Menu
УКРАЇНАУКРАЇНА
Rfq / замовлення
0Rfq / замовлення

Транзистори - біполярні (BJT) - одинарні

BCX70K
ON Semiconductor

BCX70K

частина: 151915

Транзисторний тип: NPN, Струм - колектор (Ic) (макс.): 200mA, Напруга - пробій випромінювача колектора (макс.): 45V, Насиченість Vce (макс.) @ Ib, Ic: 550mV @ 1.25mA, 50mA, Струм - відсікання колектора (макс.): 20nA, Посилення струму постійного струму (hFE) (мінімальне) @ Ic, Vce: 380 @ 2mA, 5V,

До побажання
BD138G
ON Semiconductor

BD138G

частина: 120144

Транзисторний тип: PNP, Струм - колектор (Ic) (макс.): 1.5A, Напруга - пробій випромінювача колектора (макс.): 60V, Насиченість Vce (макс.) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 500mA, Струм - відсікання колектора (макс.): 100nA (ICBO), Посилення струму постійного струму (hFE) (мінімальне) @ Ic, Vce: 40 @ 150mA, 2V,

До побажання
BD675AS
ON Semiconductor

BD675AS

частина: 120104

Транзисторний тип: NPN - Darlington, Струм - колектор (Ic) (макс.): 4A, Напруга - пробій випромінювача колектора (макс.): 45V, Насиченість Vce (макс.) @ Ib, Ic: 2.8V @ 40mA, 2A, Струм - відсікання колектора (макс.): 500µA, Посилення струму постійного струму (hFE) (мінімальне) @ Ic, Vce: 750 @ 2A, 3V,

До побажання
BD239ATU
ON Semiconductor

BD239ATU

частина: 113926

Транзисторний тип: NPN, Струм - колектор (Ic) (макс.): 2A, Напруга - пробій випромінювача колектора (макс.): 60V, Насиченість Vce (макс.) @ Ib, Ic: 700mV @ 200mA, 1A, Струм - відсікання колектора (макс.): 300µA, Посилення струму постійного струму (hFE) (мінімальне) @ Ic, Vce: 15 @ 1A, 4V,

До побажання
BDV64BG
ON Semiconductor

BDV64BG

частина: 40993

Транзисторний тип: PNP - Darlington, Струм - колектор (Ic) (макс.): 10A, Напруга - пробій випромінювача колектора (макс.): 100V, Насиченість Vce (макс.) @ Ib, Ic: 2V @ 20mA, 5A, Струм - відсікання колектора (макс.): 1mA, Посилення струму постійного струму (hFE) (мінімальне) @ Ic, Vce: 1000 @ 5A, 4V,

До побажання
BD244CTU
ON Semiconductor

BD244CTU

частина: 194160

Транзисторний тип: PNP, Струм - колектор (Ic) (макс.): 6A, Напруга - пробій випромінювача колектора (макс.): 100V, Насиченість Vce (макс.) @ Ib, Ic: 1.5V @ 1A, 6A, Струм - відсікання колектора (макс.): 700µA, Посилення струму постійного струму (hFE) (мінімальне) @ Ic, Vce: 15 @ 3A, 4V,

До побажання
BD438STU
ON Semiconductor

BD438STU

частина: 110953

Транзисторний тип: PNP, Струм - колектор (Ic) (макс.): 4A, Напруга - пробій випромінювача колектора (макс.): 45V, Насиченість Vce (макс.) @ Ib, Ic: 600mV @ 200mA, 2A, Струм - відсікання колектора (макс.): 100µA, Посилення струму постійного струму (hFE) (мінімальне) @ Ic, Vce: 30 @ 10mA, 5V,

До побажання
BUV21G
ON Semiconductor

BUV21G

частина: 7135

Транзисторний тип: NPN, Струм - колектор (Ic) (макс.): 40A, Напруга - пробій випромінювача колектора (макс.): 200V, Насиченість Vce (макс.) @ Ib, Ic: 1.5V @ 3A, 25A, Струм - відсікання колектора (макс.): 3mA, Посилення струму постійного струму (hFE) (мінімальне) @ Ic, Vce: 20 @ 12A, 2V,

До побажання
BUV22G
ON Semiconductor

BUV22G

частина: 6634

Транзисторний тип: NPN, Струм - колектор (Ic) (макс.): 40A, Напруга - пробій випромінювача колектора (макс.): 250V, Насиченість Vce (макс.) @ Ib, Ic: 1.5V @ 2.5A, 20A, Струм - відсікання колектора (макс.): 3mA, Посилення струму постійного струму (hFE) (мінімальне) @ Ic, Vce: 20 @ 10A, 4V,

До побажання
BD680ASTU
ON Semiconductor

BD680ASTU

частина: 109313

Транзисторний тип: PNP - Darlington, Струм - колектор (Ic) (макс.): 4A, Напруга - пробій випромінювача колектора (макс.): 80V, Насиченість Vce (макс.) @ Ib, Ic: 2.8V @ 40mA, 2A, Струм - відсікання колектора (макс.): 500µA, Посилення струму постійного струму (hFE) (мінімальне) @ Ic, Vce: 750 @ 2A, 3V,

До побажання
BUB323ZG
ON Semiconductor

BUB323ZG

частина: 45503

Транзисторний тип: NPN - Darlington, Струм - колектор (Ic) (макс.): 10A, Напруга - пробій випромінювача колектора (макс.): 350V, Насиченість Vce (макс.) @ Ib, Ic: 1.7V @ 250mA, 10A, Струм - відсікання колектора (макс.): 100µA, Посилення струму постійного струму (hFE) (мінімальне) @ Ic, Vce: 500 @ 5A, 4.6V,

До побажання
BD241CG
ON Semiconductor

BD241CG

частина: 147452

Транзисторний тип: NPN, Струм - колектор (Ic) (макс.): 3A, Напруга - пробій випромінювача колектора (макс.): 100V, Насиченість Vce (макс.) @ Ib, Ic: 1.2V @ 600mA, 3A, Струм - відсікання колектора (макс.): 300µA, Посилення струму постійного струму (hFE) (мінімальне) @ Ic, Vce: 25 @ 1A, 4V,

До побажання
BD439S
ON Semiconductor

BD439S

частина: 111006

Транзисторний тип: NPN, Струм - колектор (Ic) (макс.): 4A, Напруга - пробій випромінювача колектора (макс.): 60V, Насиченість Vce (макс.) @ Ib, Ic: 800mV @ 200mA, 2A, Струм - відсікання колектора (макс.): 100µA (ICBO), Посилення струму постійного струму (hFE) (мінімальне) @ Ic, Vce: 20 @ 10mA, 5V,

До побажання
BDV65BG
ON Semiconductor

BDV65BG

частина: 41181

Транзисторний тип: NPN - Darlington, Струм - колектор (Ic) (макс.): 10A, Напруга - пробій випромінювача колектора (макс.): 100V, Насиченість Vce (макс.) @ Ib, Ic: 2V @ 20mA, 5A, Струм - відсікання колектора (макс.): 1mA, Посилення струму постійного струму (hFE) (мінімальне) @ Ic, Vce: 1000 @ 5A, 4V,

До побажання
BD679G
ON Semiconductor

BD679G

частина: 114507

Транзисторний тип: NPN - Darlington, Струм - колектор (Ic) (макс.): 4A, Напруга - пробій випромінювача колектора (макс.): 80V, Насиченість Vce (макс.) @ Ib, Ic: 2.5V @ 30mA, 1.5A, Струм - відсікання колектора (макс.): 500µA, Посилення струму постійного струму (hFE) (мінімальне) @ Ic, Vce: 750 @ 1.5A, 3V,

До побажання
BDW93CTU
ON Semiconductor

BDW93CTU

частина: 150953

Транзисторний тип: NPN - Darlington, Струм - колектор (Ic) (макс.): 12A, Напруга - пробій випромінювача колектора (макс.): 100V, Насиченість Vce (макс.) @ Ib, Ic: 3V @ 100mA, 10A, Струм - відсікання колектора (макс.): 1mA, Посилення струму постійного струму (hFE) (мінімальне) @ Ic, Vce: 750 @ 5A, 3V,

До побажання
BD238STU
ON Semiconductor

BD238STU

частина: 135665

Транзисторний тип: PNP, Струм - колектор (Ic) (макс.): 2A, Напруга - пробій випромінювача колектора (макс.): 80V, Насиченість Vce (макс.) @ Ib, Ic: 600mV @ 100mA, 1A, Струм - відсікання колектора (макс.): 100µA (ICBO), Посилення струму постійного струму (hFE) (мінімальне) @ Ic, Vce: 25 @ 1A, 2V,

До побажання
BD140G
ON Semiconductor

BD140G

частина: 128515

Транзисторний тип: PNP, Струм - колектор (Ic) (макс.): 1.5A, Напруга - пробій випромінювача колектора (макс.): 80V, Насиченість Vce (макс.) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 500mA, Струм - відсікання колектора (макс.): 100nA (ICBO), Посилення струму постійного струму (hFE) (мінімальне) @ Ic, Vce: 40 @ 150mA, 2V,

До побажання
BD437S
ON Semiconductor

BD437S

частина: 116323

Транзисторний тип: NPN, Струм - колектор (Ic) (макс.): 4A, Напруга - пробій випромінювача колектора (макс.): 45V, Насиченість Vce (макс.) @ Ib, Ic: 600mV @ 200mA, 2A, Струм - відсікання колектора (макс.): 100µA, Посилення струму постійного струму (hFE) (мінімальне) @ Ic, Vce: 30 @ 10mA, 5V,

До побажання
BDX54CG
ON Semiconductor

BDX54CG

частина: 75542

Транзисторний тип: PNP - Darlington, Струм - колектор (Ic) (макс.): 8A, Напруга - пробій випромінювача колектора (макс.): 100V, Насиченість Vce (макс.) @ Ib, Ic: 2V @ 12mA, 3A, Струм - відсікання колектора (макс.): 500µA, Посилення струму постійного струму (hFE) (мінімальне) @ Ic, Vce: 750 @ 3A, 3V,

До побажання
BD13616S
ON Semiconductor

BD13616S

частина: 149453

Транзисторний тип: PNP, Струм - колектор (Ic) (макс.): 1.5A, Напруга - пробій випромінювача колектора (макс.): 45V, Насиченість Vce (макс.) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 500mA, Струм - відсікання колектора (макс.): 100nA (ICBO), Посилення струму постійного струму (hFE) (мінімальне) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 2V,

До побажання
BD241CTU
ON Semiconductor

BD241CTU

частина: 109334

Транзисторний тип: NPN, Струм - колектор (Ic) (макс.): 3A, Напруга - пробій випромінювача колектора (макс.): 100V, Насиченість Vce (макс.) @ Ib, Ic: 1.2V @ 600mA, 3A, Струм - відсікання колектора (макс.): 300µA, Посилення струму постійного струму (hFE) (мінімальне) @ Ic, Vce: 25 @ 1A, 4V,

До побажання
BD810G
ON Semiconductor

BD810G

частина: 156462

Транзисторний тип: PNP, Струм - колектор (Ic) (макс.): 10A, Напруга - пробій випромінювача колектора (макс.): 80V, Насиченість Vce (макс.) @ Ib, Ic: 1.1V @ 300mA, 3A, Струм - відсікання колектора (макс.): 1mA (ICBO), Посилення струму постійного струму (hFE) (мінімальне) @ Ic, Vce: 15 @ 4A, 2V,

До побажання
BD244BG
ON Semiconductor

BD244BG

частина: 162870

Транзисторний тип: PNP, Струм - колектор (Ic) (макс.): 6A, Напруга - пробій випромінювача колектора (макс.): 80V, Насиченість Vce (макс.) @ Ib, Ic: 1.5V @ 1A, 6A, Струм - відсікання колектора (макс.): 700µA, Посилення струму постійного струму (hFE) (мінімальне) @ Ic, Vce: 15 @ 3A, 4V,

До побажання
BDX33CG
ON Semiconductor

BDX33CG

частина: 75516

Транзисторний тип: NPN - Darlington, Струм - колектор (Ic) (макс.): 10A, Напруга - пробій випромінювача колектора (макс.): 100V, Насиченість Vce (макс.) @ Ib, Ic: 2.5V @ 6mA, 3A, Струм - відсікання колектора (макс.): 500µA, Посилення струму постійного струму (hFE) (мінімальне) @ Ic, Vce: 750 @ 3A, 3V,

До побажання
BUL45D2G
ON Semiconductor

BUL45D2G

частина: 65990

Транзисторний тип: NPN, Струм - колектор (Ic) (макс.): 5A, Напруга - пробій випромінювача колектора (макс.): 400V, Насиченість Vce (макс.) @ Ib, Ic: 500mV @ 400mA, 2A, Струм - відсікання колектора (макс.): 100µA, Посилення струму постійного струму (hFE) (мінімальне) @ Ic, Vce: 10 @ 2A, 1V,

До побажання
BD678A
STMicroelectronics

BD678A

частина: 86151

Транзисторний тип: PNP - Darlington, Струм - колектор (Ic) (макс.): 4A, Напруга - пробій випромінювача колектора (макс.): 60V, Насиченість Vce (макс.) @ Ib, Ic: 2.8V @ 40mA, 2A, Струм - відсікання колектора (макс.): 500µA, Посилення струму постійного струму (hFE) (мінімальне) @ Ic, Vce: 750 @ 2A, 3V,

До побажання
BUF420AW
STMicroelectronics

BUF420AW

частина: 7129

Транзисторний тип: NPN, Струм - колектор (Ic) (макс.): 30A, Напруга - пробій випромінювача колектора (макс.): 450V, Насиченість Vce (макс.) @ Ib, Ic: 500mV @ 4A, 20A,

До побажання
BD681
STMicroelectronics

BD681

частина: 1831

Транзисторний тип: NPN - Darlington, Струм - колектор (Ic) (макс.): 4A, Напруга - пробій випромінювача колектора (макс.): 100V, Насиченість Vce (макс.) @ Ib, Ic: 2.5V @ 30mA, 1.5A, Струм - відсікання колектора (макс.): 500µA, Посилення струму постійного струму (hFE) (мінімальне) @ Ic, Vce: 750 @ 1.5A, 3V,

До побажання
BUL1102E
STMicroelectronics

BUL1102E

частина: 68468

Транзисторний тип: NPN, Струм - колектор (Ic) (макс.): 4A, Напруга - пробій випромінювача колектора (макс.): 450V, Насиченість Vce (макс.) @ Ib, Ic: 1.5V @ 400mA, 2A, Струм - відсікання колектора (макс.): 100µA, Посилення струму постійного струму (hFE) (мінімальне) @ Ic, Vce: 12 @ 2A, 5V,

До побажання
BUL138
STMicroelectronics

BUL138

частина: 50192

Транзисторний тип: NPN, Струм - колектор (Ic) (макс.): 5A, Напруга - пробій випромінювача колектора (макс.): 400V, Насиченість Vce (макс.) @ Ib, Ic: 700mV @ 1A, 5A, Струм - відсікання колектора (макс.): 250µA, Посилення струму постійного струму (hFE) (мінімальне) @ Ic, Vce: 8 @ 2A, 5V,

До побажання
BUL416T
STMicroelectronics

BUL416T

частина: 25436

Транзисторний тип: NPN, Струм - колектор (Ic) (макс.): 6A, Напруга - пробій випромінювача колектора (макс.): 800V, Насиченість Vce (макс.) @ Ib, Ic: 1.5V @ 1.33A, 4A, Струм - відсікання колектора (макс.): 250µA, Посилення струму постійного струму (hFE) (мінімальне) @ Ic, Vce: 18 @ 700mA, 5V,

До побажання
BD679A
STMicroelectronics

BD679A

частина: 99018

Транзисторний тип: NPN - Darlington, Струм - колектор (Ic) (макс.): 4A, Напруга - пробій випромінювача колектора (макс.): 80V, Насиченість Vce (макс.) @ Ib, Ic: 2.8V @ 40mA, 2A, Струм - відсікання колектора (макс.): 500µA, Посилення струму постійного струму (hFE) (мінімальне) @ Ic, Vce: 750 @ 2A, 3V,

До побажання
BUL7216
STMicroelectronics

BUL7216

частина: 54275

Транзисторний тип: NPN, Струм - колектор (Ic) (макс.): 3A, Напруга - пробій випромінювача колектора (макс.): 700V, Насиченість Vce (макс.) @ Ib, Ic: 3V @ 80mA, 800mA, Струм - відсікання колектора (макс.): 100µA, Посилення струму постійного струму (hFE) (мінімальне) @ Ic, Vce: 4 @ 2A, 5V,

До побажання
BCW71,215
Nexperia USA Inc.

BCW71,215

частина: 170816

Транзисторний тип: NPN, Струм - колектор (Ic) (макс.): 100mA, Напруга - пробій випромінювача колектора (макс.): 45V, Насиченість Vce (макс.) @ Ib, Ic: 210mV @ 2.5mA, 50mA, Струм - відсікання колектора (макс.): 100nA (ICBO), Посилення струму постійного струму (hFE) (мінімальне) @ Ic, Vce: 110 @ 2mA, 5V,

До побажання
BD241D-S
Bourns Inc.

BD241D-S

частина: 7318

Транзисторний тип: NPN, Струм - колектор (Ic) (макс.): 3A, Напруга - пробій випромінювача колектора (макс.): 120V, Насиченість Vce (макс.) @ Ib, Ic: 2.5V @ 750MA, 3A, Струм - відсікання колектора (макс.): 300µA, Посилення струму постійного струму (hFE) (мінімальне) @ Ic, Vce: 25 @ 1A, 4V,

До побажання