Menu
УКРАЇНАУКРАЇНА
Rfq / замовлення
0Rfq / замовлення

Транзистори - біполярні (BJT) - одинарні

2SB0709A0L
Panasonic Electronic Components

2SB0709A0L

частина: 5437

Транзисторний тип: PNP, Струм - колектор (Ic) (макс.): 100mA, Напруга - пробій випромінювача колектора (макс.): 45V, Насиченість Vce (макс.) @ Ib, Ic: 500mV @ 10mA, 100mA, Струм - відсікання колектора (макс.): 100µA, Посилення струму постійного струму (hFE) (мінімальне) @ Ic, Vce: 160 @ 2mA, 10V,

До побажання
2SB143400A
Panasonic Electronic Components

2SB143400A

частина: 5433

Транзисторний тип: PNP, Струм - колектор (Ic) (макс.): 2A, Напруга - пробій випромінювача колектора (макс.): 50V, Насиченість Vce (макс.) @ Ib, Ic: 300mV @ 50mA, 1A, Посилення струму постійного струму (hFE) (мінімальне) @ Ic, Vce: 120 @ 200mA, 2V,

До побажання
2SB1321A0A
Panasonic Electronic Components

2SB1321A0A

частина: 5460

Транзисторний тип: PNP, Струм - колектор (Ic) (макс.): 500mA, Напруга - пробій випромінювача колектора (макс.): 50V, Насиченість Vce (макс.) @ Ib, Ic: 600mV @ 30mA, 300mA, Струм - відсікання колектора (макс.): 1µA, Посилення струму постійного струму (hFE) (мінімальне) @ Ic, Vce: 85 @ 10mA, 10V,

До побажання
2SB1322A0A
Panasonic Electronic Components

2SB1322A0A

частина: 5467

Транзисторний тип: PNP, Струм - колектор (Ic) (макс.): 1A, Напруга - пробій випромінювача колектора (макс.): 50V, Насиченість Vce (макс.) @ Ib, Ic: 400mV @ 50mA, 500mA, Струм - відсікання колектора (макс.): 100nA (ICBO), Посилення струму постійного струму (hFE) (мінімальне) @ Ic, Vce: 85 @ 500mA, 10V,

До побажання
2SB1219ASL
Panasonic Electronic Components

2SB1219ASL

частина: 5490

Транзисторний тип: PNP, Струм - колектор (Ic) (макс.): 500mA, Напруга - пробій випромінювача колектора (макс.): 50V, Насиченість Vce (макс.) @ Ib, Ic: 600mV @ 30mA, 300mA, Струм - відсікання колектора (макс.): 100nA (ICBO), Посилення струму постійного струму (hFE) (мінімальне) @ Ic, Vce: 170 @ 150mA, 10V,

До побажання
2N6724
ON Semiconductor

2N6724

частина: 5450

Транзисторний тип: NPN - Darlington, Струм - колектор (Ic) (макс.): 1A, Напруга - пробій випромінювача колектора (макс.): 40V, Насиченість Vce (макс.) @ Ib, Ic: 1.5V @ 2mA, 1A, Посилення струму постійного струму (hFE) (мінімальне) @ Ic, Vce: 4000 @ 1A, 5V,

До побажання
2N6726
ON Semiconductor

2N6726

частина: 5395

Транзисторний тип: PNP, Струм - колектор (Ic) (макс.): 2A, Напруга - пробій випромінювача колектора (макс.): 30V,

До побажання
2N6714
ON Semiconductor

2N6714

частина: 6579

Транзисторний тип: NPN, Струм - колектор (Ic) (макс.): 2A, Напруга - пробій випромінювача колектора (макс.): 30V,

До побажання
2N3014
ON Semiconductor

2N3014

частина: 5441

Транзисторний тип: NPN, Струм - колектор (Ic) (макс.): 200mA, Напруга - пробій випромінювача колектора (макс.): 20V, Насиченість Vce (макс.) @ Ib, Ic: 350mV @ 10mA, 100mA, Струм - відсікання колектора (макс.): 300nA, Посилення струму постійного струму (hFE) (мінімальне) @ Ic, Vce: 30 @ 30mA, 400mV,

До побажання
2N3108
ON Semiconductor

2N3108

частина: 5384

Транзисторний тип: NPN, Напруга - пробій випромінювача колектора (макс.): 60V, Насиченість Vce (макс.) @ Ib, Ic: 1V @ 100mA, 1A, Струм - відсікання колектора (макс.): 10nA, Посилення струму постійного струму (hFE) (мінімальне) @ Ic, Vce: 40 @ 150mA,1V,

До побажання
2N2906A
ON Semiconductor

2N2906A

частина: 71797

Транзисторний тип: PNP, Струм - колектор (Ic) (макс.): 600mA, Напруга - пробій випромінювача колектора (макс.): 40V, Насиченість Vce (макс.) @ Ib, Ic: 1.6V @ 50mA, 500mA, Посилення струму постійного струму (hFE) (мінімальне) @ Ic, Vce: 40 @ 150mA, 10V,

До побажання
2N2369
ON Semiconductor

2N2369

частина: 5393

Транзисторний тип: NPN, Струм - колектор (Ic) (макс.): 200mA, Напруга - пробій випромінювача колектора (макс.): 15V, Насиченість Vce (макс.) @ Ib, Ic: 250mV @ 1mA, 10mA, Посилення струму постійного струму (hFE) (мінімальне) @ Ic, Vce: 40 @ 10mA, 1V,

До побажання
2N2221A
ON Semiconductor

2N2221A

частина: 71785

Транзисторний тип: NPN, Струм - колектор (Ic) (макс.): 800mA, Напруга - пробій випромінювача колектора (макс.): 40V, Насиченість Vce (макс.) @ Ib, Ic: 1V @ 50mA, 500mA, Посилення струму постійного струму (hFE) (мінімальне) @ Ic, Vce: 40 @ 150mA, 10V,

До побажання
2N5961
ON Semiconductor

2N5961

частина: 5420

Транзисторний тип: NPN, Струм - колектор (Ic) (макс.): 100mA, Напруга - пробій випромінювача колектора (макс.): 60V, Насиченість Vce (макс.) @ Ib, Ic: 200mV @ 500µA, 10mA, Струм - відсікання колектора (макс.): 2nA (ICBO), Посилення струму постійного струму (hFE) (мінімальне) @ Ic, Vce: 150 @ 10mA, 5V,

До побажання
2N5830
ON Semiconductor

2N5830

частина: 5439

Транзисторний тип: NPN, Струм - колектор (Ic) (макс.): 200mA, Напруга - пробій випромінювача колектора (макс.): 100V, Насиченість Vce (макс.) @ Ib, Ic: 250mV @ 5mA, 50mA, Струм - відсікання колектора (макс.): 50nA (ICBO), Посилення струму постійного струму (hFE) (мінімальне) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V,

До побажання
2N5771
ON Semiconductor

2N5771

частина: 5732

Транзисторний тип: PNP, Струм - колектор (Ic) (макс.): 200mA, Напруга - пробій випромінювача колектора (макс.): 15V, Насиченість Vce (макс.) @ Ib, Ic: 600mV @ 5mA, 50mA, Струм - відсікання колектора (макс.): 10nA, Посилення струму постійного струму (hFE) (мінімальне) @ Ic, Vce: 50 @ 10mA, 300mV,

До побажання
2N5772
ON Semiconductor

2N5772

частина: 5387

Транзисторний тип: NPN, Струм - колектор (Ic) (макс.): 300mA, Напруга - пробій випромінювача колектора (макс.): 15V, Насиченість Vce (макс.) @ Ib, Ic: 500mV @ 3mA, 300mA, Струм - відсікання колектора (макс.): 500nA, Посилення струму постійного струму (hFE) (мінімальне) @ Ic, Vce: 30 @ 30mA, 400mV,

До побажання
2N5682
ON Semiconductor

2N5682

частина: 5471

Транзисторний тип: NPN, Струм - колектор (Ic) (макс.): 1A, Напруга - пробій випромінювача колектора (макс.): 120V, Насиченість Vce (макс.) @ Ib, Ic: 1V @ 50mA, 500mA, Струм - відсікання колектора (макс.): 10µA, Посилення струму постійного струму (hFE) (мінімальне) @ Ic, Vce: 40 @ 250mA, 2V,

До побажання
2N5550BU
ON Semiconductor

2N5550BU

частина: 6606

Транзисторний тип: NPN, Струм - колектор (Ic) (макс.): 600mA, Напруга - пробій випромінювача колектора (макс.): 140V, Насиченість Vce (макс.) @ Ib, Ic: 250mV @ 5mA, 50mA, Струм - відсікання колектора (макс.): 100nA (ICBO), Посилення струму постійного струму (hFE) (мінімальне) @ Ic, Vce: 60 @ 10mA, 5V,

До побажання
2N5401BU
ON Semiconductor

2N5401BU

частина: 5419

Транзисторний тип: PNP, Струм - колектор (Ic) (макс.): 600mA, Напруга - пробій випромінювача колектора (макс.): 150V, Насиченість Vce (макс.) @ Ib, Ic: 500mV @ 5mA, 50mA, Струм - відсікання колектора (макс.): 50nA (ICBO), Посилення струму постійного струму (hFE) (мінімальне) @ Ic, Vce: 60 @ 10mA, 5V,

До побажання
2N5323
ON Semiconductor

2N5323

частина: 5454

Транзисторний тип: PNP, Струм - колектор (Ic) (макс.): 2A, Напруга - пробій випромінювача колектора (макс.): 50V, Насиченість Vce (макс.) @ Ib, Ic: 1.2V @ 50mA, 500mA, Посилення струму постійного струму (hFE) (мінімальне) @ Ic, Vce: 40 @ 500mA, 4V,

До побажання
2N5226
ON Semiconductor

2N5226

частина: 5437

Транзисторний тип: PNP, Струм - колектор (Ic) (макс.): 500mA, Напруга - пробій випромінювача колектора (макс.): 25V, Насиченість Vce (макс.) @ Ib, Ic: 800mV @ 10mA, 100mA, Посилення струму постійного струму (hFE) (мінімальне) @ Ic, Vce: 30 @ 50mA, 10V,

До побажання
2N5224
ON Semiconductor

2N5224

частина: 5407

Транзисторний тип: NPN, Струм - колектор (Ic) (макс.): 100mA, Напруга - пробій випромінювача колектора (макс.): 12V, Насиченість Vce (макс.) @ Ib, Ic: 350mV @ 3mA, 10mA, Посилення струму постійного струму (hFE) (мінімальне) @ Ic, Vce: 40 @ 10mA, 1V,

До побажання
2N5088BU
ON Semiconductor

2N5088BU

частина: 179781

Транзисторний тип: NPN, Струм - колектор (Ic) (макс.): 100mA, Напруга - пробій випромінювача колектора (макс.): 30V, Насиченість Vce (макс.) @ Ib, Ic: 500mV @ 1mA, 10mA, Струм - відсікання колектора (макс.): 50nA (ICBO), Посилення струму постійного струму (hFE) (мінімальне) @ Ic, Vce: 300 @ 100µA, 5V,

До побажання
2N4402BU
ON Semiconductor

2N4402BU

частина: 5460

Транзисторний тип: PNP, Струм - колектор (Ic) (макс.): 600mA, Напруга - пробій випромінювача колектора (макс.): 40V, Насиченість Vce (макс.) @ Ib, Ic: 750mV @ 50mA, 500mA, Посилення струму постійного струму (hFE) (мінімальне) @ Ic, Vce: 50 @ 150mA, 2V,

До побажання
2N4400BU
ON Semiconductor

2N4400BU

частина: 5455

Транзисторний тип: NPN, Струм - колектор (Ic) (макс.): 600mA, Напруга - пробій випромінювача колектора (макс.): 40V, Насиченість Vce (макс.) @ Ib, Ic: 750mV @ 50mA, 500mA, Посилення струму постійного струму (hFE) (мінімальне) @ Ic, Vce: 50 @ 150mA, 1V,

До побажання
2N4125BU
ON Semiconductor

2N4125BU

частина: 5391

Транзисторний тип: PNP, Струм - колектор (Ic) (макс.): 200mA, Напруга - пробій випромінювача колектора (макс.): 30V, Насиченість Vce (макс.) @ Ib, Ic: 400mV @ 5mA, 50mA, Струм - відсікання колектора (макс.): 50nA (ICBO), Посилення струму постійного струму (hFE) (мінімальне) @ Ic, Vce: 50 @ 2mA, 1V,

До побажання
2N4208
ON Semiconductor

2N4208

частина: 5405

Транзисторний тип: PNP, Струм - колектор (Ic) (макс.): 50mA, Напруга - пробій випромінювача колектора (макс.): 12V, Насиченість Vce (макс.) @ Ib, Ic: 130mV @ 100µA, 1mA, Струм - відсікання колектора (макс.): 10nA, Посилення струму постійного струму (hFE) (мінімальне) @ Ic, Vce: 30 @ 10mA, 300mV,

До побажання
2N3962
ON Semiconductor

2N3962

частина: 5405

Транзисторний тип: PNP, Струм - колектор (Ic) (макс.): 200mA, Напруга - пробій випромінювача колектора (макс.): 60V, Насиченість Vce (макс.) @ Ib, Ic: 400mV @ 5mA, 50mA, Струм - відсікання колектора (макс.): 10nA, Посилення струму постійного струму (hFE) (мінімальне) @ Ic, Vce: 100 @ 1mA, 5V,

До побажання
2N4123BU
ON Semiconductor

2N4123BU

частина: 5451

Транзисторний тип: NPN, Струм - колектор (Ic) (макс.): 200mA, Напруга - пробій випромінювача колектора (макс.): 30V, Насиченість Vce (макс.) @ Ib, Ic: 300mV @ 5mA, 50mA, Струм - відсікання колектора (макс.): 50nA (ICBO), Посилення струму постійного струму (hFE) (мінімальне) @ Ic, Vce: 50 @ 2mA, 1V,

До побажання
2N3905BU
ON Semiconductor

2N3905BU

частина: 5413

Транзисторний тип: PNP, Струм - колектор (Ic) (макс.): 200mA, Напруга - пробій випромінювача колектора (макс.): 40V, Насиченість Vce (макс.) @ Ib, Ic: 400mV @ 5mA, 50mA, Посилення струму постійного струму (hFE) (мінімальне) @ Ic, Vce: 50 @ 10mA, 1V,

До побажання
2N6727
ON Semiconductor

2N6727

частина: 5472

Транзисторний тип: PNP, Струм - колектор (Ic) (макс.): 2A, Напруга - пробій випромінювача колектора (макс.): 40V, Насиченість Vce (макс.) @ Ib, Ic: 500mV @ 100mA, 1A, Посилення струму постійного струму (hFE) (мінімальне) @ Ic, Vce: 50 @ 1A, 1V,

До побажання
2N6719
ON Semiconductor

2N6719

частина: 6614

Транзисторний тип: NPN, Струм - колектор (Ic) (макс.): 500mA, Напруга - пробій випромінювача колектора (макс.): 300V,

До побажання
2N6725
ON Semiconductor

2N6725

частина: 5448

Транзисторний тип: NPN - Darlington, Струм - колектор (Ic) (макс.): 1A, Напруга - пробій випромінювача колектора (макс.): 50V, Насиченість Vce (макс.) @ Ib, Ic: 1.5V @ 2mA, 1A, Посилення струму постійного струму (hFE) (мінімальне) @ Ic, Vce: 4000 @ 1A, 5V,

До побажання
2N6715
ON Semiconductor

2N6715

частина: 5467

Транзисторний тип: NPN, Струм - колектор (Ic) (макс.): 2A, Напруга - пробій випромінювача колектора (макс.): 40V, Насиченість Vce (макс.) @ Ib, Ic: 500mV @ 100mA, 1A, Посилення струму постійного струму (hFE) (мінімальне) @ Ic, Vce: 50 @ 1A, 1V,

До побажання
2N3904PH
Vishay Semiconductor Diodes Division

2N3904PH

частина: 5410

Транзисторний тип: NPN, Струм - колектор (Ic) (макс.): 200mA, Напруга - пробій випромінювача колектора (макс.): 40V, Насиченість Vce (макс.) @ Ib, Ic: 300mV @ 5mA, 50mA, Посилення струму постійного струму (hFE) (мінімальне) @ Ic, Vce: 100 @ 10mA, 1V,

До побажання