Пам'ять

S30MS02GR25TFW110C

частина: 8621

S25FL129P0XMFI013M

частина: 1141

Тип пам'яті: Non-Volatile, Формат пам'яті: FLASH, Технологія: FLASH - NOR, Обсяг пам'яті: 128Mb (16M x 8), Тактова частота: 104MHz, Написати час циклу - Слово, Сторінка: 5µs, 3ms,

CG8279AA

частина: 28879

S30ML02GP30TFI000

частина: 8413

S25FL129P0XMFI010M

частина: 2185

Тип пам'яті: Non-Volatile, Формат пам'яті: FLASH, Технологія: FLASH - NOR, Обсяг пам'яті: 128Mb (16M x 8), Тактова частота: 104MHz, Написати час циклу - Слово, Сторінка: 5µs, 3ms,

CG8269AAT

частина: 415

CG8241AAT

частина: 160

S30MS02GR25TFW000

частина: 8548

CG7821AA

частина: 2000

CG8179AAT

частина: 664

S25FL129P0XNFI010M

частина: 1263

Тип пам'яті: Non-Volatile, Формат пам'яті: FLASH, Технологія: FLASH - NOR, Обсяг пам'яті: 128Mb (16M x 8), Тактова частота: 104MHz, Написати час циклу - Слово, Сторінка: 5µs, 3ms,

S30ML01GP50TFI510

частина: 7976

CY14B104NA-ZSP25XI

частина: 3396

Тип пам'яті: Non-Volatile, Формат пам'яті: NVSRAM, Технологія: NVSRAM (Non-Volatile SRAM), Обсяг пам'яті: 4Mb (256K x 16), Написати час циклу - Слово, Сторінка: 25ns,

CY14B104NA-ZSP45XIT

частина: 3777

Тип пам'яті: Non-Volatile, Формат пам'яті: NVSRAM, Технологія: NVSRAM (Non-Volatile SRAM), Обсяг пам'яті: 4Mb (256K x 16), Написати час циклу - Слово, Сторінка: 45ns,

S70GL02GS11FHA013

частина: 196

Тип пам'яті: Non-Volatile, Формат пам'яті: FLASH, Технологія: FLASH - NOR, Обсяг пам'яті: 2Gb (128M x 16),

CY62167GE30-45ZXI

частина: 3994

Тип пам'яті: Volatile, Формат пам'яті: SRAM, Технологія: SRAM - Asynchronous, Обсяг пам'яті: 16Mb (2M x 8, 1M x 16), Написати час циклу - Слово, Сторінка: 45ns,

IS29GL01GS-11DHV02

частина: 7428

Тип пам'яті: Non-Volatile, Формат пам'яті: FLASH, Технологія: FLASH - NOR, Обсяг пам'яті: 1Gb (128M x 8), Написати час циклу - Слово, Сторінка: 60ns,

CY62167G30-45BVXA

частина: 3654

Тип пам'яті: Volatile, Формат пам'яті: SRAM, Технологія: SRAM - Asynchronous, Обсяг пам'яті: 16Mb (1M x 16), Написати час циклу - Слово, Сторінка: 45ns,

S70GL02GS11FHI010

частина: 2856

Тип пам'яті: Non-Volatile, Формат пам'яті: FLASH, Технологія: FLASH - NOR, Обсяг пам'яті: 2Gb (128M x 16),

CY15B102N-ZS60XAT

частина: 3554

Тип пам'яті: Non-Volatile, Формат пам'яті: FRAM, Технологія: FRAM (Ferroelectric RAM), Обсяг пам'яті: 2Mb (128K x 16), Написати час циклу - Слово, Сторінка: 90ns,

S25FL129P0XNFI013M

частина: 2214

Тип пам'яті: Non-Volatile, Формат пам'яті: FLASH, Технологія: FLASH - NOR, Обсяг пам'яті: 128Mb (16M x 8), Тактова частота: 104MHz, Написати час циклу - Слово, Сторінка: 5µs, 3ms,

CG7802AAT

частина: 2336

S29NS512P0PBJW003

частина: 7943

CG8071AAT

частина: 1660

S30MS512R25TFW110

частина: 948

CG8312AA

частина: 829

CG8090AAT

частина: 645

CG8095AA

частина: 1885

S70GL02GS12FHIV10

частина: 2830

Тип пам'яті: Non-Volatile, Формат пам'яті: FLASH, Технологія: FLASH - NOR, Обсяг пам'яті: 2Gb (128M x 16),

S30MS01GP25TFW510

частина: 8084

CG8081AMT

частина: 580

S25FL129P0XNFI003M

частина: 1241

Тип пам'яті: Non-Volatile, Формат пам'яті: FLASH, Технологія: FLASH - NOR, Обсяг пам'яті: 128Mb (16M x 8), Тактова частота: 104MHz, Написати час циклу - Слово, Сторінка: 5µs, 3ms,

S25FL128LAGBHB020

частина: 8543

Тип пам'яті: Non-Volatile, Формат пам'яті: FLASH, Технологія: FLASH - NOR, Обсяг пам'яті: 128Mb (16M x 8), Тактова частота: 133MHz,

S29WS512P0PBFW0002

частина: 141

Тип пам'яті: Non-Volatile, Формат пам'яті: FLASH, Технологія: FLASH - NOR, Обсяг пам'яті: 512Mb (32M x 16), Тактова частота: 66MHz, Написати час циклу - Слово, Сторінка: 60ns,

CY14B256LA-SZ25XI

частина: 3920

Тип пам'яті: Non-Volatile, Формат пам'яті: NVSRAM, Технологія: NVSRAM (Non-Volatile SRAM), Обсяг пам'яті: 256Kb (32K x 8), Написати час циклу - Слово, Сторінка: 25ns,

CG8316AA

частина: 1835