Пам'ять

S99-50244 P

частина: 2806

CY7C10612G30-10ZSXI

частина: 5059

S99ML04G10044

частина: 6466

CY62167EV18LL-55BVIT

частина: 4457

Тип пам'яті: Volatile, Формат пам'яті: SRAM, Технологія: SRAM - Asynchronous, Обсяг пам'яті: 16Mb (1M x 16), Написати час циклу - Слово, Сторінка: 55ns,

S34ML08G201BHA000

частина: 3231

Тип пам'яті: Non-Volatile, Формат пам'яті: FLASH, Технологія: FLASH - NAND, Обсяг пам'яті: 8Gb (1G x 8), Написати час циклу - Слово, Сторінка: 25ns,

IS29GL256S-10TFV020

частина: 5947

Тип пам'яті: Non-Volatile, Формат пам'яті: FLASH, Технологія: FLASH - NOR, Обсяг пам'яті: 256Mb (32M x 8), Написати час циклу - Слово, Сторінка: 60ns,

QMP29GL512P11TFI010

частина: 1921

Тип пам'яті: Non-Volatile, Формат пам'яті: FLASH, Технологія: FLASH - NOR, Обсяг пам'яті: 512Mb (32M x 16),

IS29GL512S-11DHB010

частина: 6219

Тип пам'яті: Non-Volatile, Формат пам'яті: FLASH, Технологія: FLASH - NOR, Обсяг пам'яті: 512Mb (64M x 8), Написати час циклу - Слово, Сторінка: 60ns,

CG8258AAT

частина: 5252

S29GL512N11FFVR20

частина: 6912

Тип пам'яті: Non-Volatile, Формат пам'яті: FLASH, Технологія: FLASH - NOR, Обсяг пам'яті: 512Mb (64M x 8, 32M x 16), Написати час циклу - Слово, Сторінка: 110ns,

S34SL02G200BHI000

частина: 11297

Тип пам'яті: Non-Volatile, Формат пам'яті: FLASH, Технологія: FLASH - NAND, Обсяг пам'яті: 2Gb (256M x 8),

FM28V020-TG

частина: 4495

Тип пам'яті: Non-Volatile, Формат пам'яті: FRAM, Технологія: FRAM (Ferroelectric RAM), Обсяг пам'яті: 256Kb (32K x 8), Написати час циклу - Слово, Сторінка: 140ns,

IS29GL512S-11DHV023

частина: 692

Тип пам'яті: Non-Volatile, Формат пам'яті: FLASH, Технологія: FLASH - NOR, Обсяг пам'яті: 512Mb (64M x 8), Написати час циклу - Слово, Сторінка: 60ns,

S29WS512R0SBHW200

частина: 459

Тип пам'яті: Non-Volatile, Формат пам'яті: FLASH, Технологія: FLASH - NOR, Обсяг пам'яті: 512Mb (32M x 16), Тактова частота: 104MHz, Написати час циклу - Слово, Сторінка: 60ns,

IS29GL256S-10TFV023

частина: 5953

Тип пам'яті: Non-Volatile, Формат пам'яті: FLASH, Технологія: FLASH - NOR, Обсяг пам'яті: 256Mb (32M x 8), Написати час циклу - Слово, Сторінка: 60ns,

S99GL512P11TFI020

частина: 2576

Тип пам'яті: Non-Volatile, Формат пам'яті: FLASH, Технологія: FLASH - NOR, Обсяг пам'яті: 512Mb (32M x 16),

S34ML02G200GHI003

частина: 14400

Тип пам'яті: Non-Volatile, Формат пам'яті: FLASH, Технологія: FLASH - NAND, Обсяг пам'яті: 2Gb (256M x 8), Написати час циклу - Слово, Сторінка: 25ns,

S99-50407

частина: 9635

CY7C1061G30-10BVJXI

частина: 4247

Тип пам'яті: Volatile, Формат пам'яті: SRAM, Технологія: SRAM - Asynchronous, Обсяг пам'яті: 16Mb (1M x 16), Написати час циклу - Слово, Сторінка: 10ns,

S29PL127J70BFI003

частина: 8424

Тип пам'яті: Non-Volatile, Формат пам'яті: FLASH, Технологія: FLASH - NOR, Обсяг пам'яті: 128Mb (8M x 16), Написати час циклу - Слово, Сторінка: 70ns,

S99-50391

частина: 3378

S29GL02GS12TFSR20

частина: 3486

Тип пам'яті: Non-Volatile, Формат пам'яті: FLASH, Технологія: FLASH - NOR, Обсяг пам'яті: 2Mb (256M x 8),

STK10C68-5C45M

частина: 1845

Тип пам'яті: Non-Volatile, Формат пам'яті: SRAM, Технологія: NVSRAM (Non-Volatile SRAM), Обсяг пам'яті: 64Kb (8K x 8), Написати час циклу - Слово, Сторінка: 45ns,

S99GL01GP11FFIR10

частина: 2412

Тип пам'яті: Non-Volatile, Формат пам'яті: FLASH, Технологія: FLASH - NOR, Обсяг пам'яті: 1Gb (128M x 8),

S70FL01GSAGBHBC10

частина: 4412

Тип пам'яті: Non-Volatile, Формат пам'яті: FLASH, Технологія: FLASH - NOR, Обсяг пам'яті: 1Gb (128M x 8), Тактова частота: 133MHz,

CG7965AAT

частина: 7936

CY14V101NA-BA45XIT

частина: 4885

Тип пам'яті: Non-Volatile, Формат пам'яті: NVSRAM, Технологія: NVSRAM (Non-Volatile SRAM), Обсяг пам'яті: 1Mb (64K x 16), Написати час циклу - Слово, Сторінка: 45ns,

CG7965AA

частина: 7971

CY14V101LA-BA45XIT

частина: 4789

Тип пам'яті: Non-Volatile, Формат пам'яті: NVSRAM, Технологія: NVSRAM (Non-Volatile SRAM), Обсяг пам'яті: 1Mb (128K x 8), Написати час циклу - Слово, Сторінка: 45ns,

CG8233AA

частина: 1516

CY62167G30-55ZXE

частина: 4881

Тип пам'яті: Volatile, Формат пам'яті: SRAM, Технологія: SRAM - Asynchronous, Обсяг пам'яті: 16Mb (2M x 8, 1M x 16), Написати час циклу - Слово, Сторінка: 55ns,

CY14B256KA-SP45XIT

частина: 5728

Тип пам'яті: Non-Volatile, Формат пам'яті: NVSRAM, Технологія: NVSRAM (Non-Volatile SRAM), Обсяг пам'яті: 256Kb (32K x 8), Написати час циклу - Слово, Сторінка: 45ns,

CY14V256LA-BA35XI

частина: 5831

CY15B101N-ZS60XAT

частина: 4645

Тип пам'яті: Non-Volatile, Формат пам'яті: FRAM, Технологія: FRAM (Ferroelectric RAM), Обсяг пам'яті: 1Mb (64K x 16), Написати час циклу - Слово, Сторінка: 90ns,

CY7C1061GN30-10BV1XIT

частина: 1052

Тип пам'яті: Volatile, Формат пам'яті: SRAM, Технологія: SRAM - Asynchronous, Обсяг пам'яті: 16Mb (1M x 16), Написати час циклу - Слово, Сторінка: 10ns,

CY14B101NA-ZS25XIT

частина: 4795

Тип пам'яті: Non-Volatile, Формат пам'яті: NVSRAM, Технологія: NVSRAM (Non-Volatile SRAM), Обсяг пам'яті: 1Mb (64K x 16), Написати час циклу - Слово, Сторінка: 25ns,