Пам'ять

S25FL064P0XMFI000S

частина: 3078

Тип пам'яті: Non-Volatile, Формат пам'яті: FLASH, Технологія: FLASH - NOR, Обсяг пам'яті: 64Mb (8M x 8), Тактова частота: 104MHz, Написати час циклу - Слово, Сторінка: 5µs, 3ms,

V29GL01GP11FAIR20

частина: 2575

Тип пам'яті: Non-Volatile, Формат пам'яті: FLASH, Технологія: FLASH - NOR, Обсяг пам'яті: 1Gb (128M x 8),

CG8263AA

частина: 2769

S34ML02G200TFA003

частина: 11499

Тип пам'яті: Non-Volatile, Формат пам'яті: FLASH, Технологія: FLASH - NAND, Обсяг пам'яті: 2Gb (256M x 8), Написати час циклу - Слово, Сторінка: 25ns,

CY14V101LA-BA25XIT

частина: 4331

Тип пам'яті: Non-Volatile, Формат пам'яті: NVSRAM, Технологія: NVSRAM (Non-Volatile SRAM), Обсяг пам'яті: 1Mb (128K x 8), Написати час циклу - Слово, Сторінка: 25ns,

S25FL116K0XMFN041

частина: 3647

Тип пам'яті: Non-Volatile, Формат пам'яті: FLASH, Технологія: FLASH - NOR, Обсяг пам'яті: 16Mb (2M x 8), Тактова частота: 108MHz, Написати час циклу - Слово, Сторінка: 3ms,

S99FL116KI000

частина: 3432

S29WS512R0SBHW200E

частина: 3245

Тип пам'яті: Non-Volatile, Формат пам'яті: FLASH, Технологія: FLASH - NOR, Обсяг пам'яті: 512Mb (32M x 16), Тактова частота: 104MHz, Написати час циклу - Слово, Сторінка: 60ns,

CR231-80027

частина: 2782

S34MS01G200BHB000

частина: 15981

Тип пам'яті: Non-Volatile, Формат пам'яті: FLASH, Технологія: FLASH - NAND, Обсяг пам'яті: 1Gb (128M x 8), Написати час циклу - Слово, Сторінка: 45ns,

S99FL116K0XMFI011

частина: 344

S99FL132KMM40

частина: 7332

S99FL164KI000

частина: 3539

S25FL064P0XNFI003

частина: 7045

Тип пам'яті: Non-Volatile, Формат пам'яті: FLASH, Технологія: FLASH - NOR, Обсяг пам'яті: 64Mb (8M x 8), Тактова частота: 104MHz, Написати час циклу - Слово, Сторінка: 5µs, 3ms,

S29GL512P10TAI010

частина: 5505

Тип пам'яті: Non-Volatile, Формат пам'яті: FLASH, Технологія: FLASH - NOR, Обсяг пам'яті: 512Mb (32M x 16), Написати час циклу - Слово, Сторінка: 100ns,

S29GL512P11TAI020

частина: 2232

Тип пам'яті: Non-Volatile, Формат пам'яті: FLASH, Технологія: FLASH - NOR, Обсяг пам'яті: 512Mb (32M x 16), Написати час циклу - Слово, Сторінка: 110ns,

S34ML02G104BHA013

частина: 5673

Тип пам'яті: Non-Volatile, Формат пам'яті: FLASH, Технологія: FLASH - NAND, Обсяг пам'яті: 2Gb (128M x 16), Написати час циклу - Слово, Сторінка: 25ns,

S99GL01GP0020A

частина: 9259

Тип пам'яті: Non-Volatile, Формат пам'яті: FLASH, Технологія: FLASH - NOR, Обсяг пам'яті: 1Gb (128M x 8),

S25FL132K0XMFIS13

частина: 3635

Тип пам'яті: Non-Volatile, Формат пам'яті: FLASH, Технологія: FLASH - NOR, Обсяг пам'яті: 32Mb (4M x 8), Тактова частота: 108MHz, Написати час циклу - Слово, Сторінка: 3ms,

IS29GL128S-10TFV020

частина: 5573

Тип пам'яті: Non-Volatile, Формат пам'яті: FLASH, Технологія: FLASH - NOR, Обсяг пам'яті: 128Mb (16M x 8), Написати час циклу - Слово, Сторінка: 60ns,

S25FL064LABBHB030

частина: 7172

Тип пам'яті: Non-Volatile, Формат пам'яті: FLASH, Технологія: FLASH - NOR, Обсяг пам'яті: 64Mb (8M x 8), Тактова частота: 108MHz,

S29GL512P10TFI020

частина: 5616

Тип пам'яті: Non-Volatile, Формат пам'яті: FLASH, Технологія: FLASH - NOR, Обсяг пам'яті: 512Mb (32M x 16), Написати час циклу - Слово, Сторінка: 100ns,

S25FL064P0XMFI003M

частина: 3131

Тип пам'яті: Non-Volatile, Формат пам'яті: FLASH, Технологія: FLASH - NOR, Обсяг пам'яті: 64Mb (8M x 8), Тактова частота: 104MHz, Написати час циклу - Слово, Сторінка: 5µs, 3ms,

S29GL01GP11TFIR20D

частина: 5470

Тип пам'яті: Non-Volatile, Формат пам'яті: FLASH, Технологія: FLASH - NOR, Обсяг пам'яті: 1Gb (128M x 8), Написати час циклу - Слово, Сторінка: 110ns,

CH393-80023

частина: 2737

CY7C0241E-15AXC

частина: 4570

Тип пам'яті: Volatile, Формат пам'яті: SRAM, Технологія: SRAM - Dual Port, Asynchronous, Обсяг пам'яті: 72Kb (4K x 18), Написати час циклу - Слово, Сторінка: 15ns,

CY62162G18-55BGXI

частина: 4494

Тип пам'яті: Volatile, Формат пам'яті: SRAM, Технологія: SRAM - Asynchronous, Обсяг пам'яті: 16Mb (512K x 32), Написати час циклу - Слово, Сторінка: 55ns,

CB021-80075

частина: 2663

S34MS04G200BHA003

частина: 8689

Тип пам'яті: Non-Volatile, Формат пам'яті: FLASH, Технологія: FLASH - NAND, Обсяг пам'яті: 4Gb (512M x 8), Написати час циклу - Слово, Сторінка: 45ns,

S34MS02G100BHB000

частина: 8155

Тип пам'яті: Non-Volatile, Формат пам'яті: FLASH, Технологія: FLASH - NAND, Обсяг пам'яті: 2Gb (256M x 8), Написати час циклу - Слово, Сторінка: 45ns,

S34ML08G201TFB000

частина: 3738

Тип пам'яті: Non-Volatile, Формат пам'яті: FLASH, Технологія: FLASH - NAND, Обсяг пам'яті: 8Gb (1G x 8), Написати час циклу - Слово, Сторінка: 25ns,

S99-50186

частина: 2385

S99GL512P12TFIV20

частина: 2499

Тип пам'яті: Non-Volatile, Формат пам'яті: FLASH, Технологія: FLASH - NOR, Обсяг пам'яті: 512Mb (32M x 16),

QMP29GL512P11FFI010

частина: 1832

Тип пам'яті: Non-Volatile, Формат пам'яті: FLASH, Технологія: FLASH - NOR, Обсяг пам'яті: 512Mb (32M x 16),

S70GL02GS11FHSS60

частина: 149

Тип пам'яті: Non-Volatile, Формат пам'яті: FLASH, Технологія: FLASH - NOR, Обсяг пам'яті: 2Gb (128M x 16),

S25FL164K0XBHVS23

частина: 3865

Тип пам'яті: Non-Volatile, Формат пам'яті: FLASH, Технологія: FLASH - NOR, Обсяг пам'яті: 64Mb (8M x 8), Тактова частота: 108MHz, Написати час циклу - Слово, Сторінка: 3ms,