Транзистори - біполярні (BJT) - одинарні | Дискретні напівпровідникові вироби | 100

2SC6037J0L

частина: 106744

Транзисторний тип: NPN, Струм - колектор (Ic) (макс.): 500mA, Напруга - пробій випромінювача колектора (макс.): 12V, Насиченість Vce (макс.) @ Ib, Ic: 250mV @ 10mA, 200mA, Струм - відсікання колектора (макс.): 100nA (ICBO), Посилення струму постійного струму (hFE) (мінімальне) @ Ic, Vce: 270 @ 10mA, 2V,

До побажання

Panasonic Electronic Components

2SC57250SL

частина: 182219

Транзисторний тип: NPN, Струм - колектор (Ic) (макс.): 2A, Напруга - пробій випромінювача колектора (макс.): 15V, Насиченість Vce (макс.) @ Ib, Ic: 280mV @ 30mA, 1.5A, Струм - відсікання колектора (макс.): 100nA (ICBO), Посилення струму постійного струму (hFE) (мінімальне) @ Ic, Vce: 200 @ 100mA, 2V,

До побажання

Panasonic Electronic Components

2SD22420PA

частина: 5319

Транзисторний тип: NPN - Darlington, Струм - колектор (Ic) (макс.): 4A, Напруга - пробій випромінювача колектора (макс.): 60V, Насиченість Vce (макс.) @ Ib, Ic: 4V @ 20mA, 5A, Струм - відсікання колектора (макс.): 100µA, Посилення струму постійного струму (hFE) (мінімальне) @ Ic, Vce: 4000 @ 3A, 3V,

До побажання

Panasonic Electronic Components

2SB1418APA

частина: 5351

Транзисторний тип: PNP - Darlington, Струм - колектор (Ic) (макс.): 2A, Напруга - пробій випромінювача колектора (макс.): 80V, Насиченість Vce (макс.) @ Ib, Ic: 2.5V @ 8mA, 2A, Струм - відсікання колектора (макс.): 100µA, Посилення струму постійного струму (hFE) (мінімальне) @ Ic, Vce: 4000 @ 2A, 4V,

До побажання

Panasonic Electronic Components

2SB14160RA

частина: 5366

Транзисторний тип: PNP, Струм - колектор (Ic) (макс.): 3A, Напруга - пробій випромінювача колектора (макс.): 60V, Насиченість Vce (макс.) @ Ib, Ic: 1.2V @ 375mA, 3A, Струм - відсікання колектора (макс.): 300µA, Посилення струму постійного струму (hFE) (мінімальне) @ Ic, Vce: 120 @ 1A, 4V,

До побажання

Panasonic Electronic Components

2SD25730QA

частина: 5337

Транзисторний тип: NPN, Струм - колектор (Ic) (макс.): 3A, Напруга - пробій випромінювача колектора (макс.): 60V, Насиченість Vce (макс.) @ Ib, Ic: 1V @ 50mA, 2A, Струм - відсікання колектора (макс.): 100µA, Посилення струму постійного струму (hFE) (мінімальне) @ Ic, Vce: 800 @ 500mA, 4V,

До побажання

Panasonic Electronic Components

2SB07890RL

частина: 95144

Транзисторний тип: PNP, Струм - колектор (Ic) (макс.): 500mA, Напруга - пробій випромінювача колектора (макс.): 100V, Насиченість Vce (макс.) @ Ib, Ic: 600mV @ 50mA, 500mA, Посилення струму постійного струму (hFE) (мінімальне) @ Ic, Vce: 130 @ 150mA, 10V,

До побажання

Panasonic Electronic Components

2SD24790RA

частина: 5307

Транзисторний тип: NPN - Darlington, Струм - колектор (Ic) (макс.): 2A, Напруга - пробій випромінювача колектора (макс.): 100V, Насиченість Vce (макс.) @ Ib, Ic: 1.5V @ 1mA, 1A, Струм - відсікання колектора (макс.): 100nA (ICBO), Посилення струму постійного струму (hFE) (мінімальне) @ Ic, Vce: 8000 @ 1A, 10V,

До побажання

Panasonic Electronic Components

2SA11230RA

частина: 5285

Транзисторний тип: PNP, Струм - колектор (Ic) (макс.): 50mA, Напруга - пробій випромінювача колектора (макс.): 150V, Насиченість Vce (макс.) @ Ib, Ic: 1V @ 3mA, 30mA, Струм - відсікання колектора (макс.): 1µA (ICBO), Посилення струму постійного струму (hFE) (мінімальне) @ Ic, Vce: 130 @ 10mA, 5V,

До побажання

Panasonic Electronic Components

2SB06210RA

частина: 5363

Транзисторний тип: PNP, Струм - колектор (Ic) (макс.): 1A, Напруга - пробій випромінювача колектора (макс.): 25V, Насиченість Vce (макс.) @ Ib, Ic: 400mV @ 50mA, 500mA, Струм - відсікання колектора (макс.): 100nA (ICBO), Посилення струму постійного струму (hFE) (мінімальне) @ Ic, Vce: 120 @ 500mA, 10V,

До побажання

Panasonic Electronic Components

2SB14400RL

частина: 5291

Транзисторний тип: PNP, Струм - колектор (Ic) (макс.): 2A, Напруга - пробій випромінювача колектора (макс.): 50V, Насиченість Vce (макс.) @ Ib, Ic: 300mV @ 50mA, 1A, Струм - відсікання колектора (макс.): 100nA (ICBO), Посилення струму постійного струму (hFE) (мінімальне) @ Ic, Vce: 120 @ 200mA, 2V,

До побажання

Panasonic Electronic Components

2SC4809J0L

частина: 5313

Транзисторний тип: NPN, Струм - колектор (Ic) (макс.): 50mA, Напруга - пробій випромінювача колектора (макс.): 10V, Насиченість Vce (макс.) @ Ib, Ic: 500mV @ 4mA, 20mA, Струм - відсікання колектора (макс.): 1µA (ICBO), Посилення струму постійного струму (hFE) (мінімальне) @ Ic, Vce: 75 @ 5mA, 4V,

До побажання

Panasonic Electronic Components

2SB1218A0L

частина: 5319

Транзисторний тип: PNP, Струм - колектор (Ic) (макс.): 100mA, Напруга - пробій випромінювача колектора (макс.): 45V, Насиченість Vce (макс.) @ Ib, Ic: 500mV @ 10mA, 100mA, Струм - відсікання колектора (макс.): 100µA, Посилення струму постійного струму (hFE) (мінімальне) @ Ic, Vce: 160 @ 2mA, 10V,

До побажання

Panasonic Electronic Components

2SD1819ARL

частина: 5334

Транзисторний тип: NPN, Струм - колектор (Ic) (макс.): 100mA, Напруга - пробій випромінювача колектора (макс.): 50V, Насиченість Vce (макс.) @ Ib, Ic: 300mV @ 10mA, 100mA, Струм - відсікання колектора (макс.): 100µA, Посилення струму постійного струму (hFE) (мінімальне) @ Ic, Vce: 210 @ 2mA, 10V,

До побажання

Panasonic Electronic Components

2SB0709AQL

частина: 5342

Транзисторний тип: PNP, Струм - колектор (Ic) (макс.): 100mA, Напруга - пробій випромінювача колектора (макс.): 45V, Насиченість Vce (макс.) @ Ib, Ic: 500mV @ 10mA, 100mA, Струм - відсікання колектора (макс.): 100µA, Посилення струму постійного струму (hFE) (мінімальне) @ Ic, Vce: 160 @ 2mA, 10V,

До побажання

Panasonic Electronic Components

2SD12950RL

частина: 5366

Транзисторний тип: NPN, Струм - колектор (Ic) (макс.): 1.5A, Напруга - пробій випромінювача колектора (макс.): 40V, Насиченість Vce (макс.) @ Ib, Ic: 1V @ 150mA, 1.5A, Струм - відсікання колектора (макс.): 100µA, Посилення струму постійного струму (hFE) (мінімальне) @ Ic, Vce: 80 @ 1A, 5V,

До побажання

Panasonic Electronic Components

2SB09680RL

частина: 6619

Транзисторний тип: PNP, Струм - колектор (Ic) (макс.): 1.5A, Напруга - пробій випромінювача колектора (макс.): 40V, Насиченість Vce (макс.) @ Ib, Ic: 1V @ 150mA, 1.5A, Струм - відсікання колектора (макс.): 100µA, Посилення струму постійного струму (hFE) (мінімальне) @ Ic, Vce: 120 @ 1A, 5V,

До побажання

Panasonic Electronic Components

2SB12210QA

частина: 5320

Транзисторний тип: PNP, Струм - колектор (Ic) (макс.): 70mA, Напруга - пробій випромінювача колектора (макс.): 200V, Насиченість Vce (макс.) @ Ib, Ic: 1.5V @ 5mA, 50mA, Посилення струму постійного струму (hFE) (мінімальне) @ Ic, Vce: 60 @ 5mA, 10V,

До побажання

Panasonic Electronic Components

2SC3940AQA

частина: 5284

Транзисторний тип: NPN, Струм - колектор (Ic) (макс.): 1A, Напруга - пробій випромінювача колектора (макс.): 50V, Насиченість Vce (макс.) @ Ib, Ic: 400mV @ 50mA, 500mA, Струм - відсікання колектора (макс.): 100nA (ICBO), Посилення струму постійного струму (hFE) (мінімальне) @ Ic, Vce: 85 @ 500mA, 10V,

До побажання

Panasonic Electronic Components

2SC39400RA

частина: 5350

Транзисторний тип: NPN, Струм - колектор (Ic) (макс.): 1A, Напруга - пробій випромінювача колектора (макс.): 25V, Насиченість Vce (макс.) @ Ib, Ic: 400mV @ 50mA, 500mA, Струм - відсікання колектора (макс.): 100nA (ICBO), Посилення струму постійного струму (hFE) (мінімальне) @ Ic, Vce: 120 @ 500mA, 10V,

До побажання

Rohm Semiconductor

2SD1782KT146Q

частина: 128110

Транзисторний тип: NPN, Струм - колектор (Ic) (макс.): 500mA, Напруга - пробій випромінювача колектора (макс.): 80V, Насиченість Vce (макс.) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 500mA, Струм - відсікання колектора (макс.): 500nA (ICBO), Посилення струму постійного струму (hFE) (мінімальне) @ Ic, Vce: 120 @ 100mA, 3V,

До побажання

Rohm Semiconductor

2SC5876T106Q

частина: 106087

Транзисторний тип: NPN, Струм - колектор (Ic) (макс.): 500mA, Напруга - пробій випромінювача колектора (макс.): 60V, Насиченість Vce (макс.) @ Ib, Ic: 300mV @ 10mA, 100mA, Струм - відсікання колектора (макс.): 1µA (ICBO), Посилення струму постійного струму (hFE) (мінімальне) @ Ic, Vce: 120 @ 50mA, 2V,

До побажання

Rohm Semiconductor

2SD2142KT146

частина: 190030

Транзисторний тип: NPN - Darlington, Струм - колектор (Ic) (макс.): 300mA, Напруга - пробій випромінювача колектора (макс.): 30V, Насиченість Vce (макс.) @ Ib, Ic: 1.5V @ 100µA, 100mA, Струм - відсікання колектора (макс.): 100nA (ICBO), Посилення струму постійного струму (hFE) (мінімальне) @ Ic, Vce: 10000 @ 100mA, 5V,

До побажання

Rohm Semiconductor

2SD1733TLQ

частина: 166038

Транзисторний тип: NPN, Струм - колектор (Ic) (макс.): 1A, Напруга - пробій випромінювача колектора (макс.): 80V, Насиченість Vce (макс.) @ Ib, Ic: 400mV @ 20mA, 500mA, Струм - відсікання колектора (макс.): 1µA (ICBO), Посилення струму постійного струму (hFE) (мінімальне) @ Ic, Vce: 120 @ 500mA, 3V,

До побажання

Rohm Semiconductor

2SD2096T114E

частина: 5306

Транзисторний тип: NPN, Струм - колектор (Ic) (макс.): 3A, Напруга - пробій випромінювача колектора (макс.): 60V, Насиченість Vce (макс.) @ Ib, Ic: 1V @ 200mA, 2A, Струм - відсікання колектора (макс.): 10µA (ICBO), Посилення струму постійного струму (hFE) (мінімальне) @ Ic, Vce: 100 @ 500mA, 5V,

До побажання

Rohm Semiconductor

2SC5103TLQ

частина: 174983

Транзисторний тип: NPN, Струм - колектор (Ic) (макс.): 5A, Напруга - пробій випромінювача колектора (макс.): 60V, Насиченість Vce (макс.) @ Ib, Ic: 500mV @ 200mA, 4A, Струм - відсікання колектора (макс.): 10µA (ICBO), Посилення струму постійного струму (hFE) (мінімальне) @ Ic, Vce: 120 @ 1A, 2V,

До побажання

Rohm Semiconductor

2SB1181TLQ

частина: 165094

Транзисторний тип: PNP, Струм - колектор (Ic) (макс.): 1A, Напруга - пробій випромінювача колектора (макс.): 80V, Насиченість Vce (макс.) @ Ib, Ic: 400mV @ 50mA, 500mA, Струм - відсікання колектора (макс.): 1µA (ICBO), Посилення струму постійного струму (hFE) (мінімальне) @ Ic, Vce: 120 @ 100mA, 3V,

До побажання

Toshiba Semiconductor and Storage

2SC4116-Y,LF

частина: 109658

Транзисторний тип: NPN, Струм - колектор (Ic) (макс.): 150mA, Напруга - пробій випромінювача колектора (макс.): 50V, Насиченість Vce (макс.) @ Ib, Ic: 250mV @ 10mA, 100mA, Струм - відсікання колектора (макс.): 100nA (ICBO), Посилення струму постійного струму (hFE) (мінімальне) @ Ic, Vce: 120 @ 2mA, 6V,

До побажання

Toshiba Semiconductor and Storage

2SC4116-O(TE85L,F)

частина: 189229

Транзисторний тип: NPN, Струм - колектор (Ic) (макс.): 150mA, Напруга - пробій випромінювача колектора (макс.): 50V, Насиченість Vce (макс.) @ Ib, Ic: 250mV @ 10mA, 100mA, Струм - відсікання колектора (макс.): 100nA (ICBO), Посилення струму постійного струму (hFE) (мінімальне) @ Ic, Vce: 70 @ 2mA, 6V,

До побажання

ON Semiconductor

2N6520TA

частина: 148526

Транзисторний тип: PNP, Струм - колектор (Ic) (макс.): 500mA, Напруга - пробій випромінювача колектора (макс.): 350V, Насиченість Vce (макс.) @ Ib, Ic: 1V @ 5mA, 50mA, Струм - відсікання колектора (макс.): 50nA (ICBO), Посилення струму постійного струму (hFE) (мінімальне) @ Ic, Vce: 20 @ 50mA, 10V,

До побажання

ON Semiconductor

2SD1048-6-TB-E

частина: 109114

Транзисторний тип: NPN, Струм - колектор (Ic) (макс.): 700mA, Напруга - пробій випромінювача колектора (макс.): 15V, Насиченість Vce (макс.) @ Ib, Ic: 80mV @ 10mA, 100mA, Струм - відсікання колектора (макс.): 100nA (ICBO), Посилення струму постійного струму (hFE) (мінімальне) @ Ic, Vce: 200 @ 50mA, 2V,

До побажання

ON Semiconductor

2SC5242OTU

частина: 27451

Транзисторний тип: NPN, Струм - колектор (Ic) (макс.): 17A, Напруга - пробій випромінювача колектора (макс.): 250V, Насиченість Vce (макс.) @ Ib, Ic: 3V @ 800mA, 8A, Струм - відсікання колектора (макс.): 5µA (ICBO), Посилення струму постійного струму (hFE) (мінімальне) @ Ic, Vce: 80 @ 1A, 5V,

До побажання

STMicroelectronics

2STF2220

частина: 5285

Транзисторний тип: PNP, Струм - колектор (Ic) (макс.): 1.5A, Напруга - пробій випромінювача колектора (макс.): 20V, Насиченість Vce (макс.) @ Ib, Ic: 450mV @ 150mA, 1.5A, Струм - відсікання колектора (макс.): 100nA (ICBO), Посилення струму постійного струму (hFE) (мінімальне) @ Ic, Vce: 200 @ 100mA, 2V,

До побажання

Central Semiconductor Corp

2SC1815

частина: 74783

Транзисторний тип: NPN, Струм - колектор (Ic) (макс.): 150mA, Напруга - пробій випромінювача колектора (макс.): 50V, Насиченість Vce (макс.) @ Ib, Ic: 250mV @ 10mA, 100mA, Струм - відсікання колектора (макс.): 100nA (ICBO), Посилення струму постійного струму (hFE) (мінімальне) @ Ic, Vce: 70 @ 2mA, 6V,

До побажання

Diodes Incorporated

2DA1774R-7

частина: 5366

Транзисторний тип: PNP, Струм - колектор (Ic) (макс.): 150mA, Напруга - пробій випромінювача колектора (макс.): 50V, Насиченість Vce (макс.) @ Ib, Ic: 500mV @ 5mA, 50mA, Струм - відсікання колектора (макс.): 100nA (ICBO), Посилення струму постійного струму (hFE) (мінімальне) @ Ic, Vce: 180 @ 1mA, 6V,

До побажання

Microsemi Corporation

2N2221AL

частина: 6937

Транзисторний тип: NPN, Струм - колектор (Ic) (макс.): 800mA, Напруга - пробій випромінювача колектора (макс.): 50V, Насиченість Vce (макс.) @ Ib, Ic: 1V @ 50mA, 500mA, Струм - відсікання колектора (макс.): 50nA, Посилення струму постійного струму (hFE) (мінімальне) @ Ic, Vce: 40 @ 150mA, 10V,

До побажання