Menu
УКРАЇНАУКРАЇНА
Rfq / замовлення
0Rfq / замовлення

Транзистори - біполярні (BJT) - одинарні

2SD1683T
ON Semiconductor

2SD1683T

частина: 6627

Транзисторний тип: NPN, Струм - колектор (Ic) (макс.): 4A, Напруга - пробій випромінювача колектора (макс.): 50V, Насиченість Vce (макс.) @ Ib, Ic: 500mV @ 100mA, 2A, Струм - відсікання колектора (макс.): 1µA (ICBO), Посилення струму постійного струму (hFE) (мінімальне) @ Ic, Vce: 100 @ 100mA, 2V,

До побажання
2SD1685G
ON Semiconductor

2SD1685G

частина: 6639

Транзисторний тип: NPN, Струм - колектор (Ic) (макс.): 5A, Напруга - пробій випромінювача колектора (макс.): 20V, Насиченість Vce (макс.) @ Ib, Ic: 500mV @ 60mA, 3A, Струм - відсікання колектора (макс.): 100nA (ICBO), Посилення струму постійного струму (hFE) (мінімальне) @ Ic, Vce: 280 @ 500mA, 2V,

До побажання
2SD1683S
ON Semiconductor

2SD1683S

частина: 6693

Транзисторний тип: NPN, Струм - колектор (Ic) (макс.): 4A, Напруга - пробій випромінювача колектора (макс.): 50V, Насиченість Vce (макс.) @ Ib, Ic: 500mV @ 100mA, 2A, Струм - відсікання колектора (макс.): 1µA (ICBO), Посилення струму постійного струму (hFE) (мінімальне) @ Ic, Vce: 100 @ 100mA, 2V,

До побажання
2SC6144
ON Semiconductor

2SC6144

частина: 6698

Транзисторний тип: NPN, Струм - колектор (Ic) (макс.): 10A, Напруга - пробій випромінювача колектора (макс.): 50V, Насиченість Vce (макс.) @ Ib, Ic: 360mV @ 300mA, 6A, Струм - відсікання колектора (макс.): 10µA (ICBO), Посилення струму постійного струму (hFE) (мінімальне) @ Ic, Vce: 200 @ 270mA, 2V,

До побажання
2SC5291S-AY
ON Semiconductor

2SC5291S-AY

частина: 6681

Транзисторний тип: NPN, Струм - колектор (Ic) (макс.): 1.5A, Напруга - пробій випромінювача колектора (макс.): 160V, Насиченість Vce (макс.) @ Ib, Ic: 450mV @ 50mA, 500mA, Струм - відсікання колектора (макс.): 1µA (ICBO), Посилення струму постійного струму (hFE) (мінімальне) @ Ic, Vce: 100 @ 100mA, 5V,

До побажання
2SC5706-H
ON Semiconductor

2SC5706-H

частина: 114436

Транзисторний тип: NPN, Струм - колектор (Ic) (макс.): 5A, Напруга - пробій випромінювача колектора (макс.): 50V, Насиченість Vce (макс.) @ Ib, Ic: 240mV @ 100mA, 2A, Струм - відсікання колектора (макс.): 1µA (ICBO), Посилення струму постійного струму (hFE) (мінімальне) @ Ic, Vce: 200 @ 500mA, 2V,

До побажання
2SC4614T-AN
ON Semiconductor

2SC4614T-AN

частина: 6662

Транзисторний тип: NPN, Струм - колектор (Ic) (макс.): 1.5A, Напруга - пробій випромінювача колектора (макс.): 160V, Насиченість Vce (макс.) @ Ib, Ic: 450mV @ 50mA, 500mA, Струм - відсікання колектора (макс.): 1µA (ICBO), Посилення струму постійного струму (hFE) (мінімальне) @ Ic, Vce: 100 @ 100mA, 5V,

До побажання
2SC3902T
ON Semiconductor

2SC3902T

частина: 6684

Транзисторний тип: NPN, Струм - колектор (Ic) (макс.): 1.5A, Напруга - пробій випромінювача колектора (макс.): 160V, Насиченість Vce (макс.) @ Ib, Ic: 450mV @ 50mA, 500mA, Струм - відсікання колектора (макс.): 1µA (ICBO), Посилення струму постійного струму (hFE) (мінімальне) @ Ic, Vce: 100 @ 100mA, 5V,

До побажання
2SC3902S
ON Semiconductor

2SC3902S

частина: 6693

Транзисторний тип: NPN, Струм - колектор (Ic) (макс.): 1.5A, Напруга - пробій випромінювача колектора (макс.): 160V, Насиченість Vce (макс.) @ Ib, Ic: 450mV @ 50mA, 500mA, Струм - відсікання колектора (макс.): 1µA (ICBO), Посилення струму постійного струму (hFE) (мінімальне) @ Ic, Vce: 100 @ 100mA, 5V,

До побажання
2SC3332S-AA
ON Semiconductor

2SC3332S-AA

частина: 6699

Транзисторний тип: NPN, Струм - колектор (Ic) (макс.): 700mA, Напруга - пробій випромінювача колектора (макс.): 160V, Насиченість Vce (макс.) @ Ib, Ic: 400mV @ 2mA, 20mA, Струм - відсікання колектора (макс.): 100nA (ICBO), Посилення струму постійного струму (hFE) (мінімальне) @ Ic, Vce: 100 @ 100mA, 5V,

До побажання
2SC2812N6-TB-E
ON Semiconductor

2SC2812N6-TB-E

частина: 6628

Транзисторний тип: NPN, Струм - колектор (Ic) (макс.): 150mA, Напруга - пробій випромінювача колектора (макс.): 50V, Насиченість Vce (макс.) @ Ib, Ic: 500mV @ 5mA, 50mA, Струм - відсікання колектора (макс.): 100nA (ICBO), Посилення струму постійного струму (hFE) (мінімальне) @ Ic, Vce: 135 @ 1mA, 6V,

До побажання
2SA2222
ON Semiconductor

2SA2222

частина: 6657

Транзисторний тип: PNP, Струм - колектор (Ic) (макс.): 10A, Напруга - пробій випромінювача колектора (макс.): 50V, Насиченість Vce (макс.) @ Ib, Ic: 500mV @ 300mA, 6A, Струм - відсікання колектора (макс.): 10µA (ICBO), Посилення струму постійного струму (hFE) (мінімальне) @ Ic, Vce: 150 @ 270mA, 2V,

До побажання
2SA2210
ON Semiconductor

2SA2210

частина: 6704

Транзисторний тип: PNP, Струм - колектор (Ic) (макс.): 20A, Напруга - пробій випромінювача колектора (макс.): 50V, Насиченість Vce (макс.) @ Ib, Ic: 500mV @ 350mA, 7A, Струм - відсікання колектора (макс.): 10µA (ICBO), Посилення струму постійного струму (hFE) (мінімальне) @ Ic, Vce: 150 @ 1A, 2V,

До побажання
2SA1827S-AY
ON Semiconductor

2SA1827S-AY

частина: 6648

Транзисторний тип: PNP, Струм - колектор (Ic) (макс.): 4A, Напруга - пробій випромінювача колектора (макс.): 100V, Насиченість Vce (макс.) @ Ib, Ic: 500mV @ 200mA, 2A, Струм - відсікання колектора (макс.): 1µA (ICBO), Посилення струму постійного струму (hFE) (мінімальне) @ Ic, Vce: 100 @ 500mA, 5V,

До побажання
2SA1768S-AN
ON Semiconductor

2SA1768S-AN

частина: 6607

Транзисторний тип: PNP, Струм - колектор (Ic) (макс.): 700µA, Напруга - пробій випромінювача колектора (макс.): 160V, Насиченість Vce (макс.) @ Ib, Ic: 500mV @ 25mA, 250mA, Струм - відсікання колектора (макс.): 100nA (ICBO), Посилення струму постійного струму (hFE) (мінімальне) @ Ic, Vce: 100 @ 100mA, 5V,

До побажання
2SA1706S-AN
ON Semiconductor

2SA1706S-AN

частина: 6684

Транзисторний тип: PNP, Струм - колектор (Ic) (макс.): 2A, Напруга - пробій випромінювача колектора (макс.): 50V, Насиченість Vce (макс.) @ Ib, Ic: 700mV @ 50mA, 1A, Струм - відсікання колектора (макс.): 100nA (ICBO), Посилення струму постійного струму (hFE) (мінімальне) @ Ic, Vce: 100 @ 100mA, 2V,

До побажання
2SA1709S-AN
ON Semiconductor

2SA1709S-AN

частина: 6638

Транзисторний тип: PNP, Струм - колектор (Ic) (макс.): 2A, Напруга - пробій випромінювача колектора (макс.): 100V, Насиченість Vce (макс.) @ Ib, Ic: 600mV @ 100mA, 1A, Струм - відсікання колектора (макс.): 100nA (ICBO), Посилення струму постійного струму (hFE) (мінімальне) @ Ic, Vce: 100 @ 100mA, 5V,

До побажання
2SA1179N6-TB-E
ON Semiconductor

2SA1179N6-TB-E

частина: 6695

Транзисторний тип: PNP, Струм - колектор (Ic) (макс.): 150mA, Напруга - пробій випромінювача колектора (макс.): 50V, Насиченість Vce (макс.) @ Ib, Ic: 500mV @ 5mA, 50mA, Струм - відсікання колектора (макс.): 100nA (ICBO), Посилення струму постійного струму (hFE) (мінімальне) @ Ic, Vce: 135 @ 1mA, 6V,

До побажання
2SC5888
ON Semiconductor

2SC5888

частина: 6616

Транзисторний тип: NPN, Струм - колектор (Ic) (макс.): 10A, Напруга - пробій випромінювача колектора (макс.): 50V, Насиченість Vce (макс.) @ Ib, Ic: 360mV @ 250mA, 5A, Струм - відсікання колектора (макс.): 10µA (ICBO), Посилення струму постійного струму (hFE) (мінімальне) @ Ic, Vce: 200 @ 1A, 2V,

До побажання
2SC4731T-AY
ON Semiconductor

2SC4731T-AY

частина: 6622

Транзисторний тип: NPN, Струм - колектор (Ic) (макс.): 4A, Напруга - пробій випромінювача колектора (макс.): 100V, Насиченість Vce (макс.) @ Ib, Ic: 400mV @ 200mA, 2A, Струм - відсікання колектора (макс.): 1µA (ICBO), Посилення струму постійного струму (hFE) (мінімальне) @ Ic, Vce: 200 @ 500mA, 5V,

До побажання
2SC4837S-AY
ON Semiconductor

2SC4837S-AY

частина: 6650

Транзисторний тип: NPN, Струм - колектор (Ic) (макс.): 4A, Напруга - пробій випромінювача колектора (макс.): 50V, Насиченість Vce (макс.) @ Ib, Ic: 500mV @ 100mA, 2A, Струм - відсікання колектора (макс.): 1µA (ICBO), Посилення струму постійного струму (hFE) (мінімальне) @ Ic, Vce: 140 @ 10mA, 2V,

До побажання
2SC4487T-AN
ON Semiconductor

2SC4487T-AN

частина: 6618

Транзисторний тип: NPN, Струм - колектор (Ic) (макс.): 300mA, Напруга - пробій випромінювача колектора (макс.): 50V, Насиченість Vce (макс.) @ Ib, Ic: 500mV @ 100mA, 2A, Струм - відсікання колектора (макс.): 1µA (ICBO), Посилення струму постійного струму (hFE) (мінімальне) @ Ic, Vce: 200 @ 100mA, 2V,

До побажання
2SC4731S-AY
ON Semiconductor

2SC4731S-AY

частина: 6649

Транзисторний тип: NPN, Струм - колектор (Ic) (макс.): 4A, Напруга - пробій випромінювача колектора (макс.): 100V, Насиченість Vce (макс.) @ Ib, Ic: 400mV @ 200mA, 2A, Струм - відсікання колектора (макс.): 1µA (ICBO), Посилення струму постійного струму (hFE) (мінімальне) @ Ic, Vce: 140 @ 500mA, 5V,

До побажання
2SB1143T
ON Semiconductor

2SB1143T

частина: 5739

Транзисторний тип: PNP, Струм - колектор (Ic) (макс.): 4A, Напруга - пробій випромінювача колектора (макс.): 50V, Насиченість Vce (макс.) @ Ib, Ic: 700mV @ 100mA, 2A, Струм - відсікання колектора (макс.): 1µA (ICBO), Посилення струму постійного струму (hFE) (мінімальне) @ Ic, Vce: 200 @ 100mA, 2V,

До побажання
2SA2112-AN
ON Semiconductor

2SA2112-AN

частина: 6656

Транзисторний тип: PNP, Струм - колектор (Ic) (макс.): 3A, Напруга - пробій випромінювача колектора (макс.): 50V, Насиченість Vce (макс.) @ Ib, Ic: 700mV @ 100mA, 2A, Струм - відсікання колектора (макс.): 1µA (ICBO), Посилення струму постійного струму (hFE) (мінімальне) @ Ic, Vce: 200 @ 100mA, 10V,

До побажання
2SB1143S
ON Semiconductor

2SB1143S

частина: 6652

Транзисторний тип: PNP, Струм - колектор (Ic) (макс.): 4A, Напруга - пробій випромінювача колектора (макс.): 50V, Насиченість Vce (макс.) @ Ib, Ic: 700mV @ 100mA, 2A, Струм - відсікання колектора (макс.): 1µA (ICBO), Посилення струму постійного струму (hFE) (мінімальне) @ Ic, Vce: 140 @ 100mA, 2V,

До побажання
2SA2099
ON Semiconductor

2SA2099

частина: 6730

Транзисторний тип: PNP, Струм - колектор (Ic) (макс.): 10A, Напруга - пробій випромінювача колектора (макс.): 50V, Насиченість Vce (макс.) @ Ib, Ic: 500mV @ 250mA, 5A, Струм - відсікання колектора (макс.): 10µA (ICBO), Посилення струму постійного струму (hFE) (мінімальне) @ Ic, Vce: 200 @ 1A, 2V,

До побажання
2SA1707S-AN
ON Semiconductor

2SA1707S-AN

частина: 6694

Транзисторний тип: PNP, Струм - колектор (Ic) (макс.): 3A, Напруга - пробій випромінювача колектора (макс.): 50V, Насиченість Vce (макс.) @ Ib, Ic: 700mV @ 100mA, 2A, Струм - відсікання колектора (макс.): 1µA (ICBO), Посилення струму постійного струму (hFE) (мінімальне) @ Ic, Vce: 140 @ 100mA, 2V,

До побажання
2N3906RLRMG
ON Semiconductor

2N3906RLRMG

частина: 6617

Транзисторний тип: PNP, Струм - колектор (Ic) (макс.): 200mA, Напруга - пробій випромінювача колектора (макс.): 40V, Насиченість Vce (макс.) @ Ib, Ic: 400mV @ 5mA, 50mA, Посилення струму постійного струму (hFE) (мінімальне) @ Ic, Vce: 100 @ 10mA, 1V,

До побажання
2SC4135T-E
ON Semiconductor

2SC4135T-E

частина: 114892

Транзисторний тип: NPN, Струм - колектор (Ic) (макс.): 2A, Напруга - пробій випромінювача колектора (макс.): 100V, Насиченість Vce (макс.) @ Ib, Ic: 400mV @ 100mA, 1A, Струм - відсікання колектора (макс.): 100nA (ICBO), Посилення струму постійного струму (hFE) (мінімальне) @ Ic, Vce: 200 @ 100mA, 5V,

До побажання
2N3904ZL1G
ON Semiconductor

2N3904ZL1G

частина: 6636

Транзисторний тип: NPN, Струм - колектор (Ic) (макс.): 200mA, Напруга - пробій випромінювача колектора (макс.): 40V, Насиченість Vce (макс.) @ Ib, Ic: 300mV @ 5mA, 50mA, Посилення струму постійного струму (hFE) (мінімальне) @ Ic, Vce: 100 @ 10mA, 1V,

До побажання
2N3964
Central Semiconductor Corp

2N3964

частина: 21929

Транзисторний тип: PNP, Струм - колектор (Ic) (макс.): 200mA, Напруга - пробій випромінювача колектора (макс.): 45V, Насиченість Vce (макс.) @ Ib, Ic: 400mV @ 5mA, 50mA, Струм - відсікання колектора (макс.): 10nA, Посилення струму постійного струму (hFE) (мінімальне) @ Ic, Vce: 250 @ 1mA, 5V,

До побажання
2SA2093TV2Q
Rohm Semiconductor

2SA2093TV2Q

частина: 6676

Транзисторний тип: PNP, Струм - колектор (Ic) (макс.): 2A, Напруга - пробій випромінювача колектора (макс.): 60V, Насиченість Vce (макс.) @ Ib, Ic: 500mV @ 100mA, 1A, Струм - відсікання колектора (макс.): 1µA (ICBO), Посилення струму постійного струму (hFE) (мінімальне) @ Ic, Vce: 120 @ 100mA, 2V,

До побажання
2SC5826TV2Q
Rohm Semiconductor

2SC5826TV2Q

частина: 6625

Транзисторний тип: NPN, Струм - колектор (Ic) (макс.): 3A, Напруга - пробій випромінювача колектора (макс.): 60V, Насиченість Vce (макс.) @ Ib, Ic: 500mV @ 200mA, 2A, Струм - відсікання колектора (макс.): 1µA (ICBO), Посилення струму постійного струму (hFE) (мінімальне) @ Ic, Vce: 120 @ 100mA, 2V,

До побажання
2SC5826TV2R
Rohm Semiconductor

2SC5826TV2R

частина: 6662

Транзисторний тип: NPN, Струм - колектор (Ic) (макс.): 3A, Напруга - пробій випромінювача колектора (макс.): 60V, Насиченість Vce (макс.) @ Ib, Ic: 500mV @ 200mA, 2A, Струм - відсікання колектора (макс.): 1µA (ICBO), Посилення струму постійного струму (hFE) (мінімальне) @ Ic, Vce: 180 @ 100mA, 2V,

До побажання
2SC4115STPQ
Rohm Semiconductor

2SC4115STPQ

частина: 6598

Транзисторний тип: NPN, Струм - колектор (Ic) (макс.): 2A, Напруга - пробій випромінювача колектора (макс.): 20V, Насиченість Vce (макс.) @ Ib, Ic: 500mV @ 100mA, 2A, Струм - відсікання колектора (макс.): 100nA (ICBO), Посилення струму постійного струму (hFE) (мінімальне) @ Ic, Vce: 120 @ 100mA, 2V,

До побажання