Транзистори - біполярні (BJT) - одинарні | Дискретні напівпровідникові вироби | 100

2SC4115STPS

частина: 6624

Транзисторний тип: NPN, Струм - колектор (Ic) (макс.): 2A, Напруга - пробій випромінювача колектора (макс.): 20V, Насиченість Vce (макс.) @ Ib, Ic: 500mV @ 100mA, 2A, Струм - відсікання колектора (макс.): 100nA (ICBO), Посилення струму постійного струму (hFE) (мінімальне) @ Ic, Vce: 270 @ 100mA, 2V,

До побажання

Rohm Semiconductor

2SD1768STPR

частина: 6599

Транзисторний тип: NPN, Струм - колектор (Ic) (макс.): 1A, Напруга - пробій випромінювача колектора (макс.): 80V, Насиченість Vce (макс.) @ Ib, Ic: 400mV @ 20mA, 500mA, Струм - відсікання колектора (макс.): 1µA (ICBO), Посилення струму постійного струму (hFE) (мінімальне) @ Ic, Vce: 120 @ 500mA, 3V,

До побажання

Rohm Semiconductor

2SC5880TV2R

частина: 6648

Транзисторний тип: NPN, Струм - колектор (Ic) (макс.): 2A, Напруга - пробій випромінювача колектора (макс.): 60V, Насиченість Vce (макс.) @ Ib, Ic: 500mV @ 100mA, 1A, Струм - відсікання колектора (макс.): 1µA (ICBO), Посилення струму постійного струму (hFE) (мінімальне) @ Ic, Vce: 180 @ 100mA, 2V,

До побажання

Rohm Semiconductor

2SC5880TV2Q

частина: 6597

Транзисторний тип: NPN, Струм - колектор (Ic) (макс.): 2A, Напруга - пробій випромінювача колектора (макс.): 60V, Насиченість Vce (макс.) @ Ib, Ic: 500mV @ 100mA, 1A, Струм - відсікання колектора (макс.): 1µA (ICBO), Посилення струму постійного струму (hFE) (мінімальне) @ Ic, Vce: 120 @ 100mA, 2V,

До побажання

Rohm Semiconductor

2SD1468STPR

частина: 6684

Транзисторний тип: NPN, Струм - колектор (Ic) (макс.): 1A, Напруга - пробій випромінювача колектора (макс.): 15V, Насиченість Vce (макс.) @ Ib, Ic: 400mV @ 50mA, 500mA, Струм - відсікання колектора (макс.): 500nA (ICBO), Посилення струму постійного струму (hFE) (мінімальне) @ Ic, Vce: 120 @ 100mA, 3V,

До побажання

Rohm Semiconductor

2SD1468STPS

частина: 6614

Транзисторний тип: NPN, Струм - колектор (Ic) (макс.): 1A, Напруга - пробій випромінювача колектора (макс.): 15V, Насиченість Vce (макс.) @ Ib, Ic: 400mV @ 50mA, 500mA, Струм - відсікання колектора (макс.): 500nA (ICBO), Посилення струму постійного струму (hFE) (мінімальне) @ Ic, Vce: 120 @ 100mA, 3V,

До побажання

Rohm Semiconductor

2SC3415STPP

частина: 6614

Транзисторний тип: NPN, Струм - колектор (Ic) (макс.): 100mA, Напруга - пробій випромінювача колектора (макс.): 300V, Насиченість Vce (макс.) @ Ib, Ic: 2V @ 5mA, 50mA, Струм - відсікання колектора (макс.): 500nA (ICBO), Посилення струму постійного струму (hFE) (мінімальне) @ Ic, Vce: 56 @ 10mA, 10V,

До побажання

Rohm Semiconductor

2SA1515STPR

частина: 6642

Транзисторний тип: PNP, Струм - колектор (Ic) (макс.): 1A, Напруга - пробій випромінювача колектора (макс.): 32V, Насиченість Vce (макс.) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 500mA, Струм - відсікання колектора (макс.): 500nA (ICBO), Посилення струму постійного струму (hFE) (мінімальне) @ Ic, Vce: 180 @ 100mA, 3V,

До побажання

Rohm Semiconductor

2SD2144STPU

частина: 5681

Транзисторний тип: NPN, Струм - колектор (Ic) (макс.): 500mA, Напруга - пробій випромінювача колектора (макс.): 20V, Насиченість Vce (макс.) @ Ib, Ic: 400mV @ 20mA, 500mA, Струм - відсікання колектора (макс.): 500nA (ICBO), Посилення струму постійного струму (hFE) (мінімальне) @ Ic, Vce: 820 @ 10mA, 3V,

До побажання

Rohm Semiconductor

2SC3415STPN

частина: 6666

Транзисторний тип: NPN, Струм - колектор (Ic) (макс.): 100mA, Напруга - пробій випромінювача колектора (макс.): 300V, Насиченість Vce (макс.) @ Ib, Ic: 2V @ 5mA, 50mA, Струм - відсікання колектора (макс.): 500nA (ICBO), Посилення струму постійного струму (hFE) (мінімальне) @ Ic, Vce: 56 @ 10mA, 10V,

До побажання

Rohm Semiconductor

2SD2705STP

частина: 6617

Транзисторний тип: NPN, Струм - колектор (Ic) (макс.): 300mA, Напруга - пробій випромінювача колектора (макс.): 20V, Насиченість Vce (макс.) @ Ib, Ic: 100mV @ 3mA, 30mA, Струм - відсікання колектора (макс.): 100nA (ICBO), Посилення струму постійного струму (hFE) (мінімальне) @ Ic, Vce: 820 @ 4ma, 2V,

До побажання

Rohm Semiconductor

2SC1741ASTPR

частина: 6668

Транзисторний тип: NPN, Струм - колектор (Ic) (макс.): 500mA, Напруга - пробій випромінювача колектора (макс.): 50V, Насиченість Vce (макс.) @ Ib, Ic: 400mV @ 15mA, 150mA, Струм - відсікання колектора (макс.): 500nA (ICBO), Посилення струму постійного струму (hFE) (мінімальне) @ Ic, Vce: 120 @ 100mA, 3V,

До побажання

Rohm Semiconductor

2SA1038STPS

частина: 6601

Транзисторний тип: PNP, Струм - колектор (Ic) (макс.): 50mA, Напруга - пробій випромінювача колектора (макс.): 120V, Насиченість Vce (макс.) @ Ib, Ic: 500mV @ 1mA, 10mA, Струм - відсікання колектора (макс.): 500nA (ICBO), Посилення струму постійного струму (hFE) (мінімальне) @ Ic, Vce: 180 @ 2mA, 6V,

До побажання

Rohm Semiconductor

2SC2389STPS

частина: 6602

Транзисторний тип: NPN, Струм - колектор (Ic) (макс.): 50mA, Напруга - пробій випромінювача колектора (макс.): 120V, Насиченість Vce (макс.) @ Ib, Ic: 500mV @ 1mA, 10mA, Струм - відсікання колектора (макс.): 500nA (ICBO), Посилення струму постійного струму (hFE) (мінімальне) @ Ic, Vce: 180 @ 2mA, 6V,

До побажання

Rohm Semiconductor

2SC2058STPP

частина: 6625

Транзисторний тип: NPN, Струм - колектор (Ic) (макс.): 50mA, Напруга - пробій випромінювача колектора (макс.): 25V, Насиченість Vce (макс.) @ Ib, Ic: 300mV @ 1mA, 10mA, Струм - відсікання колектора (макс.): 500nA (ICBO), Посилення струму постійного струму (hFE) (мінімальне) @ Ic, Vce: 82 @ 1mA, 6V,

До побажання

Rohm Semiconductor

2SD1768STPQ

частина: 6643

Транзисторний тип: NPN, Струм - колектор (Ic) (макс.): 1A, Напруга - пробій випромінювача колектора (макс.): 80V, Насиченість Vce (макс.) @ Ib, Ic: 400mV @ 20mA, 500mA, Струм - відсікання колектора (макс.): 1µA (ICBO), Посилення струму постійного струму (hFE) (мінімальне) @ Ic, Vce: 120 @ 500mA, 3V,

До побажання

Rohm Semiconductor

2SA2199T2LR

частина: 6599

Транзисторний тип: PNP, Струм - колектор (Ic) (макс.): 100mA, Напруга - пробій випромінювача колектора (макс.): 50V, Насиченість Vce (макс.) @ Ib, Ic: 300mV @ 2.5mA, 25mA, Струм - відсікання колектора (макс.): 100nA (ICBO), Посилення струму постійного струму (hFE) (мінімальне) @ Ic, Vce: 180 @ 2mA, 6V,

До побажання

Rohm Semiconductor

2SC6114T2LR

частина: 5670

Транзисторний тип: NPN, Струм - колектор (Ic) (макс.): 100mA, Напруга - пробій випромінювача колектора (макс.): 50V, Насиченість Vce (макс.) @ Ib, Ic: 300mV @ 2.5mA, 25mA, Струм - відсікання колектора (макс.): 100nA (ICBO), Посилення струму постійного струму (hFE) (мінімальне) @ Ic, Vce: 180 @ 2mA, 6V,

До побажання

Rohm Semiconductor

2SC6114T2LQ

частина: 6639

Транзисторний тип: NPN, Струм - колектор (Ic) (макс.): 100mA, Напруга - пробій випромінювача колектора (макс.): 50V, Насиченість Vce (макс.) @ Ib, Ic: 300mV @ 2.5mA, 25mA, Струм - відсікання колектора (макс.): 100nA (ICBO), Посилення струму постійного струму (hFE) (мінімальне) @ Ic, Vce: 120 @ 2mA, 6V,

До побажання

Rohm Semiconductor

2SC1741STPQ

частина: 6633

Транзисторний тип: NPN, Струм - колектор (Ic) (макс.): 500mA, Напруга - пробій випромінювача колектора (макс.): 32V, Насиченість Vce (макс.) @ Ib, Ic: 600mV @ 50mA, 500mA, Струм - відсікання колектора (макс.): 1µA (ICBO), Посилення струму постійного струму (hFE) (мінімальне) @ Ic, Vce: 120 @ 100mA, 3V,

До побажання

Rohm Semiconductor

2SC5662T2LN

частина: 6668

Транзисторний тип: NPN, Струм - колектор (Ic) (макс.): 50mA, Напруга - пробій випромінювача колектора (макс.): 11V, Насиченість Vce (макс.) @ Ib, Ic: 500mV @ 5mA, 10mA, Струм - відсікання колектора (макс.): 500nA (ICBO), Посилення струму постійного струму (hFE) (мінімальне) @ Ic, Vce: 56 @ 5mA, 10V,

До побажання

ON Semiconductor

2N4953_D26Z

частина: 6647

Транзисторний тип: NPN, Струм - колектор (Ic) (макс.): 1A, Напруга - пробій випромінювача колектора (макс.): 30V, Насиченість Vce (макс.) @ Ib, Ic: 300mV @ 15mA, 150mA, Струм - відсікання колектора (макс.): 50nA (ICBO), Посилення струму постійного струму (hFE) (мінімальне) @ Ic, Vce: 200 @ 150mA, 10V,

До побажання

ON Semiconductor

2SC6082

частина: 6635

Транзисторний тип: NPN, Струм - колектор (Ic) (макс.): 15A, Напруга - пробій випромінювача колектора (макс.): 50V, Насиченість Vce (макс.) @ Ib, Ic: 400mV @ 375mA, 7.5A, Струм - відсікання колектора (макс.): 10µA (ICBO), Посилення струму постійного струму (hFE) (мінімальне) @ Ic, Vce: 200 @ 330mA, 2V,

До побажання

ON Semiconductor

2N6040G

частина: 90449

Транзисторний тип: PNP - Darlington, Струм - колектор (Ic) (макс.): 8A, Напруга - пробій випромінювача колектора (макс.): 60V, Насиченість Vce (макс.) @ Ib, Ic: 2V @ 16mA, 4A, Струм - відсікання колектора (макс.): 20µA, Посилення струму постійного струму (hFE) (мінімальне) @ Ic, Vce: 1000 @ 4A, 4V,

До побажання

Central Semiconductor Corp

2N3392

частина: 9947

Транзисторний тип: NPN, Напруга - пробій випромінювача колектора (макс.): 25V, Струм - відсікання колектора (макс.): 100nA (ICBO), Посилення струму постійного струму (hFE) (мінімальне) @ Ic, Vce: 150 @ 2mA, 4.5V,

До побажання

STMicroelectronics

2STN2340

частина: 6663

Транзисторний тип: PNP, Струм - колектор (Ic) (макс.): 3A, Напруга - пробій випромінювача колектора (макс.): 40V, Насиченість Vce (макс.) @ Ib, Ic: 350mV @ 150mA, 3A, Струм - відсікання колектора (макс.): 100nA (ICBO), Посилення струму постійного струму (hFE) (мінімальне) @ Ic, Vce: 180 @ 1A, 2V,

До побажання

STMicroelectronics

2STL1525

частина: 6592

Транзисторний тип: NPN, Струм - колектор (Ic) (макс.): 5A, Напруга - пробій випромінювача колектора (макс.): 25V, Насиченість Vce (макс.) @ Ib, Ic: 500mV @ 40mA, 3.5A, Струм - відсікання колектора (макс.): 100nA (ICBO), Посилення струму постійного струму (hFE) (мінімальне) @ Ic, Vce: 150 @ 500mA, 2V,

До побажання

STMicroelectronics

2SC5200

частина: 6672

Транзисторний тип: NPN, Струм - колектор (Ic) (макс.): 15A, Напруга - пробій випромінювача колектора (макс.): 230V, Насиченість Vce (макс.) @ Ib, Ic: 3V @ 800mA, 8A, Струм - відсікання колектора (макс.): 5µA (ICBO), Посилення струму постійного струму (hFE) (мінімальне) @ Ic, Vce: 55 @ 1A, 5V,

До побажання

STMicroelectronics

2STA1837

частина: 6584

Транзисторний тип: PNP, Струм - колектор (Ic) (макс.): 1A, Напруга - пробій випромінювача колектора (макс.): 230V, Насиченість Vce (макс.) @ Ib, Ic: 1V @ 50mA, 500mA, Струм - відсікання колектора (макс.): 1µA (ICBO), Посилення струму постійного струму (hFE) (мінімальне) @ Ic, Vce: 100 @ 100mA, 5V,

До побажання

STMicroelectronics

2STC4793

частина: 6591

Транзисторний тип: NPN, Струм - колектор (Ic) (макс.): 1A, Напруга - пробій випромінювача колектора (макс.): 230V, Насиченість Vce (макс.) @ Ib, Ic: 1V @ 50mA, 500mA, Струм - відсікання колектора (макс.): 1µA (ICBO), Посилення струму постійного струму (hFE) (мінімальне) @ Ic, Vce: 100 @ 100mA, 5V,

До побажання

STMicroelectronics

2ST1480FP

частина: 6669

Транзисторний тип: NPN, Струм - колектор (Ic) (макс.): 5A, Напруга - пробій випромінювача колектора (макс.): 80V, Насиченість Vce (макс.) @ Ib, Ic: 1V @ 300mA, 3A, Струм - відсікання колектора (макс.): 100nA (ICBO), Посилення струму постійного струму (hFE) (мінімальне) @ Ic, Vce: 170 @ 500mA, 5V,

До побажання

STMicroelectronics

2STD2360T4

частина: 6600

Транзисторний тип: PNP, Струм - колектор (Ic) (макс.): 3A, Напруга - пробій випромінювача колектора (макс.): 60V, Насиченість Vce (макс.) @ Ib, Ic: 500mV @ 150mA, 3A, Струм - відсікання колектора (макс.): 100nA (ICBO), Посилення струму постійного струму (hFE) (мінімальне) @ Ic, Vce: 160 @ 1A, 2V,

До побажання

STMicroelectronics

2STD1360T4

частина: 6634

Транзисторний тип: NPN, Струм - колектор (Ic) (макс.): 3A, Напруга - пробій випромінювача колектора (макс.): 60V, Насиченість Vce (макс.) @ Ib, Ic: 500mV @ 150mA, 3A, Струм - відсікання колектора (макс.): 100nA (ICBO), Посилення струму постійного струму (hFE) (мінімальне) @ Ic, Vce: 160 @ 1A, 2V,

До побажання

STMicroelectronics

2STF1550

частина: 6635

Транзисторний тип: NPN, Струм - колектор (Ic) (макс.): 5A, Напруга - пробій випромінювача колектора (макс.): 50V, Насиченість Vce (макс.) @ Ib, Ic: 450mV @ 300mA, 3A, Струм - відсікання колектора (макс.): 100nA (ICBO), Посилення струму постійного струму (hFE) (мінімальне) @ Ic, Vce: 135 @ 2A, 2V,

До побажання

STMicroelectronics

2STN2550

частина: 6661

Транзисторний тип: PNP, Струм - колектор (Ic) (макс.): 5A, Напруга - пробій випромінювача колектора (макс.): 50V, Насиченість Vce (макс.) @ Ib, Ic: 550mV @ 300mA, 3A, Струм - відсікання колектора (макс.): 100nA (ICBO), Посилення струму постійного струму (hFE) (мінімальне) @ Ic, Vce: 110 @ 2A, 2V,

До побажання

Microsemi Corporation

2N2222AUB

частина: 7307

Транзисторний тип: NPN, Струм - колектор (Ic) (макс.): 800mA, Напруга - пробій випромінювача колектора (макс.): 50V, Насиченість Vce (макс.) @ Ib, Ic: 1V @ 50mA, 500mA, Струм - відсікання колектора (макс.): 50nA, Посилення струму постійного струму (hFE) (мінімальне) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 10V,

До побажання