Пам'ять

S29CD016J0PFFM113

частина: 9468

Тип пам'яті: Non-Volatile, Формат пам'яті: FLASH, Технологія: FLASH - NOR, Обсяг пам'яті: 16Mb (512K x 32), Тактова частота: 66MHz, Написати час циклу - Слово, Сторінка: 60ns,

S34ML04G100TFB000

частина: 8068

Тип пам'яті: Non-Volatile, Формат пам'яті: FLASH, Технологія: FLASH - NAND, Обсяг пам'яті: 4Gb (512M x 8), Написати час циклу - Слово, Сторінка: 25ns,

CY62167G30-55BVXET

частина: 4817

Тип пам'яті: Volatile, Формат пам'яті: SRAM, Технологія: SRAM - Asynchronous, Обсяг пам'яті: 16Mb (2M x 8, 1M x 16), Написати час циклу - Слово, Сторінка: 55ns,

S29GL512N10FFA010

частина: 3934

Тип пам'яті: Non-Volatile, Формат пам'яті: FLASH, Технологія: FLASH - NOR, Обсяг пам'яті: 512Mb (64M x 8, 32M x 16), Написати час циклу - Слово, Сторінка: 100ns,

CG7901AAT

частина: 7936

CY14V101NA-BA25XIT

частина: 4565

Тип пам'яті: Non-Volatile, Формат пам'яті: NVSRAM, Технологія: NVSRAM (Non-Volatile SRAM), Обсяг пам'яті: 1Mb (64K x 16), Написати час циклу - Слово, Сторінка: 25ns,

CY7C1360S-166AXC

частина: 5366

Тип пам'яті: Volatile, Формат пам'яті: SRAM, Технологія: SRAM - Synchronous, Обсяг пам'яті: 9Mb (256K x 36), Тактова частота: 166MHz,

CY62167G-45ZXI

частина: 4842

CY7C1365C-133BZI

частина: 4740

Тип пам'яті: Volatile, Формат пам'яті: SRAM, Технологія: SRAM - Synchronous, Обсяг пам'яті: 8Mb (256K x 32), Тактова частота: 133MHz,

CG8223AAT

частина: 1389

CG8232AA

частина: 1482

CG8102AA

частина: 8040

CG8101AA

частина: 7945

CY7C1356C-166AXI

частина: 4889

Тип пам'яті: Volatile, Формат пам'яті: SRAM, Технологія: SRAM - Synchronous, Обсяг пам'яті: 9Mb (512K x 18), Тактова частота: 166MHz,

CY7C1364C-166BZI

частина: 4751

Тип пам'яті: Volatile, Формат пам'яті: SRAM, Технологія: SRAM - Synchronous, Обсяг пам'яті: 8Mb (256K x 32), Тактова частота: 166MHz,

QMP29GL01GP11TAIR20

частина: 1650

Тип пам'яті: Non-Volatile, Формат пам'яті: FLASH, Технологія: FLASH - NOR, Обсяг пам'яті: 1Gb (128M x 8),

S34ML08G101TFI203

частина: 7176

Тип пам'яті: Non-Volatile, Формат пам'яті: FLASH, Технологія: FLASH - NAND, Обсяг пам'яті: 8Gb (1G x 8), Написати час циклу - Слово, Сторінка: 25ns,

CY7C1360C-200AXC

частина: 5335

S25FL116K0XNFV013

частина: 3412

Тип пам'яті: Non-Volatile, Формат пам'яті: FLASH, Технологія: FLASH - NOR, Обсяг пам'яті: 16Mb (2M x 8), Тактова частота: 108MHz, Написати час циклу - Слово, Сторінка: 3ms,

S34MS01G200TFI003

частина: 6814

Тип пам'яті: Non-Volatile, Формат пам'яті: FLASH, Технологія: FLASH - NAND, Обсяг пам'яті: 1Gb (128M x 8), Написати час циклу - Слово, Сторінка: 45ns,

S25FL032P0XNFV010

частина: 4295

Тип пам'яті: Non-Volatile, Формат пам'яті: FLASH, Технологія: FLASH - NOR, Обсяг пам'яті: 32Mb (4M x 8), Тактова частота: 104MHz, Написати час циклу - Слово, Сторінка: 5µs, 3ms,

CG8214AAT

частина: 7733

S29AL008J70WHN029

частина: 3183

Тип пам'яті: Non-Volatile, Формат пам'яті: FLASH, Технологія: FLASH - NOR, Обсяг пам'яті: 8Mb (1M x 8, 512K x 16), Написати час циклу - Слово, Сторінка: 70ns,

S25FL116K0XBHIS20

частина: 4243

Тип пам'яті: Non-Volatile, Формат пам'яті: FLASH, Технологія: FLASH - NOR, Обсяг пам'яті: 16Mb (2M x 8), Тактова частота: 108MHz, Написати час циклу - Слово, Сторінка: 3ms,

S40410081B1B1W000

частина: 5404

Тип пам'яті: Non-Volatile, Формат пам'яті: FLASH, Технологія: FLASH - NAND, Обсяг пам'яті: 8Gb (1G x 8), Тактова частота: 200MHz,

S29AL016J70WEI029

частина: 7367

Тип пам'яті: Non-Volatile, Формат пам'яті: FLASH, Технологія: FLASH - NOR, Обсяг пам'яті: 16Mb (2M x 8, 1M x 16), Написати час циклу - Слово, Сторінка: 70ns,

S25FL116K0XNFV011

частина: 5546

Тип пам'яті: Non-Volatile, Формат пам'яті: FLASH, Технологія: FLASH - NOR, Обсяг пам'яті: 16Mb (2M x 8), Тактова частота: 108MHz, Написати час циклу - Слово, Сторінка: 3ms,

S34ML04G200TFA000

частина: 6090

Тип пам'яті: Non-Volatile, Формат пам'яті: FLASH, Технологія: FLASH - NAND, Обсяг пам'яті: 4Gb (512M x 8), Написати час циклу - Слово, Сторінка: 25ns,

S29AS008J70BFA042

частина: 3761

Тип пам'яті: Non-Volatile, Формат пам'яті: FLASH, Технологія: FLASH - NOR, Обсяг пам'яті: 8Mb (1M x 8, 512K x 16), Написати час циклу - Слово, Сторінка: 70ns,

CY7C1357C-133AXC

частина: 5620

Тип пам'яті: Volatile, Формат пам'яті: SRAM, Технологія: SRAM - Synchronous, Обсяг пам'яті: 9Mb (512K x 18), Тактова частота: 133MHz,

S25FL129P0XBHV303

частина: 7385

Тип пам'яті: Non-Volatile, Формат пам'яті: FLASH, Технологія: FLASH - NOR, Обсяг пам'яті: 128Mb (16M x 8), Тактова частота: 104MHz, Написати час циклу - Слово, Сторінка: 5µs, 3ms,

S25FL164K0XMFIS10

частина: 4544

Тип пам'яті: Non-Volatile, Формат пам'яті: FLASH, Технологія: FLASH - NOR, Обсяг пам'яті: 64Mb (8M x 8), Тактова частота: 108MHz, Написати час циклу - Слово, Сторінка: 3ms,

S34MS01G200TFA000

частина: 6974

Тип пам'яті: Non-Volatile, Формат пам'яті: FLASH, Технологія: FLASH - NAND, Обсяг пам'яті: 1Gb (128M x 8), Написати час циклу - Слово, Сторінка: 45ns,

S34ML01G100TFV000

частина: 4908

Тип пам'яті: Non-Volatile, Формат пам'яті: FLASH, Технологія: FLASH - NAND, Обсяг пам'яті: 1Gb (128M x 8), Написати час циклу - Слово, Сторінка: 25ns,

S34ML04G200TFB000

частина: 5172

Тип пам'яті: Non-Volatile, Формат пам'яті: FLASH, Технологія: FLASH - NAND, Обсяг пам'яті: 4Gb (512M x 8), Написати час циклу - Слово, Сторінка: 25ns,

S29PL064J70BAI122

частина: 7455

Тип пам'яті: Non-Volatile, Формат пам'яті: FLASH, Технологія: FLASH - NOR, Обсяг пам'яті: 64Mb (4M x 16), Написати час циклу - Слово, Сторінка: 70ns,