Пам'ять

S29PL064J70BFW120

частина: 11784

Тип пам'яті: Non-Volatile, Формат пам'яті: FLASH, Технологія: FLASH - NOR, Обсяг пам'яті: 64Mb (4M x 16), Написати час циклу - Слово, Сторінка: 70ns,

S70FS01GSAGBHM213

частина: 3893

CY14V101QS-SE108XQ

частина: 5668

Тип пам'яті: Non-Volatile, Формат пам'яті: NVSRAM, Технологія: NVSRAM (Non-Volatile SRAM), Обсяг пам'яті: 1Mb (128K x 8), Тактова частота: 108MHz,

CY7C136AE-55NXIT

частина: 3522

Тип пам'яті: Volatile, Формат пам'яті: SRAM, Технологія: SRAM - Dual Port, Asynchronous, Обсяг пам'яті: 16Kb (2K x 8), Написати час циклу - Слово, Сторінка: 55ns,

S25FL164K0XNFIQ10

частина: 6617

Тип пам'яті: Non-Volatile, Формат пам'яті: FLASH, Технологія: FLASH - NOR, Обсяг пам'яті: 64Mb (8M x 8), Тактова частота: 108MHz, Написати час циклу - Слово, Сторінка: 3ms,

STK12C68-PF55

частина: 8300

Тип пам'яті: Non-Volatile, Формат пам'яті: NVSRAM, Технологія: NVSRAM (Non-Volatile SRAM), Обсяг пам'яті: 64Kb (8K x 8), Написати час циклу - Слово, Сторінка: 55ns,

S29CL032J0RQAI030

частина: 9658

Тип пам'яті: Non-Volatile, Формат пам'яті: FLASH, Технологія: FLASH - NOR, Обсяг пам'яті: 32Mb (1M x 32), Тактова частота: 75MHz, Написати час циклу - Слово, Сторінка: 60ns,

CY14B256LA-SP45XI

частина: 5655

Тип пам'яті: Non-Volatile, Формат пам'яті: NVSRAM, Технологія: NVSRAM (Non-Volatile SRAM), Обсяг пам'яті: 256Kb (32K x 8), Написати час циклу - Слово, Сторінка: 45ns,

FM25C160B-GA

частина: 30231

Тип пам'яті: Non-Volatile, Формат пам'яті: FRAM, Технологія: FRAM (Ferroelectric RAM), Обсяг пам'яті: 16Kb (2K x 8), Тактова частота: 15MHz,

S29GL01GT12DHVV20

частина: 5035

Тип пам'яті: Non-Volatile, Формат пам'яті: FLASH, Технологія: FLASH - NOR, Обсяг пам'яті: 1Gb (128M x 8), Написати час циклу - Слово, Сторінка: 60ns,

CY621572E18LL-55BVXIT

частина: 3824

Тип пам'яті: Volatile, Формат пам'яті: SRAM, Технологія: SRAM - Asynchronous, Обсяг пам'яті: 8Mb (512K x 16), Написати час циклу - Слово, Сторінка: 55ns,

CY7C1315LV18-250BZC

частина: 9129

Тип пам'яті: Volatile, Формат пам'яті: SRAM, Технологія: SRAM - Synchronous, QDR II, Обсяг пам'яті: 18Mb (512K x 36), Тактова частота: 250MHz,

CY7C2565KV18-400BZXI

частина: 7625

Тип пам'яті: Volatile, Формат пам'яті: SRAM, Технологія: SRAM - Synchronous, QDR II+, Обсяг пам'яті: 72Mb (2M x 36), Тактова частота: 400MHz,

CY62167GE-45ZXIT

частина: 5709

Тип пам'яті: Volatile, Формат пам'яті: SRAM, Технологія: SRAM - Asynchronous, Обсяг пам'яті: 16Mb (2M x 8, 1M x 16), Написати час циклу - Слово, Сторінка: 45ns,

CY7C131E-55JXI

частина: 3135

Тип пам'яті: Volatile, Формат пам'яті: SRAM, Технологія: SRAM - Dual Port, Asynchronous, Обсяг пам'яті: 8Kb (1K x 8), Написати час циклу - Слово, Сторінка: 55ns,

CY14V101PS-SF108XI

частина: 5707

Тип пам'яті: Non-Volatile, Формат пам'яті: NVSRAM, Технологія: NVSRAM (Non-Volatile SRAM), Обсяг пам'яті: 1Mb (128K x 8), Тактова частота: 108MHz,

CY7C136E-25JXC

частина: 3138

Тип пам'яті: Volatile, Формат пам'яті: SRAM, Технологія: SRAM - Dual Port, Asynchronous, Обсяг пам'яті: 16Kb (2K x 8), Написати час циклу - Слово, Сторінка: 25ns,

S25FL164K0XMFI001

частина: 6815

Тип пам'яті: Non-Volatile, Формат пам'яті: FLASH, Технологія: FLASH - NOR, Обсяг пам'яті: 64Mb (8M x 8), Тактова частота: 108MHz, Написати час циклу - Слово, Сторінка: 3ms,

CY7C1383F-133BZI

частина: 3849

Тип пам'яті: Volatile, Формат пам'яті: SRAM, Технологія: SRAM - Synchronous, Обсяг пам'яті: 18Mb (1M x 18), Тактова частота: 133MHz,

CY7C131E-25NXCT

частина: 3405

Тип пам'яті: Volatile, Формат пам'яті: SRAM, Технологія: SRAM - Dual Port, Asynchronous, Обсяг пам'яті: 8Kb (1K x 8), Написати час циклу - Слово, Сторінка: 25ns,

S29PL032J70BFI122

частина: 927

Тип пам'яті: Non-Volatile, Формат пам'яті: FLASH, Технологія: FLASH - NOR, Обсяг пам'яті: 32Mb (2M x 16), Написати час циклу - Слово, Сторінка: 70ns,

S34ML04G100BHI000

частина: 5694

Тип пам'яті: Non-Volatile, Формат пам'яті: FLASH, Технологія: FLASH - NAND, Обсяг пам'яті: 4Gb (512M x 8), Написати час циклу - Слово, Сторінка: 25ns,

S25FL164K0XNFI011

частина: 6903

Тип пам'яті: Non-Volatile, Формат пам'яті: FLASH, Технологія: FLASH - NOR, Обсяг пам'яті: 64Mb (8M x 8), Тактова частота: 108MHz, Написати час циклу - Слово, Сторінка: 3ms,

FM24CL64B-GATR

частина: 27042

Тип пам'яті: Non-Volatile, Формат пам'яті: FRAM, Технологія: FRAM (Ferroelectric RAM), Обсяг пам'яті: 64Kb (8K x 8), Тактова частота: 1MHz,

S29WS512P0PBFW000

частина: 122

Тип пам'яті: Non-Volatile, Формат пам'яті: FLASH, Технологія: FLASH - NOR, Обсяг пам'яті: 512Mb (32M x 16), Тактова частота: 66MHz, Написати час циклу - Слово, Сторінка: 60ns,

CY7C028AV-25AXC

частина: 9010

Тип пам'яті: Volatile, Формат пам'яті: SRAM, Технологія: SRAM - Dual Port, Asynchronous, Обсяг пам'яті: 1Mb (64K x 16), Написати час циклу - Слово, Сторінка: 25ns,

CY62167EV30LL-45ZXIT

частина: 5694

Тип пам'яті: Volatile, Формат пам'яті: SRAM, Технологія: SRAM - Asynchronous, Обсяг пам'яті: 16Mb (2M x 8, 1M x 16), Написати час циклу - Слово, Сторінка: 45ns,

STK15C88-SF25

частина: 5938

Тип пам'яті: Non-Volatile, Формат пам'яті: NVSRAM, Технологія: NVSRAM (Non-Volatile SRAM), Обсяг пам'яті: 256Kb (32K x 8), Написати час циклу - Слово, Сторінка: 25ns,

CY7C1315CV18-250BZC

частина: 2438

Тип пам'яті: Volatile, Формат пам'яті: SRAM, Технологія: SRAM - Synchronous, QDR II, Обсяг пам'яті: 18Mb (512K x 36), Тактова частота: 250MHz,

STK17TA8-RF45ITR

частина: 5798

Тип пам'яті: Non-Volatile, Формат пам'яті: NVSRAM, Технологія: NVSRAM (Non-Volatile SRAM), Обсяг пам'яті: 1Mb (128K x 8), Написати час циклу - Слово, Сторінка: 45ns,

STK14C88-NF45ITR

частина: 5704

Тип пам'яті: Non-Volatile, Формат пам'яті: NVSRAM, Технологія: NVSRAM (Non-Volatile SRAM), Обсяг пам'яті: 256Kb (32K x 8), Написати час циклу - Слово, Сторінка: 45ns,

S29GL01GS11FHB020

частина: 5620

Тип пам'яті: Non-Volatile, Формат пам'яті: FLASH, Технологія: FLASH - NOR, Обсяг пам'яті: 1Gb (64M x 16), Написати час циклу - Слово, Сторінка: 60ns,

CY62158ELL-45ZSXI

частина: 5944

Тип пам'яті: Volatile, Формат пам'яті: SRAM, Технологія: SRAM - Asynchronous, Обсяг пам'яті: 8Mb (1M x 8), Написати час циклу - Слово, Сторінка: 45ns,

S26KS512SDGBHI030

частина: 492

Тип пам'яті: Non-Volatile, Формат пам'яті: FLASH, Технологія: FLASH - NOR, Обсяг пам'яті: 512Mb (64M x 8), Тактова частота: 133MHz,

CY7C1570V18-400BZXC

частина: 4553

Тип пам'яті: Volatile, Формат пам'яті: SRAM, Технологія: SRAM - Synchronous, DDR II, Обсяг пам'яті: 72Mb (2M x 36), Тактова частота: 400MHz,

S29GL01GT11DHB023

частина: 194