Пам'ять

CY7C1354SV25-200AXC

частина: 7372

Тип пам'яті: Volatile, Формат пам'яті: SRAM, Технологія: SRAM - Synchronous, Обсяг пам'яті: 9Mb (256K x 36), Тактова частота: 200MHz,

S25FL116K0XWEV009

частина: 4948

Тип пам'яті: Non-Volatile, Формат пам'яті: FLASH, Технологія: FLASH - NOR, Обсяг пам'яті: 16Mb (2M x 8), Тактова частота: 108MHz, Написати час циклу - Слово, Сторінка: 3ms,

CY7C144E-25AXC

частина: 3762

Тип пам'яті: Volatile, Формат пам'яті: SRAM, Технологія: SRAM - Dual Port, Asynchronous, Обсяг пам'яті: 64Kb (8K x 8), Написати час циклу - Слово, Сторінка: 25ns,

CY14MB064J1-SXIT

частина: 4440

Тип пам'яті: Non-Volatile, Формат пам'яті: NVSRAM, Технологія: NVSRAM (Non-Volatile SRAM), Обсяг пам'яті: 64Kb (8K x 8), Тактова частота: 3.4MHz,

STK14D88-RF25

частина: 3665

Тип пам'яті: Non-Volatile, Формат пам'яті: NVSRAM, Технологія: NVSRAM (Non-Volatile SRAM), Обсяг пам'яті: 256Kb (32K x 8), Написати час циклу - Слово, Сторінка: 25ns,

CY7C1081DV33-12BAXI

частина: 2414

Тип пам'яті: Volatile, Формат пам'яті: SRAM, Технологія: SRAM, Обсяг пам'яті: 64Mb (4M x 16), Написати час циклу - Слово, Сторінка: 12ns,

S29GL01GT12TFVV10

частина: 5094

Тип пам'яті: Non-Volatile, Формат пам'яті: FLASH, Технологія: FLASH - NOR, Обсяг пам'яті: 1Gb (128M x 8), Написати час циклу - Слово, Сторінка: 60ns,

S29GL01GT11TFV010

частина: 5024

Тип пам'яті: Non-Volatile, Формат пам'яті: FLASH, Технологія: FLASH - NOR, Обсяг пам'яті: 1Gb (128M x 8), Написати час циклу - Слово, Сторінка: 60ns,

STK12C68-WF45I

частина: 5901

Тип пам'яті: Non-Volatile, Формат пам'яті: NVSRAM, Технологія: NVSRAM (Non-Volatile SRAM), Обсяг пам'яті: 64Kb (8K x 8), Написати час циклу - Слово, Сторінка: 45ns,

S25FL164K0XBHIS23

частина: 9465

Тип пам'яті: Non-Volatile, Формат пам'яті: FLASH, Технологія: FLASH - NOR, Обсяг пам'яті: 64Mb (8M x 8), Тактова частота: 108MHz, Написати час циклу - Слово, Сторінка: 3ms,

CY14MB064J2-SXIT

частина: 3634

Тип пам'яті: Non-Volatile, Формат пам'яті: NVSRAM, Технологія: NVSRAM (Non-Volatile SRAM), Обсяг пам'яті: 64Kb (8K x 8), Тактова частота: 3.4MHz,

CY7C1011CV33-10BAJXET

частина: 8969

Тип пам'яті: Volatile, Формат пам'яті: SRAM, Технологія: SRAM - Asynchronous, Обсяг пам'яті: 2Mb (128K x 16), Написати час циклу - Слово, Сторінка: 10ns,

S34ML01G200BHI900

частина: 6584

Тип пам'яті: Non-Volatile, Формат пам'яті: FLASH, Технологія: FLASH - NAND, Обсяг пам'яті: 1Gb (128M x 8), Написати час циклу - Слово, Сторінка: 25ns,

CY7C1356CV25-166AXC

частина: 5658

Тип пам'яті: Volatile, Формат пам'яті: SRAM, Технологія: SRAM - Synchronous, Обсяг пам'яті: 9Mb (512K x 18), Тактова частота: 166MHz,

CY7C1415TV18-200BZI

частина: 7058

Тип пам'яті: Volatile, Формат пам'яті: SRAM, Технологія: SRAM - Synchronous, QDR II, Обсяг пам'яті: 36Mb (1M x 36), Тактова частота: 200MHz,

FM25V02-DG

частина: 709

Тип пам'яті: Non-Volatile, Формат пам'яті: FRAM, Технологія: FRAM (Ferroelectric RAM), Обсяг пам'яті: 256Kb (32K x 8), Тактова частота: 40MHz,

CY7C131E-55JXC

частина: 5857

Тип пам'яті: Volatile, Формат пам'яті: SRAM, Технологія: SRAM - Dual Port, Asynchronous, Обсяг пам'яті: 8Kb (1K x 8), Написати час циклу - Слово, Сторінка: 55ns,

S34ML04G100TFA000

частина: 4529

Тип пам'яті: Non-Volatile, Формат пам'яті: FLASH, Технологія: FLASH - NAND, Обсяг пам'яті: 4Gb (512M x 8), Написати час циклу - Слово, Сторінка: 25ns,

CY7C1470BV25-200BZCT

частина: 5678

Тип пам'яті: Volatile, Формат пам'яті: SRAM, Технологія: SRAM - Synchronous, Обсяг пам'яті: 72Mb (2M x 36), Тактова частота: 200MHz,

CY14B101Q1A-SXIT

частина: 4407

Тип пам'яті: Non-Volatile, Формат пам'яті: NVSRAM, Технологія: NVSRAM (Non-Volatile SRAM), Обсяг пам'яті: 1Mb (128K x 8), Тактова частота: 40MHz,

CY7C1462SV25-200AXCT

частина: 8258

Тип пам'яті: Volatile, Формат пам'яті: SRAM, Технологія: SRAM - Synchronous, Обсяг пам'яті: 36Mb (2M x 18), Тактова частота: 200MHz,

S29PL032J70BAW120

частина: 904

Тип пам'яті: Non-Volatile, Формат пам'яті: FLASH, Технологія: FLASH - NOR, Обсяг пам'яті: 32Mb (2M x 16), Написати час циклу - Слово, Сторінка: 70ns,

S25FL164K0XMFV003

частина: 4985

Тип пам'яті: Non-Volatile, Формат пам'яті: FLASH, Технологія: FLASH - NOR, Обсяг пам'яті: 64Mb (8M x 8), Тактова частота: 108MHz, Написати час циклу - Слово, Сторінка: 3ms,

CY14ME064J2-SXI

частина: 1353

Тип пам'яті: Non-Volatile, Формат пам'яті: NVSRAM, Технологія: NVSRAM (Non-Volatile SRAM), Обсяг пам'яті: 64Kb (8K x 8), Тактова частота: 3.4MHz,

CY7C1513AV18-200BZI

частина: 5700

Тип пам'яті: Volatile, Формат пам'яті: SRAM, Технологія: SRAM - Synchronous, QDR II, Обсяг пам'яті: 72Mb (4M x 18), Тактова частота: 200MHz,

CY62256EV18LL-70SNXIT

частина: 31733

Тип пам'яті: Volatile, Формат пам'яті: SRAM, Технологія: SRAM - Asynchronous, Обсяг пам'яті: 256Kb (32K x 8), Написати час циклу - Слово, Сторінка: 70ns,

CY7C131E-55NXC

частина: 4317

Тип пам'яті: Volatile, Формат пам'яті: SRAM, Технологія: SRAM - Dual Port, Asynchronous, Обсяг пам'яті: 8Kb (1K x 8), Написати час циклу - Слово, Сторінка: 55ns,

S25FL164K0XBHI033

частина: 7049

Тип пам'яті: Non-Volatile, Формат пам'яті: FLASH, Технологія: FLASH - NOR, Обсяг пам'яті: 64Mb (8M x 8), Тактова частота: 108MHz, Написати час циклу - Слово, Сторінка: 3ms,

CY7C1380F-167BZIT

частина: 5672

Тип пам'яті: Volatile, Формат пам'яті: SRAM, Технологія: SRAM - Synchronous, Обсяг пам'яті: 18Mb (512K x 36), Тактова частота: 167MHz,

CY62156ESL-45BVXI

частина: 7199

CY7C136AE-55JXI

частина: 5805

Тип пам'яті: Volatile, Формат пам'яті: SRAM, Технологія: SRAM - Dual Port, Asynchronous, Обсяг пам'яті: 16Kb (2K x 8), Написати час циклу - Слово, Сторінка: 55ns,

FM25VN10-G

частина: 5635

Тип пам'яті: Non-Volatile, Формат пам'яті: FRAM, Технологія: FRAM (Ferroelectric RAM), Обсяг пам'яті: 1Mb (128K x 8), Тактова частота: 40MHz,

STK14C88-3WF45

частина: 3666

Тип пам'яті: Non-Volatile, Формат пам'яті: NVSRAM, Технологія: NVSRAM (Non-Volatile SRAM), Обсяг пам'яті: 256Kb (32K x 8), Написати час циклу - Слово, Сторінка: 45ns,

CY7C21701KV18-400BZXC

частина: 7550

Тип пам'яті: Volatile, Формат пам'яті: SRAM, Технологія: SRAM - Synchronous, DDR II+, Обсяг пам'яті: 18Mb (512K x 36), Тактова частота: 400MHz,

CY14B104L-ZS20XI

частина: 5468

Тип пам'яті: Non-Volatile, Формат пам'яті: NVSRAM, Технологія: NVSRAM (Non-Volatile SRAM), Обсяг пам'яті: 4Mb (512K x 8), Написати час циклу - Слово, Сторінка: 20ns,

CY7C144E-15AXC

частина: 3763

Тип пам'яті: Volatile, Формат пам'яті: SRAM, Технологія: SRAM - Dual Port, Asynchronous, Обсяг пам'яті: 64Kb (8K x 8), Написати час циклу - Слово, Сторінка: 15ns,