Пам'ять

S70GL02GS11FHV023

частина: 3629

Тип пам'яті: Non-Volatile, Формат пам'яті: FLASH, Технологія: FLASH - NOR, Обсяг пам'яті: 2Gb (128M x 16),

STK14C88A-WAF

частина: 1858

Тип пам'яті: Non-Volatile, Формат пам'яті: NVSRAM, Технологія: NVSRAM (Non-Volatile SRAM), Обсяг пам'яті: 256Kb (32K x 8),

S29GL512P10TFCR10D

частина: 5586

Тип пам'яті: Non-Volatile, Формат пам'яті: FLASH, Технологія: FLASH - NOR, Обсяг пам'яті: 512Mb (32M x 16), Написати час циклу - Слово, Сторінка: 100ns,

S34ML08G201BHB000

частина: 4051

Тип пам'яті: Non-Volatile, Формат пам'яті: FLASH, Технологія: FLASH - NAND, Обсяг пам'яті: 8Gb (1G x 8), Написати час циклу - Слово, Сторінка: 25ns,

S25FL032P0XMFI001M

частина: 2793

Тип пам'яті: Non-Volatile, Формат пам'яті: FLASH, Технологія: FLASH - NOR, Обсяг пам'яті: 32Mb (4M x 8), Тактова частота: 104MHz, Написати час циклу - Слово, Сторінка: 5µs, 3ms,

IS29GL01GS-11TFV013

частина: 718

Тип пам'яті: Non-Volatile, Формат пам'яті: FLASH, Технологія: FLASH - NOR, Обсяг пам'яті: 1Gb (128M x 8), Написати час циклу - Слово, Сторінка: 60ns,

S25FL064P0XNFV003M

частина: 3197

Тип пам'яті: Non-Volatile, Формат пам'яті: FLASH, Технологія: FLASH - NOR, Обсяг пам'яті: 64Mb (8M x 8), Тактова частота: 104MHz, Написати час циклу - Слово, Сторінка: 5µs, 3ms,

S34ML02G200BHA000

частина: 9659

Тип пам'яті: Non-Volatile, Формат пам'яті: FLASH, Технологія: FLASH - NAND, Обсяг пам'яті: 2Gb (256M x 8), Написати час циклу - Слово, Сторінка: 25ns,

IS29GL128S-10DHB010

частина: 6932

Тип пам'яті: Non-Volatile, Формат пам'яті: FLASH, Технологія: FLASH - NOR, Обсяг пам'яті: 128Mb (16M x 8), Написати час циклу - Слово, Сторінка: 60ns,

S34ML02G200BHI003

частина: 12553

Тип пам'яті: Non-Volatile, Формат пам'яті: FLASH, Технологія: FLASH - NAND, Обсяг пам'яті: 2Gb (256M x 8), Написати час циклу - Слово, Сторінка: 25ns,

S25FL132K0XNFI040

частина: 3699

Тип пам'яті: Non-Volatile, Формат пам'яті: FLASH, Технологія: FLASH - NOR, Обсяг пам'яті: 32Mb (4M x 8), Тактова частота: 108MHz, Написати час циклу - Слово, Сторінка: 3ms,

CY7C1444AV33-1XWI

частина: 9350

Тип пам'яті: Volatile, Формат пам'яті: SRAM, Технологія: SRAM - Synchronous, Обсяг пам'яті: 36Mb (1M x 36),

CQ191-80056

частина: 2727

S34SL02G200BHV003

частина: 11315

Тип пам'яті: Non-Volatile, Формат пам'яті: FLASH, Технологія: FLASH - NAND, Обсяг пам'яті: 2Gb (256M x 8),

S29GL01GP13FAIV10

частина: 2008

Тип пам'яті: Non-Volatile, Формат пам'яті: FLASH, Технологія: FLASH - NOR, Обсяг пам'яті: 1Gb (128M x 8), Написати час циклу - Слово, Сторінка: 130ns,

S29PL127J65BAW000

частина: 7336

Тип пам'яті: Non-Volatile, Формат пам'яті: FLASH, Технологія: FLASH - NOR, Обсяг пам'яті: 128Mb (8M x 16), Написати час циклу - Слово, Сторінка: 65ns,

S25FL064P0XMFV000M

частина: 3080

Тип пам'яті: Non-Volatile, Формат пам'яті: FLASH, Технологія: FLASH - NOR, Обсяг пам'яті: 64Mb (8M x 8), Тактова частота: 104MHz, Написати час циклу - Слово, Сторінка: 5µs, 3ms,

S29GL512P10FAIR10

частина: 2021

Тип пам'яті: Non-Volatile, Формат пам'яті: FLASH, Технологія: FLASH - NOR, Обсяг пам'яті: 512Mb (32M x 16), Написати час циклу - Слово, Сторінка: 100ns,

S29GL512P11TFI020D

частина: 5614

Тип пам'яті: Non-Volatile, Формат пам'яті: FLASH, Технологія: FLASH - NOR, Обсяг пам'яті: 512Mb (32M x 16), Написати час циклу - Слово, Сторінка: 110ns,

IS29GL01GS-11DHB02

частина: 7483

Тип пам'яті: Non-Volatile, Формат пам'яті: FLASH, Технологія: FLASH - NOR, Обсяг пам'яті: 1Gb (128M x 8), Написати час циклу - Слово, Сторінка: 60ns,

S34ML08G201TFV000

частина: 4027

Тип пам'яті: Non-Volatile, Формат пам'яті: FLASH, Технологія: FLASH - NAND, Обсяг пам'яті: 8Gb (1G x 8), Написати час циклу - Слово, Сторінка: 25ns,

S70GL02GS12FHVV23

частина: 1723

Тип пам'яті: Non-Volatile, Формат пам'яті: FLASH, Технологія: FLASH - NOR, Обсяг пам'яті: 2Gb (128M x 16),

S25FL032P0XMFI003M

частина: 9043

Тип пам'яті: Non-Volatile, Формат пам'яті: FLASH, Технологія: FLASH - NOR, Обсяг пам'яті: 32Mb (4M x 8), Тактова частота: 104MHz, Написати час циклу - Слово, Сторінка: 5µs, 3ms,

S30ML512P30TFI000

частина: 6116

S34ML08G201TFB003

частина: 4733

Тип пам'яті: Non-Volatile, Формат пам'яті: FLASH, Технологія: FLASH - NAND, Обсяг пам'яті: 8Gb (1G x 8), Написати час циклу - Слово, Сторінка: 25ns,

S25FL064P0XMFV003M

частина: 3179

Тип пам'яті: Non-Volatile, Формат пам'яті: FLASH, Технологія: FLASH - NOR, Обсяг пам'яті: 64Mb (8M x 8), Тактова частота: 104MHz, Написати час циклу - Слово, Сторінка: 5µs, 3ms,

CY62167GE-45ZXI

частина: 4432

Тип пам'яті: Volatile, Формат пам'яті: SRAM, Технологія: SRAM - Asynchronous, Обсяг пам'яті: 16Mb (2M x 8, 1M x 16), Написати час циклу - Слово, Сторінка: 45ns,

S29GL512N11TFVR20

частина: 3473

Тип пам'яті: Non-Volatile, Формат пам'яті: FLASH, Технологія: FLASH - NOR, Обсяг пам'яті: 512Mb (64M x 8, 32M x 16), Написати час циклу - Слово, Сторінка: 110ns,

FM25040B-GA1

частина: 6803

Тип пам'яті: Non-Volatile, Формат пам'яті: FRAM, Технологія: FRAM (Ferroelectric RAM), Обсяг пам'яті: 4Kb (512 x 8), Тактова частота: 14MHz,

S99FL132KI010

частина: 3492

S99GL01GP11TFIR20

частина: 9316

Тип пам'яті: Non-Volatile, Формат пам'яті: FLASH, Технологія: FLASH - NOR, Обсяг пам'яті: 1Gb (128M x 8),

S34SL04G200BHI003

частина: 9623

Тип пам'яті: Non-Volatile, Формат пам'яті: FLASH, Технологія: FLASH - NAND, Обсяг пам'яті: 4Gb (512M x 8),

S34MS08G201BHA000

частина: 4176

Тип пам'яті: Non-Volatile, Формат пам'яті: FLASH, Технологія: FLASH - NAND, Обсяг пам'яті: 8Gb (1G x 8), Написати час циклу - Слово, Сторінка: 45ns,

CG8257AAT

частина: 5325

S34SL04G200BHI000

частина: 8291

Тип пам'яті: Non-Volatile, Формат пам'яті: FLASH, Технологія: FLASH - NAND, Обсяг пам'яті: 4Gb (512M x 8),

IS29GL512S-11DHV020

частина: 692

Тип пам'яті: Non-Volatile, Формат пам'яті: FLASH, Технологія: FLASH - NOR, Обсяг пам'яті: 512Mb (64M x 8), Написати час циклу - Слово, Сторінка: 60ns,