Menu
УКРАЇНАУКРАЇНА
Rfq / замовлення
0Rfq / замовлення

Транзистори - біполярні (BJT) - одинарні

BD244A
ON Semiconductor

BD244A

частина: 189127

Транзисторний тип: PNP, Струм - колектор (Ic) (макс.): 6A, Напруга - пробій випромінювача колектора (макс.): 60V, Насиченість Vce (макс.) @ Ib, Ic: 1.5V @ 1A, 6A, Струм - відсікання колектора (макс.): 700µA, Посилення струму постійного струму (hFE) (мінімальне) @ Ic, Vce: 15 @ 3A, 4V,

До побажання
BDX53BG
ON Semiconductor

BDX53BG

частина: 183172

Транзисторний тип: NPN - Darlington, Струм - колектор (Ic) (макс.): 8A, Напруга - пробій випромінювача колектора (макс.): 80V, Насиченість Vce (макс.) @ Ib, Ic: 2V @ 12mA, 3A, Струм - відсікання колектора (макс.): 500µA, Посилення струму постійного струму (hFE) (мінімальне) @ Ic, Vce: 750 @ 3A, 3V,

До побажання
BD135G
ON Semiconductor

BD135G

частина: 128554

Транзисторний тип: NPN, Струм - колектор (Ic) (макс.): 1.5A, Напруга - пробій випромінювача колектора (макс.): 45V, Насиченість Vce (макс.) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 500mA, Струм - відсікання колектора (макс.): 100nA (ICBO), Посилення струму постійного струму (hFE) (мінімальне) @ Ic, Vce: 40 @ 150mA, 2V,

До побажання
BU406G
ON Semiconductor

BU406G

частина: 65392

Транзисторний тип: NPN, Струм - колектор (Ic) (макс.): 7A, Напруга - пробій випромінювача колектора (макс.): 200V, Насиченість Vce (макс.) @ Ib, Ic: 1V @ 500mA, 5A, Струм - відсікання колектора (макс.): 5mA,

До побажання
BDX54BG
ON Semiconductor

BDX54BG

частина: 81401

Транзисторний тип: PNP - Darlington, Струм - колектор (Ic) (макс.): 8A, Напруга - пробій випромінювача колектора (макс.): 80V, Насиченість Vce (макс.) @ Ib, Ic: 2V @ 12mA, 3A, Струм - відсікання колектора (макс.): 500µA, Посилення струму постійного струму (hFE) (мінімальне) @ Ic, Vce: 750 @ 3A, 3V,

До побажання
BD681S
ON Semiconductor

BD681S

частина: 107750

Транзисторний тип: NPN - Darlington, Струм - колектор (Ic) (макс.): 4A, Напруга - пробій випромінювача колектора (макс.): 100V, Насиченість Vce (макс.) @ Ib, Ic: 2.5V @ 30mA, 1.5A, Струм - відсікання колектора (макс.): 500µA, Посилення струму постійного струму (hFE) (мінімальне) @ Ic, Vce: 750 @ 1.5A, 3V,

До побажання
BD13910S
ON Semiconductor

BD13910S

частина: 149489

Транзисторний тип: NPN, Струм - колектор (Ic) (макс.): 1.5A, Напруга - пробій випромінювача колектора (макс.): 80V, Насиченість Vce (макс.) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 500mA, Струм - відсікання колектора (макс.): 100nA (ICBO), Посилення струму постійного струму (hFE) (мінімальне) @ Ic, Vce: 63 @ 150mA, 2V,

До побажання
BDX33BG
ON Semiconductor

BDX33BG

частина: 81448

Транзисторний тип: NPN - Darlington, Струм - колектор (Ic) (макс.): 10A, Напруга - пробій випромінювача колектора (макс.): 80V, Насиченість Vce (макс.) @ Ib, Ic: 2.5V @ 6mA, 3A, Струм - відсікання колектора (макс.): 500µA, Посилення струму постійного струму (hFE) (мінімальне) @ Ic, Vce: 750 @ 3A, 3V,

До побажання
BD809G
ON Semiconductor

BD809G

частина: 74770

Транзисторний тип: NPN, Струм - колектор (Ic) (макс.): 10A, Напруга - пробій випромінювача колектора (макс.): 80V, Насиченість Vce (макс.) @ Ib, Ic: 1.1V @ 300mA, 3A, Струм - відсікання колектора (макс.): 1mA (ICBO), Посилення струму постійного струму (hFE) (мінімальне) @ Ic, Vce: 15 @ 4A, 2V,

До побажання
BDW46G
ON Semiconductor

BDW46G

частина: 77908

Транзисторний тип: PNP - Darlington, Струм - колектор (Ic) (макс.): 15A, Напруга - пробій випромінювача колектора (макс.): 80V, Насиченість Vce (макс.) @ Ib, Ic: 3V @ 50mA, 10A, Струм - відсікання колектора (макс.): 2mA, Посилення струму постійного струму (hFE) (мінімальне) @ Ic, Vce: 1000 @ 5A, 4V,

До побажання
BD242BG
ON Semiconductor

BD242BG

частина: 116726

Транзисторний тип: PNP, Струм - колектор (Ic) (макс.): 3A, Напруга - пробій випромінювача колектора (макс.): 80V, Насиченість Vce (макс.) @ Ib, Ic: 1.2V @ 600mA, 3A, Струм - відсікання колектора (макс.): 300µA, Посилення струму постійного струму (hFE) (мінімальне) @ Ic, Vce: 25 @ 1A, 4V,

До побажання
BUT11AFTU
ON Semiconductor

BUT11AFTU

частина: 77085

Транзисторний тип: NPN, Струм - колектор (Ic) (макс.): 5A, Напруга - пробій випромінювача колектора (макс.): 450V, Насиченість Vce (макс.) @ Ib, Ic: 1.5V @ 500mA, 2.5A, Струм - відсікання колектора (макс.): 1mA,

До побажання
BD679AG
ON Semiconductor

BD679AG

частина: 106187

Транзисторний тип: NPN - Darlington, Струм - колектор (Ic) (макс.): 4A, Напруга - пробій випромінювача колектора (макс.): 80V, Насиченість Vce (макс.) @ Ib, Ic: 2.8V @ 40mA, 2A, Струм - відсікання колектора (макс.): 500µA, Посилення струму постійного струму (hFE) (мінімальне) @ Ic, Vce: 750 @ 2A, 3V,

До побажання
BD788G
ON Semiconductor

BD788G

частина: 159272

Транзисторний тип: PNP, Струм - колектор (Ic) (макс.): 4A, Напруга - пробій випромінювача колектора (макс.): 60V, Насиченість Vce (макс.) @ Ib, Ic: 2.5V @ 800mA, 4A, Струм - відсікання колектора (макс.): 100µA, Посилення струму постійного струму (hFE) (мінімальне) @ Ic, Vce: 40 @ 200mA, 3V,

До побажання
BD676AG
ON Semiconductor

BD676AG

частина: 122105

Транзисторний тип: PNP - Darlington, Струм - колектор (Ic) (макс.): 4A, Напруга - пробій випромінювача колектора (макс.): 45V, Насиченість Vce (макс.) @ Ib, Ic: 2.8V @ 40mA, 2A, Струм - відсікання колектора (макс.): 500µA, Посилення струму постійного струму (hFE) (мінімальне) @ Ic, Vce: 750 @ 2A, 3V,

До побажання
BU323ZG
ON Semiconductor

BU323ZG

частина: 26349

Транзисторний тип: NPN - Darlington, Струм - колектор (Ic) (макс.): 10A, Напруга - пробій випромінювача колектора (макс.): 350V, Насиченість Vce (макс.) @ Ib, Ic: 1.7V @ 250mA, 10A, Струм - відсікання колектора (макс.): 100µA, Посилення струму постійного струму (hFE) (мінімальне) @ Ic, Vce: 500 @ 5A, 4.6V,

До побажання
BD437TG
ON Semiconductor

BD437TG

частина: 103977

Транзисторний тип: NPN, Струм - колектор (Ic) (макс.): 4A, Напруга - пробій випромінювача колектора (макс.): 45V, Насиченість Vce (макс.) @ Ib, Ic: 800mV @ 300mA, 3A, Струм - відсікання колектора (макс.): 100µA (ICBO), Посилення струму постійного струму (hFE) (мінімальне) @ Ic, Vce: 85 @ 500mA, 1V,

До побажання
BD139G
ON Semiconductor

BD139G

частина: 130827

Транзисторний тип: NPN, Струм - колектор (Ic) (макс.): 1.5A, Напруга - пробій випромінювача колектора (макс.): 80V, Насиченість Vce (макс.) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 500mA, Струм - відсікання колектора (макс.): 100nA (ICBO), Посилення струму постійного струму (hFE) (мінімальне) @ Ic, Vce: 40 @ 150mA, 2V,

До побажання
BD678AG
ON Semiconductor

BD678AG

частина: 106804

Транзисторний тип: PNP - Darlington, Струм - колектор (Ic) (макс.): 4A, Напруга - пробій випромінювача колектора (макс.): 60V, Насиченість Vce (макс.) @ Ib, Ic: 2.8V @ 40mA, 2A, Струм - відсікання колектора (макс.): 500µA, Посилення струму постійного струму (hFE) (мінімальне) @ Ic, Vce: 750 @ 2A, 3V,

До побажання
BD135TG
ON Semiconductor

BD135TG

частина: 148462

Транзисторний тип: NPN, Струм - колектор (Ic) (макс.): 1.5A, Напруга - пробій випромінювача колектора (макс.): 45V, Насиченість Vce (макс.) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 500mA, Струм - відсікання колектора (макс.): 100nA (ICBO), Посилення струму постійного струму (hFE) (мінімальне) @ Ic, Vce: 40 @ 150mA, 2V,

До побажання
BD680A
STMicroelectronics

BD680A

частина: 77092

Транзисторний тип: PNP - Darlington, Струм - колектор (Ic) (макс.): 4A, Напруга - пробій випромінювача колектора (макс.): 80V, Насиченість Vce (макс.) @ Ib, Ic: 2.8V @ 40mA, 2A, Струм - відсікання колектора (макс.): 500µA, Посилення струму постійного струму (hFE) (мінімальне) @ Ic, Vce: 750 @ 2A, 3V,

До побажання
BU508AF
STMicroelectronics

BU508AF

частина: 34795

Транзисторний тип: NPN, Струм - колектор (Ic) (макс.): 8A, Напруга - пробій випромінювача колектора (макс.): 700V, Насиченість Vce (макс.) @ Ib, Ic: 1V @ 1.6A, 4.5A, Струм - відсікання колектора (макс.): 200µA, Посилення струму постійного струму (hFE) (мінімальне) @ Ic, Vce: 10 @ 100mA, 5V,

До побажання
BUL510
STMicroelectronics

BUL510

частина: 31372

Транзисторний тип: NPN, Струм - колектор (Ic) (макс.): 10A, Напруга - пробій випромінювача колектора (макс.): 450V, Насиченість Vce (макс.) @ Ib, Ic: 1.5V @ 1.25A, 5A, Струм - відсікання колектора (макс.): 250µA, Посилення струму постійного струму (hFE) (мінімальне) @ Ic, Vce: 15 @ 1A, 5V,

До побажання
BULT106D
STMicroelectronics

BULT106D

частина: 55962

Транзисторний тип: NPN, Струм - колектор (Ic) (макс.): 2A, Напруга - пробій випромінювача колектора (макс.): 230V, Насиченість Vce (макс.) @ Ib, Ic: 1.2V @ 400mA, 2A, Струм - відсікання колектора (макс.): 250µA, Посилення струму постійного струму (hFE) (мінімальне) @ Ic, Vce: 10 @ 1A, 5V,

До побажання
BUL89
STMicroelectronics

BUL89

частина: 45219

Транзисторний тип: NPN, Струм - колектор (Ic) (макс.): 12A, Напруга - пробій випромінювача колектора (макс.): 400V, Насиченість Vce (макс.) @ Ib, Ic: 5V @ 2.4A, 12A, Струм - відсікання колектора (макс.): 100µA, Посилення струму постійного струму (hFE) (мінімальне) @ Ic, Vce: 10 @ 5A, 5V,

До побажання
BU941ZPFI
STMicroelectronics

BU941ZPFI

частина: 18084

Транзисторний тип: NPN - Darlington, Струм - колектор (Ic) (макс.): 15A, Напруга - пробій випромінювача колектора (макс.): 350V, Насиченість Vce (макс.) @ Ib, Ic: 2V @ 300mA, 12A, Струм - відсікання колектора (макс.): 100µA, Посилення струму постійного струму (hFE) (мінімальне) @ Ic, Vce: 300 @ 5A, 10V,

До побажання
BU508AW
STMicroelectronics

BU508AW

частина: 26229

Транзисторний тип: NPN, Струм - колектор (Ic) (макс.): 8A, Напруга - пробій випромінювача колектора (макс.): 700V, Насиченість Vce (макс.) @ Ib, Ic: 1V @ 1.6A, 4.5A, Струм - відсікання колектора (макс.): 200µA, Посилення струму постійного струму (hFE) (мінімальне) @ Ic, Vce: 10 @ 100mA, 5V,

До побажання
BUL381D
STMicroelectronics

BUL381D

частина: 38825

Транзисторний тип: NPN, Струм - колектор (Ic) (макс.): 5A, Напруга - пробій випромінювача колектора (макс.): 400V, Насиченість Vce (макс.) @ Ib, Ic: 1.1V @ 750mA, 3A, Струм - відсікання колектора (макс.): 250µA, Посилення струму постійного струму (hFE) (мінімальне) @ Ic, Vce: 8 @ 2A, 5V,

До побажання
BUL1102EFP
STMicroelectronics

BUL1102EFP

частина: 63193

Транзисторний тип: NPN, Струм - колектор (Ic) (макс.): 4A, Напруга - пробій випромінювача колектора (макс.): 450V, Насиченість Vce (макс.) @ Ib, Ic: 1.5V @ 400mA, 2A, Струм - відсікання колектора (макс.): 100µA, Посилення струму постійного струму (hFE) (мінімальне) @ Ic, Vce: 12 @ 2A, 5V,

До побажання
BD679
STMicroelectronics

BD679

частина: 4293

Транзисторний тип: NPN - Darlington, Струм - колектор (Ic) (макс.): 4A, Напруга - пробій випромінювача колектора (макс.): 80V, Насиченість Vce (макс.) @ Ib, Ic: 2.5V @ 30mA, 1.5A, Струм - відсікання колектора (макс.): 500µA, Посилення струму постійного струму (hFE) (мінімальне) @ Ic, Vce: 750 @ 1.5A, 3V,

До побажання
BUL741
STMicroelectronics

BUL741

частина: 71832

Транзисторний тип: NPN, Струм - колектор (Ic) (макс.): 2.5A, Напруга - пробій випромінювача колектора (макс.): 400V, Насиченість Vce (макс.) @ Ib, Ic: 1.5V @ 600mA, 2A, Струм - відсікання колектора (макс.): 250µA, Посилення струму постійного струму (hFE) (мінімальне) @ Ic, Vce: 25 @ 450mA, 3V,

До побажання
BC847AT-7
Diodes Incorporated

BC847AT-7

частина: 147927

Транзисторний тип: NPN, Струм - колектор (Ic) (макс.): 100mA, Напруга - пробій випромінювача колектора (макс.): 45V, Насиченість Vce (макс.) @ Ib, Ic: 600mV @ 5mA, 100mA, Струм - відсікання колектора (макс.): 15nA (ICBO), Посилення струму постійного струму (hFE) (мінімальне) @ Ic, Vce: 110 @ 2mA, 5V,

До побажання
BCP5516TA
Diodes Incorporated

BCP5516TA

частина: 157431

Транзисторний тип: NPN, Струм - колектор (Ic) (макс.): 1A, Напруга - пробій випромінювача колектора (макс.): 60V, Насиченість Vce (макс.) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 500mA, Струм - відсікання колектора (макс.): 100nA (ICBO), Посилення струму постійного струму (hFE) (мінімальне) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 2V,

До побажання
BCX5110TA
Diodes Incorporated

BCX5110TA

частина: 175234

Транзисторний тип: PNP, Струм - колектор (Ic) (макс.): 1A, Напруга - пробій випромінювача колектора (макс.): 45V, Насиченість Vce (макс.) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 500mA, Струм - відсікання колектора (макс.): 100nA (ICBO), Посилення струму постійного струму (hFE) (мінімальне) @ Ic, Vce: 63 @ 150mA, 2V,

До побажання
BST50,115
Nexperia USA Inc.

BST50,115

частина: 110984

Транзисторний тип: NPN - Darlington, Струм - колектор (Ic) (макс.): 1A, Напруга - пробій випромінювача колектора (макс.): 45V, Насиченість Vce (макс.) @ Ib, Ic: 1.3V @ 500µA, 500mA, Струм - відсікання колектора (макс.): 50nA, Посилення струму постійного струму (hFE) (мінімальне) @ Ic, Vce: 2000 @ 500mA, 10V,

До побажання
BU806
Central Semiconductor Corp

BU806

частина: 64952

Транзисторний тип: NPN, Струм - колектор (Ic) (макс.): 8A, Напруга - пробій випромінювача колектора (макс.): 400V, Насиченість Vce (макс.) @ Ib, Ic: 1.5V @ 50mA, 5A, Струм - відсікання колектора (макс.): 100µA,

До побажання