Пам'ять

S25FL132K0XBHI030

частина: 408

Тип пам'яті: Non-Volatile, Формат пам'яті: FLASH, Технологія: FLASH - NOR, Обсяг пам'яті: 32Mb (4M x 8), Тактова частота: 108MHz, Написати час циклу - Слово, Сторінка: 3ms,

QMP25FL216K0PMFI010

частина: 3145

S34ML04G200BHI003

частина: 754

Тип пам'яті: Non-Volatile, Формат пам'яті: FLASH, Технологія: FLASH - NAND, Обсяг пам'яті: 4Gb (512M x 8), Написати час циклу - Слово, Сторінка: 25ns,

CG8414AA

частина: 7921

S34ML04G200TFI900

частина: 794

Тип пам'яті: Non-Volatile, Формат пам'яті: FLASH, Технологія: FLASH - NAND, Обсяг пам'яті: 4Gb (512M x 8), Написати час циклу - Слово, Сторінка: 25ns,

CY7C1360C-200BGC

частина: 5767

S40410161B1B2W010

частина: 9784

Тип пам'яті: Non-Volatile, Формат пам'яті: FLASH, Технологія: FLASH - NAND, Обсяг пам'яті: 16Gb (2G x 8), Тактова частота: 200MHz,

S25FL064LABBHB023

частина: 5270

Тип пам'яті: Non-Volatile, Формат пам'яті: FLASH, Технологія: FLASH - NOR, Обсяг пам'яті: 64Mb (8M x 8), Тактова частота: 108MHz,

CG8120AA

частина: 7876

CG8317AA

частина: 7836

IS29GL512S-11DHV02-TR

частина: 5406

Тип пам'яті: Non-Volatile, Формат пам'яті: FLASH, Технологія: FLASH - NOR, Обсяг пам'яті: 512Mb (64M x 8), Написати час циклу - Слово, Сторінка: 60ns,

S29GL256N90TFAR10

частина: 4463

Тип пам'яті: Non-Volatile, Формат пам'яті: FLASH, Технологія: FLASH - NOR, Обсяг пам'яті: 256Mb (32M x 8, 16M x 16), Написати час циклу - Слово, Сторінка: 90ns,

S34ML08G201BHV003

частина: 4972

Тип пам'яті: Non-Volatile, Формат пам'яті: FLASH, Технологія: FLASH - NAND, Обсяг пам'яті: 8Gb (1G x 8), Написати час циклу - Слово, Сторінка: 25ns,

S70GL02GP11FFIR22

частина: 2711

Тип пам'яті: Non-Volatile, Формат пам'яті: FLASH, Технологія: FLASH - NOR, Обсяг пам'яті: 2Gb (256M x 8, 128M x 16),

CY62157H30-45BVXAT

частина: 146

Тип пам'яті: Volatile, Формат пам'яті: SRAM, Технологія: SRAM - Asynchronous, Обсяг пам'яті: 8Mb (512K x 16), Написати час циклу - Слово, Сторінка: 45ns,

FM24V05-G

частина: 5441

Тип пам'яті: Non-Volatile, Формат пам'яті: FRAM, Технологія: FRAM (Ferroelectric RAM), Обсяг пам'яті: 512Kb (64K x 8), Тактова частота: 3.4MHz,

CR231-80029

частина: 5498

S34ML08G201TFI003

частина: 847

Тип пам'яті: Non-Volatile, Формат пам'яті: FLASH, Технологія: FLASH - NAND, Обсяг пам'яті: 8Gb (1G x 8), Написати час циклу - Слово, Сторінка: 25ns,

CG8071AA

частина: 5781

S99-50289

частина: 2711

S29PL127J70BAW000

частина: 7362

Тип пам'яті: Non-Volatile, Формат пам'яті: FLASH, Технологія: FLASH - NOR, Обсяг пам'яті: 128Mb (8M x 16), Написати час циклу - Слово, Сторінка: 70ns,

S99FL164KMM10

частина: 5184

S25FL129P0XMFV000M

частина: 7748

Тип пам'яті: Non-Volatile, Формат пам'яті: FLASH, Технологія: FLASH - NOR, Обсяг пам'яті: 128Mb (16M x 8), Тактова частота: 104MHz, Написати час циклу - Слово, Сторінка: 5µs, 3ms,

S25FL132K0XNFIQ13

частина: 584

Тип пам'яті: Non-Volatile, Формат пам'яті: FLASH, Технологія: FLASH - NOR, Обсяг пам'яті: 32Mb (4M x 8), Тактова частота: 108MHz, Написати час циклу - Слово, Сторінка: 3ms,

S70FL01GSAGMFV010

частина: 4447

Тип пам'яті: Non-Volatile, Формат пам'яті: FLASH, Технологія: FLASH - NOR, Обсяг пам'яті: 1Gb (128M x 8), Тактова частота: 133MHz,

S29WS128N0LBFW010

частина: 3180

S25FL132K0XNFI010

частина: 74728

Тип пам'яті: Non-Volatile, Формат пам'яті: FLASH, Технологія: FLASH - NOR, Обсяг пам'яті: 32Mb (4M x 8), Тактова частота: 108MHz, Написати час циклу - Слово, Сторінка: 3ms,

S26KS256SDGBHN030

частина: 5466

Тип пам'яті: Non-Volatile, Формат пам'яті: FLASH, Технологія: FLASH - NOR, Обсяг пам'яті: 256Mb (32M x 8), Тактова частота: 133MHz,

S71KS512SC0BHV000

частина: 2279

S99PL127J0110

частина: 2652

S34ML04G104BHV010

частина: 4698

Тип пам'яті: Non-Volatile, Формат пам'яті: FLASH, Технологія: FLASH - NAND, Обсяг пам'яті: 4Gb (256M x 16), Написати час циклу - Слово, Сторінка: 25ns,

S34MS04G100TFI000

частина: 6016

Тип пам'яті: Non-Volatile, Формат пам'яті: FLASH, Технологія: FLASH - NAND, Обсяг пам'яті: 4Gb (512M x 8), Написати час циклу - Слово, Сторінка: 45ns,

S34ML02G200TFB003

частина: 11454

Тип пам'яті: Non-Volatile, Формат пам'яті: FLASH, Технологія: FLASH - NAND, Обсяг пам'яті: 2Gb (256M x 8), Написати час циклу - Слово, Сторінка: 25ns,

CY7C024E-25AXCT

частина: 3855

Тип пам'яті: Volatile, Формат пам'яті: SRAM, Технологія: SRAM - Dual Port, Asynchronous, Обсяг пам'яті: 64Kb (4K x 16), Написати час циклу - Слово, Сторінка: 25ns,

S34ML01G200BHI003

частина: 2331

Тип пам'яті: Non-Volatile, Формат пам'яті: FLASH, Технологія: FLASH - NAND, Обсяг пам'яті: 1Gb (128M x 8), Написати час циклу - Слово, Сторінка: 25ns,

CY7C131E-55JXCT

частина: 3296

Тип пам'яті: Volatile, Формат пам'яті: SRAM, Технологія: SRAM - Dual Port, Asynchronous, Обсяг пам'яті: 8Kb (1K x 8), Написати час циклу - Слово, Сторінка: 55ns,