M x 16), Тактова частота: 400MHz, Написати час циклу - Слово, Сторінка: 15ns,

Список побажань
IS42VM32160D-6BLI-TR
ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

IS42VM32160D-6BLI-TR

частина: 5938

Тип пам'яті: Volatile, Формат пам'яті: DRAM, Технологія: SDRAM - Mobile, Обсяг пам'яті: 512Mb (16M x 32), Тактова частота: 166MHz,

Список побажань
IS46TR16128CL-125KBLA2
ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

IS46TR16128CL-125KBLA2

частина: 6833

Тип пам'яті: Volatile, Формат пам'яті: DRAM, Технологія: SDRAM - DDR3L, Обсяг пам'яті: 2Gb (128M x 16), Тактова частота: 800MHz, Написати час циклу - Слово, Сторінка: 15ns,

Список побажань
IS43LR32640A-6BL-TR
ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

IS43LR32640A-6BL-TR

частина: 5301

Тип пам'яті: Volatile, Формат пам'яті: DRAM, Технологія: SDRAM - DDR, Обсяг пам'яті: 2Gb (64M x 32), Тактова частота: 166MHz, Написати час циклу - Слово, Сторінка: 15ns,

Список побажань
IS46TR16128BL-125KBLA2-TR
ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

IS46TR16128BL-125KBLA2-TR

частина: 6099

Тип пам'яті: Volatile, Формат пам'яті: DRAM, Технологія: SDRAM - DDR3L, Обсяг пам'яті: 2Gb (128M x 16), Тактова частота: 800MHz, Написати час циклу - Слово, Сторінка: 15ns,

Список побажань
IS42VM16320D-75BLI
ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

IS42VM16320D-75BLI

частина: 5935

Тип пам'яті: Volatile, Формат пам'яті: DRAM, Технологія: SDRAM - Mobile, Обсяг пам'яті: 512Mb (32M x 16), Тактова частота: 133MHz,

Список побажань
IS61NLP25636B-200TQLI-TR
ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

IS61NLP25636B-200TQLI-TR

частина: 114

Тип пам'яті: Volatile, Формат пам'яті: SRAM, Технологія: SRAM - Synchronous, Обсяг пам'яті: 9Mb (256K x 36), Тактова частота: 200MHz,

Список побажань
IS42S32160C-6BI
ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

IS42S32160C-6BI

частина: 1531

Тип пам'яті: Volatile, Формат пам'яті: DRAM, Технологія: SDRAM, Обсяг пам'яті: 512Mb (16M x 32), Тактова частота: 166MHz,

Список побажань
IS62WV102416DBLL-55TLI
ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

IS62WV102416DBLL-55TLI

частина: 6947

Тип пам'яті: Volatile, Формат пам'яті: SRAM, Технологія: SRAM - Asynchronous, Обсяг пам'яті: 16Mb (1M x 16), Написати час циклу - Слово, Сторінка: 55ns,

Список побажань
IS21ES04G-JCLI-TR
ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

IS21ES04G-JCLI-TR

частина: 62

Тип пам'яті: Non-Volatile, Формат пам'яті: FLASH, Технологія: FLASH - NAND (MLC), Обсяг пам'яті: 32Gb (4G x 8), Тактова частота: 200MHz,

Список побажань
IS42VM32160E-6BLI
ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

IS42VM32160E-6BLI

частина: 5992

Тип пам'яті: Volatile, Формат пам'яті: DRAM, Технологія: SDRAM - Mobile, Обсяг пам'яті: 512Mb (16M x 32), Тактова частота: 166MHz,

Список побажань
IS61LPS51218B-200TQLI-TR
ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

IS61LPS51218B-200TQLI-TR

частина: 115

Тип пам'яті: Volatile, Формат пам'яті: SRAM, Технологія: SRAM - Synchronous, Обсяг пам'яті: 9Mb (512K x 18), Тактова частота: 200MHz,

Список побажань
IS46TR16128C-125KBLA2
ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

IS46TR16128C-125KBLA2

частина: 6955

Тип пам'яті: Volatile, Формат пам'яті: DRAM, Технологія: SDRAM - DDR3, Обсяг пам'яті: 2Gb (128M x 16), Тактова частота: 800MHz, Написати час циклу - Слово, Сторінка: 15ns,

Список побажань
IS43R32160D-5BLI
ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

IS43R32160D-5BLI

частина: 5985

Тип пам'яті: Volatile, Формат пам'яті: DRAM, Технологія: SDRAM - DDR, Обсяг пам'яті: 512Mb (16M x 32), Тактова частота: 200MHz, Написати час циклу - Слово, Сторінка: 15ns,

Список побажань