Пам'ять | Інтегральні схеми (ІС) | 100

IS42VM32160D-75BLI

частина: 5403

Тип пам'яті: Volatile, Формат пам'яті: DRAM, Технологія: SDRAM - Mobile, Обсяг пам'яті: 512Mb (16M x 32), Тактова частота: 133MHz,

Список побажань

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

Тип пам'яті: Volatile, Формат пам'яті: DRAM, Технологія: SDRAM - Mobile LPDDR2-S4, Обсяг пам'яті: 2Gb (64M x 32), Тактова частота: 533MHz, Написати час циклу - Слово, Сторінка: 15ns,

Список побажань

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

IS25CQ032-JBLE

частина: 54346

Тип пам'яті: Non-Volatile, Формат пам'яті: FLASH, Технологія: FLASH, Обсяг пам'яті: 32Mb (4M x 8), Тактова частота: 104MHz, Написати час циклу - Слово, Сторінка: 4ms,

Список побажань

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

IS46DR16640B-25DBLA2

частина: 5397

Тип пам'яті: Volatile, Формат пам'яті: DRAM, Технологія: SDRAM - DDR2, Обсяг пам'яті: 1Gb (64M x 16), Тактова частота: 400MHz, Написати час циклу - Слово, Сторінка: 15ns,

Список побажань

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

IS25CD512-JNLE

частина: 1746

Тип пам'яті: Non-Volatile, Формат пам'яті: FLASH, Технологія: FLASH, Обсяг пам'яті: 512Kb (64K x 8), Тактова частота: 100MHz, Написати час циклу - Слово, Сторінка: 5ms,

Список побажань

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

IS42S86400D-6TL-TR

частина: 5409

Тип пам'яті: Volatile, Формат пам'яті: DRAM, Технологія: SDRAM, Обсяг пам'яті: 512Mb (64M x 8), Тактова частота: 166MHz,

Список побажань

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

IS25LD020-JKLE

частина: 1770

Тип пам'яті: Non-Volatile, Формат пам'яті: FLASH, Технологія: FLASH, Обсяг пам'яті: 2Mb (256K x 8), Тактова частота: 100MHz, Написати час циклу - Слово, Сторінка: 5ms,

Список побажань

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

IS25LQ016-JBLE

частина: 1545

Тип пам'яті: Non-Volatile, Формат пам'яті: FLASH, Технологія: FLASH - NOR, Обсяг пам'яті: 16Mb (2M x 8), Тактова частота: 104MHz, Написати час циклу - Слово, Сторінка: 2ms,

Список побажань

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

IS25WD040-JNLE

частина: 1596

Тип пам'яті: Non-Volatile, Формат пам'яті: FLASH, Технологія: FLASH - NOR, Обсяг пам'яті: 4Mb (512K x 8), Тактова частота: 80MHz, Написати час циклу - Слово, Сторінка: 3ms,

Список побажань

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

IS61WV10248BLL-10MLI-TR

частина: 6669

Тип пам'яті: Volatile, Формат пам'яті: SRAM, Технологія: SRAM - Asynchronous, Обсяг пам'яті: 8Mb (1M x 8), Написати час циклу - Слово, Сторінка: 10ns,

Список побажань

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

IS25WD040-JKLE

частина: 1517

Тип пам'яті: Non-Volatile, Формат пам'яті: FLASH, Технологія: FLASH - NOR, Обсяг пам'яті: 4Mb (512K x 8), Тактова частота: 80MHz, Написати час циклу - Слово, Сторінка: 3ms,

Список побажань

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

IS46TR16128B-15HBLA2

частина: 5775

Тип пам'яті: Volatile, Формат пам'яті: DRAM, Технологія: SDRAM - DDR3, Обсяг пам'яті: 2Gb (128M x 16), Тактова частота: 667MHz, Написати час циклу - Слово, Сторінка: 15ns,

Список побажань

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

IS61WV102416FBLL-10TLI-TR

частина: 63

Тип пам'яті: Volatile, Формат пам'яті: SRAM, Технологія: SRAM - Asynchronous, Обсяг пам'яті: 16Mb (1M x 16), Написати час циклу - Слово, Сторінка: 10ns,

Список побажань

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

IS61WV51216EDBLL-8TLI

частина: 6480

Тип пам'яті: Volatile, Формат пам'яті: SRAM, Технологія: SRAM - Asynchronous, Обсяг пам'яті: 8Mb (512K x 16), Написати час циклу - Слово, Сторінка: 8ns,

Список побажань

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

IS42SM16320E-6BLI

частина: 108

Тип пам'яті: Volatile, Формат пам'яті: DRAM, Технологія: SDRAM - Mobile, Обсяг пам'яті: 512Mb (32M x 16), Тактова частота: 166MHz,

Список побажань

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

IS43DR16128C-3DBLI-TR

частина: 5056

Тип пам'яті: Volatile, Формат пам'яті: DRAM, Технологія: SDRAM - DDR2, Обсяг пам'яті: 2Gb (128M x 16), Тактова частота: 333MHz, Написати час циклу - Слово, Сторінка: 15ns,

Список побажань

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

IS43LR32320B-6BLI

частина: 5344

Тип пам'яті: Volatile, Формат пам'яті: DRAM, Технологія: SDRAM - Mobile LPDDR, Обсяг пам'яті: 64Mb (2M x 32), Тактова частота: 166MHz, Написати час циклу - Слово, Сторінка: 15ns,

Список побажань

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

IS25CD512-JKLE

частина: 165

Тип пам'яті: Non-Volatile, Формат пам'яті: FLASH, Технологія: FLASH, Обсяг пам'яті: 512Kb (64K x 8), Тактова частота: 100MHz, Написати час циклу - Слово, Сторінка: 5ms,

Список побажань

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

IS61WV51216EDALL-20TLI

частина: 86

Тип пам'яті: Volatile, Формат пам'яті: SRAM, Технологія: SRAM - Asynchronous, Обсяг пам'яті: 8Mb (512K x 16), Написати час циклу - Слово, Сторінка: 20ns,

Список побажань

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

IS25WD020-JNLE

частина: 211

Тип пам'яті: Non-Volatile, Формат пам'яті: FLASH, Технологія: FLASH - NOR, Обсяг пам'яті: 2Mb (256K x 8), Тактова частота: 80MHz, Написати час циклу - Слово, Сторінка: 3ms,

Список побажань

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

IS25WD040-JBLE

частина: 1694

Тип пам'яті: Non-Volatile, Формат пам'яті: FLASH, Технологія: FLASH - NOR, Обсяг пам'яті: 4Mb (512K x 8), Тактова частота: 80MHz, Написати час циклу - Слово, Сторінка: 3ms,

Список побажань

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

IS46TR16128A-125KBLA1

частина: 5377

Тип пам'яті: Volatile, Формат пам'яті: DRAM, Технологія: SDRAM - DDR3, Обсяг пам'яті: 2Gb (128M x 16), Тактова частота: 800MHz, Написати час циклу - Слово, Сторінка: 15ns,

Список побажань

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

IS25LD020-JNLE

частина: 183

Тип пам'яті: Non-Volatile, Формат пам'яті: FLASH, Технологія: FLASH, Обсяг пам'яті: 2Mb (256K x 8), Тактова частота: 100MHz, Написати час циклу - Слово, Сторінка: 5ms,

Список побажань

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

IS61NLF51218A-7.5TQLI-TR

частина: 6339

Тип пам'яті: Volatile, Формат пам'яті: SRAM, Технологія: SRAM - Synchronous, Обсяг пам'яті: 9Mb (512K x 18), Тактова частота: 117MHz,

Список побажань

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

IS25LQ080-JKLE

частина: 1620

Тип пам'яті: Non-Volatile, Формат пам'яті: FLASH, Технологія: FLASH - NOR, Обсяг пам'яті: 8Mb (1M x 8), Тактова частота: 104MHz, Написати час циклу - Слово, Сторінка: 1ms,

Список побажань

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

IS61NLP51218A-200TQLI-TR

частина: 6333

Тип пам'яті: Volatile, Формат пам'яті: SRAM, Технологія: SRAM - Synchronous, Обсяг пам'яті: 9Mb (512K x 18), Тактова частота: 200MHz,

Список побажань

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

IS43DR81280A-3DBLI

частина: 839

Тип пам'яті: Volatile, Формат пам'яті: DRAM, Технологія: SDRAM - DDR2, Обсяг пам'яті: 1Gb (128M x 8), Тактова частота: 333MHz, Написати час циклу - Слово, Сторінка: 15ns,

Список побажань

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

IS25LQ016-JNLE

частина: 1467

Тип пам'яті: Non-Volatile, Формат пам'яті: FLASH, Технологія: FLASH - NOR, Обсяг пам'яті: 16Mb (2M x 8), Тактова частота: 104MHz, Написати час циклу - Слово, Сторінка: 2ms,

Список побажань

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

IS43TR16256AL-107MBLI-TR

частина: 164

Тип пам'яті: Volatile, Формат пам'яті: DRAM, Технологія: SDRAM - DDR3L, Обсяг пам'яті: 4Gb (256M x 16), Тактова частота: 933MHz, Написати час циклу - Слово, Сторінка: 15ns,

Список побажань

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

IS25LD040-JKLE

частина: 1634

Тип пам'яті: Non-Volatile, Формат пам'яті: FLASH, Технологія: FLASH, Обсяг пам'яті: 4Mb (512K x 8), Тактова частота: 100MHz, Написати час циклу - Слово, Сторінка: 5ms,

Список побажань

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

IS42S16320F-6TL-TR

частина: 6065

Тип пам'яті: Volatile, Формат пам'яті: DRAM, Технологія: SDRAM, Обсяг пам'яті: 512Mb (32M x 16), Тактова частота: 167MHz,

Список побажань

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

IS43LD32320C-25BLI

частина: 5351

Тип пам'яті: Volatile, Формат пам'яті: DRAM, Технологія: SDRAM - Mobile LPDDR2-S4, Обсяг пам'яті: 1Gb (32M x 32), Тактова частота: 400MHz, Написати час циклу - Слово, Сторінка: 15ns,

Список побажань

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

IS42S86400D-6TLI-TR

частина: 5333

Тип пам'яті: Volatile, Формат пам'яті: DRAM, Технологія: SDRAM, Обсяг пам'яті: 512Mb (64M x 8), Тактова частота: 166MHz,

Список побажань

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

IS42S16320F-6BL-TR

частина: 5935

Тип пам'яті: Volatile, Формат пам'яті: DRAM, Технологія: SDRAM, Обсяг пам'яті: 512Mb (32M x 16), Тактова частота: 167MHz,

Список побажань

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

IS46TR16128AL-15HBLA1

частина: 5411

Тип пам'яті: Volatile, Формат пам'яті: DRAM, Технологія: SDRAM - DDR3, Обсяг пам'яті: 2Gb (128M x 16), Тактова частота: 667MHz, Написати час циклу - Слово, Сторінка: 15ns,

Список побажань

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

IS43LR32400F-6BLI

частина: 934

Тип пам'яті: Volatile, Формат пам'яті: DRAM, Технологія: SDRAM - Mobile LPDDR, Обсяг пам'яті: 128Mb (4M x 32), Тактова частота: 166MHz, Написати час циклу - Слово, Сторінка: 15ns,

Список побажань