Пам'ять

CY7C1463BV33-133AXI

частина: 3878

Тип пам'яті: Volatile, Формат пам'яті: SRAM, Технологія: SRAM - Synchronous, Обсяг пам'яті: 36Mb (2M x 18), Тактова частота: 133MHz,

CY7C1515JV18-167BZI

частина: 6155

Тип пам'яті: Volatile, Формат пам'яті: SRAM, Технологія: SRAM - Synchronous, QDR II, Обсяг пам'яті: 72Mb (2M x 36), Тактова частота: 167MHz,

S25FL204K0TMFI043

частина: 8981

Тип пам'яті: Non-Volatile, Формат пам'яті: FLASH, Технологія: FLASH - NOR, Обсяг пам'яті: 4Mb (512K x 8), Тактова частота: 85MHz, Написати час циклу - Слово, Сторінка: 5ms,

CY7C1413UV18-300BZC

частина: 7278

Тип пам'яті: Volatile, Формат пам'яті: SRAM, Технологія: SRAM - Synchronous, QDR II, Обсяг пам'яті: 36Mb (2M x 18), Тактова частота: 300MHz,

CY7C136AE-55NXI

частина: 3318

Тип пам'яті: Volatile, Формат пам'яті: SRAM, Технологія: SRAM - Dual Port, Asynchronous, Обсяг пам'яті: 16Kb (2K x 8), Написати час циклу - Слово, Сторінка: 55ns,

STK16C88-3WF35I

частина: 5964

Тип пам'яті: Non-Volatile, Формат пам'яті: NVSRAM, Технологія: NVSRAM (Non-Volatile SRAM), Обсяг пам'яті: 256Kb (32K x 8), Написати час циклу - Слово, Сторінка: 35ns,

S25FL116K0XBHI033

частина: 8001

Тип пам'яті: Non-Volatile, Формат пам'яті: FLASH, Технологія: FLASH - NOR, Обсяг пам'яті: 16Mb (2M x 8), Тактова частота: 108MHz, Написати час циклу - Слово, Сторінка: 3ms,

CY7C10612G30-10ZSXIT

частина: 5666

Тип пам'яті: Volatile, Формат пам'яті: SRAM, Технологія: SRAM - Asynchronous, Обсяг пам'яті: 16Mb (1M x 16), Написати час циклу - Слово, Сторінка: 10ns,

S25FL129P0XMFI013

частина: 9476

Тип пам'яті: Non-Volatile, Формат пам'яті: FLASH, Технологія: FLASH - NOR, Обсяг пам'яті: 128Mb (16M x 8), Тактова частота: 104MHz, Написати час циклу - Слово, Сторінка: 5µs, 3ms,

S25FL116K0XNFI011

частина: 8785

Тип пам'яті: Non-Volatile, Формат пам'яті: FLASH, Технологія: FLASH - NOR, Обсяг пам'яті: 16Mb (2M x 8), Тактова частота: 108MHz, Написати час циклу - Слово, Сторінка: 3ms,

S34MS04G100TFI003

частина: 6661

Тип пам'яті: Non-Volatile, Формат пам'яті: FLASH, Технологія: FLASH - NAND, Обсяг пам'яті: 4Gb (512M x 8), Написати час циклу - Слово, Сторінка: 45ns,

S25FL116K0XBHI023

частина: 7937

Тип пам'яті: Non-Volatile, Формат пам'яті: FLASH, Технологія: FLASH - NOR, Обсяг пам'яті: 16Mb (2M x 8), Тактова частота: 108MHz, Написати час циклу - Слово, Сторінка: 3ms,

S34ML08G101TFI003

частина: 5473

Тип пам'яті: Non-Volatile, Формат пам'яті: FLASH, Технологія: FLASH - NAND, Обсяг пам'яті: 8Gb (1G x 8), Написати час циклу - Слово, Сторінка: 25ns,

CY7C1513TV18-250BZC

частина: 7281

Тип пам'яті: Volatile, Формат пам'яті: SRAM, Технологія: SRAM - Synchronous, QDR II, Обсяг пам'яті: 72Mb (4M x 18), Тактова частота: 250MHz,

S25FL164K0XBHV023

частина: 9511

Тип пам'яті: Non-Volatile, Формат пам'яті: FLASH, Технологія: FLASH - NOR, Обсяг пам'яті: 64Mb (8M x 8), Тактова частота: 108MHz, Написати час циклу - Слово, Сторінка: 3ms,

CY15B102Q-SXET

частина: 5721

Тип пам'яті: Non-Volatile, Формат пам'яті: FRAM, Технологія: FRAM (Ferroelectric RAM), Обсяг пам'яті: 2Mb (256K x 8), Тактова частота: 25MHz,

CY7C136E-55NXC

частина: 3254

Тип пам'яті: Volatile, Формат пам'яті: SRAM, Технологія: SRAM - Dual Port, Asynchronous, Обсяг пам'яті: 16Kb (2K x 8), Написати час циклу - Слово, Сторінка: 55ns,

CY7C1911KV18-300BZCT

частина: 2974

Тип пам'яті: Volatile, Формат пам'яті: SRAM, Технологія: SRAM - Synchronous, QDR II, Обсяг пам'яті: 18Mb (2M x 9), Тактова частота: 300MHz,

S25FL204K0TMFI013

частина: 8713

Тип пам'яті: Non-Volatile, Формат пам'яті: FLASH, Технологія: FLASH - NOR, Обсяг пам'яті: 4Mb (512K x 8), Тактова частота: 85MHz, Написати час циклу - Слово, Сторінка: 5ms,

STK12C68-5L35M

частина: 5833

Тип пам'яті: Non-Volatile, Формат пам'яті: NVSRAM, Технологія: NVSRAM (Non-Volatile SRAM), Обсяг пам'яті: 64Kb (8K x 8), Написати час циклу - Слово, Сторінка: 35ns,

CY7C1338S-100AXC

частина: 3742

Тип пам'яті: Volatile, Формат пам'яті: SRAM, Технологія: SRAM - Synchronous, Обсяг пам'яті: 4Mb (128K x 32), Тактова частота: 100MHz,

CY7C1354C-200AXC

частина: 5604

Тип пам'яті: Volatile, Формат пам'яті: SRAM, Технологія: SRAM - Synchronous, Обсяг пам'яті: 9Mb (256K x 36), Тактова частота: 200MHz,

CY14B101Q2-LHXI

частина: 5719

Тип пам'яті: Non-Volatile, Формат пам'яті: NVSRAM, Технологія: NVSRAM (Non-Volatile SRAM), Обсяг пам'яті: 1Mb (128K x 8), Тактова частота: 40MHz,

CY7C136E-55NXCT

частина: 4411

Тип пам'яті: Volatile, Формат пам'яті: SRAM, Технологія: SRAM - Dual Port, Asynchronous, Обсяг пам'яті: 16Kb (2K x 8), Написати час циклу - Слово, Сторінка: 55ns,

CY14MB064J1A-SXIT

частина: 2136

Тип пам'яті: Non-Volatile, Формат пам'яті: NVSRAM, Технологія: NVSRAM (Non-Volatile SRAM), Обсяг пам'яті: 64Kb (8K x 8), Тактова частота: 3.4MHz,

S40410161B1B1I010

частина: 5059

Тип пам'яті: Non-Volatile, Формат пам'яті: FLASH, Технологія: FLASH - NAND, Обсяг пам'яті: 16Gb (2G x 8), Тактова частота: 200MHz,

CY7C12501KV18-450BZXC

частина: 8162

Тип пам'яті: Volatile, Формат пам'яті: SRAM, Технологія: SRAM - Synchronous, DDR II+, Обсяг пам'яті: 36Mb (1M x 36), Тактова частота: 450MHz,

S29PL127J60BAW002

частина: 5043

Тип пам'яті: Non-Volatile, Формат пам'яті: FLASH, Технологія: FLASH - NOR, Обсяг пам'яті: 128Mb (8M x 16), Написати час циклу - Слово, Сторінка: 60ns,

CY7C2565KV18-500BZC

частина: 6769

Тип пам'яті: Volatile, Формат пам'яті: SRAM, Технологія: SRAM - Synchronous, QDR II+, Обсяг пам'яті: 72Mb (2M x 36), Тактова частота: 500MHz,

S29GL01GS10TFA010

частина: 459

S34MS04G100BHB000

частина: 5006

Тип пам'яті: Non-Volatile, Формат пам'яті: FLASH, Технологія: FLASH - NAND, Обсяг пам'яті: 4Gb (512M x 8), Написати час циклу - Слово, Сторінка: 45ns,

S34ML04G200BHB000

частина: 5762

Тип пам'яті: Non-Volatile, Формат пам'яті: FLASH, Технологія: FLASH - NAND, Обсяг пам'яті: 4Gb (512M x 8), Написати час циклу - Слово, Сторінка: 25ns,

CY7C1366C-166AXC

частина: 5664

Тип пам'яті: Volatile, Формат пам'яті: SRAM, Технологія: SRAM - Synchronous, Обсяг пам'яті: 9Mb (256K x 36), Тактова частота: 166MHz,

CY7C1049BNL-17VC

частина: 2494

Тип пам'яті: Volatile, Формат пам'яті: SRAM, Технологія: SRAM - Asynchronous, Обсяг пам'яті: 4Mb (512K x 8), Написати час циклу - Слово, Сторінка: 17ns,

CY7C1520LV18-250BZC

частина: 9234

Тип пам'яті: Volatile, Формат пам'яті: SRAM, Технологія: SRAM - Synchronous, DDR II, Обсяг пам'яті: 72Mb (2M x 36), Тактова частота: 250MHz,

CY7C1518TV18-250BZC

частина: 7150

Тип пам'яті: Volatile, Формат пам'яті: SRAM, Технологія: SRAM - Synchronous, DDR II, Обсяг пам'яті: 72Mb (4M x 18), Тактова частота: 250MHz,