Пам'ять

CY62168GE30-45BVXI

частина: 5258

Тип пам'яті: Volatile, Формат пам'яті: SRAM, Технологія: SRAM - Asynchronous, Обсяг пам'яті: 16Mb (2M x 8), Написати час циклу - Слово, Сторінка: 45ns,

CG7803AAT

частина: 7891

S25FL116K0XBHIS33

частина: 3307

Тип пам'яті: Non-Volatile, Формат пам'яті: FLASH, Технологія: FLASH - NOR, Обсяг пам'яті: 16Mb (2M x 8), Тактова частота: 108MHz, Написати час циклу - Слово, Сторінка: 3ms,

S25FL132K0XBHIS23

частина: 7406

Тип пам'яті: Non-Volatile, Формат пам'яті: FLASH, Технологія: FLASH - NOR, Обсяг пам'яті: 32Mb (4M x 8), Тактова частота: 108MHz, Написати час циклу - Слово, Сторінка: 3ms,

S34MS01G100BHB003

частина: 6775

Тип пам'яті: Non-Volatile, Формат пам'яті: FLASH, Технологія: FLASH - NAND, Обсяг пам'яті: 1Gb (128M x 8), Написати час циклу - Слово, Сторінка: 45ns,

S34ML02G100TFA003

частина: 4078

Тип пам'яті: Non-Volatile, Формат пам'яті: FLASH, Технологія: FLASH - NAND, Обсяг пам'яті: 2Gb (256M x 8), Написати час циклу - Слово, Сторінка: 25ns,

S25FL132K0XBHIS33

частина: 3666

Тип пам'яті: Non-Volatile, Формат пам'яті: FLASH, Технологія: FLASH - NOR, Обсяг пам'яті: 32Mb (4M x 8), Тактова частота: 108MHz, Написати час циклу - Слово, Сторінка: 3ms,

S29GL01GT12TFN010

частина: 4355

Тип пам'яті: Non-Volatile, Формат пам'яті: FLASH, Технологія: FLASH - NOR, Обсяг пам'яті: 1Gb (128M x 8), Написати час циклу - Слово, Сторінка: 60ns,

CY62167DV30LL-55ZXIT

частина: 5102

Тип пам'яті: Volatile, Формат пам'яті: SRAM, Технологія: SRAM - Asynchronous, Обсяг пам'яті: 16Mb (1M x 16), Написати час циклу - Слово, Сторінка: 55ns,

S29GL01GT11FHB020

частина: 118

S25FL116K0XBHV023

частина: 3312

Тип пам'яті: Non-Volatile, Формат пам'яті: FLASH, Технологія: FLASH - NOR, Обсяг пам'яті: 16Mb (2M x 8), Тактова частота: 108MHz, Написати час циклу - Слово, Сторінка: 3ms,

S34ML01G200BHA000

частина: 4894

Тип пам'яті: Non-Volatile, Формат пам'яті: FLASH, Технологія: FLASH - NAND, Обсяг пам'яті: 1Gb (128M x 8), Написати час циклу - Слово, Сторінка: 25ns,

S34ML08G101TFB000

частина: 2592

Тип пам'яті: Non-Volatile, Формат пам'яті: FLASH, Технологія: FLASH - NAND, Обсяг пам'яті: 8Gb (1G x 8), Написати час циклу - Слово, Сторінка: 25ns,

S25FL116K0XMFV011

частина: 5487

Тип пам'яті: Non-Volatile, Формат пам'яті: FLASH, Технологія: FLASH - NOR, Обсяг пам'яті: 16Mb (2M x 8), Тактова частота: 108MHz, Написати час циклу - Слово, Сторінка: 3ms,

S25FL116K0XNFV010

частина: 4379

Тип пам'яті: Non-Volatile, Формат пам'яті: FLASH, Технологія: FLASH - NOR, Обсяг пам'яті: 16Mb (2M x 8), Тактова частота: 108MHz, Написати час циклу - Слово, Сторінка: 3ms,

CG8406AA

частина: 7655

S40410081B1B1I003

частина: 6785

Тип пам'яті: Non-Volatile, Формат пам'яті: FLASH, Технологія: FLASH - NAND, Обсяг пам'яті: 8Gb (1G x 8), Тактова частота: 200MHz,

S29PL127J70TAI133

частина: 3996

Тип пам'яті: Non-Volatile, Формат пам'яті: FLASH, Технологія: FLASH - NOR, Обсяг пам'яті: 128Mb (8M x 16), Написати час циклу - Слово, Сторінка: 70ns,

S25FL129P0XMFV011

частина: 5627

Тип пам'яті: Non-Volatile, Формат пам'яті: FLASH, Технологія: FLASH - NOR, Обсяг пам'яті: 128Mb (16M x 8), Тактова частота: 104MHz, Написати час циклу - Слово, Сторінка: 5µs, 3ms,

S29GL064N11FFIV12

частина: 3807

Тип пам'яті: Non-Volatile, Формат пам'яті: FLASH, Технологія: FLASH - NOR, Обсяг пам'яті: 64Mb (8M x 8, 4M x 16), Написати час циклу - Слово, Сторінка: 110ns,

S25FL132K0XWEV009

частина: 3137

Тип пам'яті: Non-Volatile, Формат пам'яті: FLASH, Технологія: FLASH - NOR, Обсяг пам'яті: 32Mb (4M x 8), Тактова частота: 108MHz, Написати час циклу - Слово, Сторінка: 3ms,

S34ML01G200TFV003

частина: 4047

Тип пам'яті: Non-Volatile, Формат пам'яті: FLASH, Технологія: FLASH - NAND, Обсяг пам'яті: 1Gb (128M x 8), Написати час циклу - Слово, Сторінка: 25ns,

S34ML01G100BHV000

частина: 11325

Тип пам'яті: Non-Volatile, Формат пам'яті: FLASH, Технологія: FLASH - NAND, Обсяг пам'яті: 1Gb (128M x 8), Написати час циклу - Слово, Сторінка: 25ns,

S70GL02GS12FHIV13

частина: 151

Тип пам'яті: Non-Volatile, Формат пам'яті: FLASH, Технологія: FLASH - NOR, Обсяг пам'яті: 2Gb (128M x 16),

S34ML04G100BHB000

частина: 4348

Тип пам'яті: Non-Volatile, Формат пам'яті: FLASH, Технологія: FLASH - NAND, Обсяг пам'яті: 4Gb (512M x 8), Написати час циклу - Слово, Сторінка: 25ns,

S29GL032N11WEI039

частина: 3260

Тип пам'яті: Non-Volatile, Формат пам'яті: FLASH, Технологія: FLASH - NOR, Обсяг пам'яті: 32Mb (4M x 8, 2M x 16), Написати час циклу - Слово, Сторінка: 110ns,

S25FL129P0XBHIY10

частина: 7508

Тип пам'яті: Non-Volatile, Формат пам'яті: FLASH, Технологія: FLASH - NOR, Обсяг пам'яті: 128Mb (16M x 8), Тактова частота: 104MHz, Написати час циклу - Слово, Сторінка: 5µs, 3ms,

S34ML04G100TFV000

частина: 4960

Тип пам'яті: Non-Volatile, Формат пам'яті: FLASH, Технологія: FLASH - NAND, Обсяг пам'яті: 4Gb (512M x 8), Написати час циклу - Слово, Сторінка: 25ns,

S29PL032J55BFI123

частина: 3813

Тип пам'яті: Non-Volatile, Формат пам'яті: FLASH, Технологія: FLASH - NOR, Обсяг пам'яті: 32Mb (2M x 16), Написати час циклу - Слово, Сторінка: 55ns,

S29PL032J55BFI120

частина: 4791

Тип пам'яті: Non-Volatile, Формат пам'яті: FLASH, Технологія: FLASH - NOR, Обсяг пам'яті: 32Mb (2M x 16), Написати час циклу - Слово, Сторінка: 55ns,

S25FL116K0XMFIQ10

частина: 4247

Тип пам'яті: Non-Volatile, Формат пам'яті: FLASH, Технологія: FLASH - NOR, Обсяг пам'яті: 16Mb (2M x 8), Тактова частота: 108MHz, Написати час циклу - Слово, Сторінка: 3ms,

S29CD016J0PQAM113

частина: 3806

Тип пам'яті: Non-Volatile, Формат пам'яті: FLASH, Технологія: FLASH - NOR, Обсяг пам'яті: 16Mb (512K x 32), Тактова частота: 66MHz, Написати час циклу - Слово, Сторінка: 60ns,

S25FL116K0XMFV040

частина: 4344

Тип пам'яті: Non-Volatile, Формат пам'яті: FLASH, Технологія: FLASH - NOR, Обсяг пам'яті: 16Mb (2M x 8), Тактова частота: 108MHz, Написати час циклу - Слово, Сторінка: 3ms,

S29PL127J60TAW130

частина: 4830

Тип пам'яті: Non-Volatile, Формат пам'яті: FLASH, Технологія: FLASH - NOR, Обсяг пам'яті: 128Mb (8M x 16), Написати час циклу - Слово, Сторінка: 60ns,

S29GL01GP13TFIV10

частина: 4699

Тип пам'яті: Non-Volatile, Формат пам'яті: FLASH, Технологія: FLASH - NOR, Обсяг пам'яті: 1Gb (128M x 8), Написати час циклу - Слово, Сторінка: 130ns,

S34ML02G200TFV000

частина: 6937

Тип пам'яті: Non-Volatile, Формат пам'яті: FLASH, Технологія: FLASH - NAND, Обсяг пам'яті: 2Gb (256M x 8), Написати час циклу - Слово, Сторінка: 25ns,