Пам'ять

CG8413AAT

частина: 1881

IS29GL512S-11DHV01

частина: 7802

Тип пам'яті: Non-Volatile, Формат пам'яті: FLASH, Технологія: FLASH - NOR, Обсяг пам'яті: 512Mb (64M x 8), Написати час циклу - Слово, Сторінка: 60ns,

CY7C1024DV33-10BGXI

частина: 3968

Тип пам'яті: Volatile, Формат пам'яті: SRAM, Технологія: SRAM - Asynchronous, Обсяг пам'яті: 3Mb (128K x 24), Написати час циклу - Слово, Сторінка: 10ns,

S70GL02GS11FHV020

частина: 3307

Тип пам'яті: Non-Volatile, Формат пам'яті: FLASH, Технологія: FLASH - NOR, Обсяг пам'яті: 2Gb (128M x 16),

S30ML512P30TFI503

частина: 8384

CY14B101LA-BA45XI

частина: 3557

Тип пам'яті: Non-Volatile, Формат пам'яті: NVSRAM, Технологія: NVSRAM (Non-Volatile SRAM), Обсяг пам'яті: 1Mb (128K x 8), Написати час циклу - Слово, Сторінка: 45ns,

IS29GL512S-11DHB01

частина: 7780

Тип пам'яті: Non-Volatile, Формат пам'яті: FLASH, Технологія: FLASH - NOR, Обсяг пам'яті: 512Mb (64M x 8), Написати час циклу - Слово, Сторінка: 60ns,

CG8065AAT

частина: 1998

S30ML512P30TFI003

частина: 8339

S25FL129P0XMFV013M

частина: 1222

Тип пам'яті: Non-Volatile, Формат пам'яті: FLASH, Технологія: FLASH - NOR, Обсяг пам'яті: 128Mb (16M x 8), Тактова частота: 104MHz, Написати час циклу - Слово, Сторінка: 5µs, 3ms,

S34ML08G101TFI200

частина: 2929

Тип пам'яті: Non-Volatile, Формат пам'яті: FLASH, Технологія: FLASH - NAND, Обсяг пам'яті: 8Gb (1G x 8), Написати час циклу - Слово, Сторінка: 25ns,

CY14B101LA-ZS20XIT

частина: 4003

Тип пам'яті: Non-Volatile, Формат пам'яті: NVSRAM, Технологія: NVSRAM (Non-Volatile SRAM), Обсяг пам'яті: 1Mb (128K x 8), Написати час циклу - Слово, Сторінка: 20ns,

CY14B101KA-ZS25XIT

частина: 4038

Тип пам'яті: Non-Volatile, Формат пам'яті: NVSRAM, Технологія: NVSRAM (Non-Volatile SRAM), Обсяг пам'яті: 1Mb (128K x 8), Написати час циклу - Слово, Сторінка: 25ns,

CY7C1386KV33-167AXCT

частина: 3563

Тип пам'яті: Volatile, Формат пам'яті: SRAM, Технологія: SRAM - Synchronous, Обсяг пам'яті: 18Mb (512K x 36), Тактова частота: 167MHz,

S25FL128P0XMFI003M

частина: 2120

Тип пам'яті: Non-Volatile, Формат пам'яті: FLASH, Технологія: FLASH - NOR, Обсяг пам'яті: 128Mb (16M x 8), Тактова частота: 104MHz, Написати час циклу - Слово, Сторінка: 3µs,

CY14B101LA-ZS20XI

частина: 3615

Тип пам'яті: Non-Volatile, Формат пам'яті: NVSRAM, Технологія: NVSRAM (Non-Volatile SRAM), Обсяг пам'яті: 1Mb (128K x 8), Написати час циклу - Слово, Сторінка: 20ns,

CY7C1361C-100AXET

частина: 3732

Тип пам'яті: Volatile, Формат пам'яті: SRAM, Технологія: SRAM - Synchronous, Обсяг пам'яті: 9Mb (256K x 36), Тактова частота: 100MHz,

CY7C1371KV33-133AXCT

частина: 3509

Тип пам'яті: Volatile, Формат пам'яті: SRAM, Технологія: SRAM - Synchronous, Обсяг пам'яті: 18Mb (512K x 36), Тактова частота: 133MHz,

CG8090AA

частина: 812

CG8328AMT

частина: 409

CG8303AAT

частина: 9288

CG8405AA

частина: 2106

CG8318AAT

частина: 2039

CG7859AA

частина: 1842

S25FL129P0XMFI003M

частина: 1061

Тип пам'яті: Non-Volatile, Формат пам'яті: FLASH, Технологія: FLASH - NOR, Обсяг пам'яті: 128Mb (16M x 8), Тактова частота: 104MHz, Написати час циклу - Слово, Сторінка: 5µs, 3ms,

IS29GL256S-10DHV02

частина: 7693

Тип пам'яті: Non-Volatile, Формат пам'яті: FLASH, Технологія: FLASH - NOR, Обсяг пам'яті: 256Mb (32M x 8), Написати час циклу - Слово, Сторінка: 60ns,

CG8097AA

частина: 2328

IS29GL128S-10TFV02-TR

частина: 7647

Тип пам'яті: Non-Volatile, Формат пам'яті: FLASH, Технологія: FLASH - NOR, Обсяг пам'яті: 128Mb (16M x 8), Написати час циклу - Слово, Сторінка: 60ns,

CY7C1321KV18-250BZCT

частина: 3823

Тип пам'яті: Volatile, Формат пам'яті: SRAM, Технологія: SRAM - Synchronous, DDR II, Обсяг пам'яті: 18Mb (512K x 36), Тактова частота: 250MHz,

CG8315AAT

частина: 1761

CG8273AAT

частина: 436

S30MS01GR25TFW000

частина: 8554

S25FL129P0XMFV001M

частина: 1117

Тип пам'яті: Non-Volatile, Формат пам'яті: FLASH, Технологія: FLASH - NOR, Обсяг пам'яті: 128Mb (16M x 8), Тактова частота: 104MHz, Написати час циклу - Слово, Сторінка: 5µs, 3ms,

CY14B101LA-SP45XIT

частина: 3873

Тип пам'яті: Non-Volatile, Формат пам'яті: NVSRAM, Технологія: NVSRAM (Non-Volatile SRAM), Обсяг пам'яті: 1Mb (128K x 8), Написати час циклу - Слово, Сторінка: 45ns,

MSP14LV160-E1-TK-001

частина: 819

S99-50043-02

частина: 1342