Тип пам'яті: Volatile, Формат пам'яті: PSRAM, Технологія: PSRAM (Pseudo SRAM), Обсяг пам'яті: 16Mb (1M x 16), Написати час циклу - Слово, Сторінка: 55ns,
Тип пам'яті: Non-Volatile, Формат пам'яті: FLASH, Технологія: FLASH, Обсяг пам'яті: 4Mb (512K x 8), Тактова частота: 100MHz, Написати час циклу - Слово, Сторінка: 5ms,
Тип пам'яті: Volatile, Формат пам'яті: DRAM, Технологія: SDRAM - Mobile LPDDR2, Обсяг пам'яті: 1Gb (64M x 16), Тактова частота: 400MHz, Написати час циклу - Слово, Сторінка: 15ns,
Тип пам'яті: Volatile, Формат пам'яті: SRAM, Технологія: SRAM - Dual Port, Asynchronous, Обсяг пам'яті: 16Mb (1M x 16), Написати час циклу - Слово, Сторінка: 10ns,
Тип пам'яті: Volatile, Формат пам'яті: SRAM, Технологія: SRAM - Asynchronous, Обсяг пам'яті: 8Mb (512K x 16), Написати час циклу - Слово, Сторінка: 55ns,
Тип пам'яті: Volatile, Формат пам'яті: SRAM, Технологія: SRAM - Asynchronous, Обсяг пам'яті: 1Mb (128K x 8), Написати час циклу - Слово, Сторінка: 55ns,
Тип пам'яті: Volatile, Формат пам'яті: SRAM, Технологія: SRAM - Asynchronous, Обсяг пам'яті: 2Mb (256K x 8), Написати час циклу - Слово, Сторінка: 70ns,