Транзистори - IGBT - модулі | Дискретні напівпровідникові вироби | 65

APTGF165SK60D1G

частина: 463

Тип IGBT: NPT, Конфігурація: Single, Напруга - пробій випромінювача колектора (макс.): 600V, Струм - колектор (Ic) (макс.): 230A, Потужність - Макс: 730W, Vce (увімкнено) (макс.) @ Vge, Ic: 2.5V @ 15V, 200A,

До побажання

Microsemi Corporation

APTGF180A60TG

частина: 496

Тип IGBT: NPT, Конфігурація: Half Bridge, Напруга - пробій випромінювача колектора (макс.): 600V, Струм - колектор (Ic) (макс.): 220A, Потужність - Макс: 833W, Vce (увімкнено) (макс.) @ Vge, Ic: 2.5V @ 15V, 180A,

До побажання

Microsemi Corporation

APTGF165A60D1G

частина: 456

Тип IGBT: NPT, Конфігурація: Half Bridge, Напруга - пробій випромінювача колектора (макс.): 600V, Струм - колектор (Ic) (макс.): 230A, Потужність - Макс: 781W, Vce (увімкнено) (макс.) @ Vge, Ic: 2.45V @ 15V, 200A,

До побажання

Microsemi Corporation

APTGF165DA60D1G

частина: 448

Тип IGBT: NPT, Конфігурація: Single, Напруга - пробій випромінювача колектора (макс.): 600V, Струм - колектор (Ic) (макс.): 230A, Потужність - Макс: 730W, Vce (увімкнено) (макс.) @ Vge, Ic: 2.5V @ 15V, 200A,

До побажання

Microsemi Corporation

APTGF15H120T3G

частина: 440

Тип IGBT: NPT, Конфігурація: Full Bridge Inverter, Напруга - пробій випромінювача колектора (макс.): 1200V, Струм - колектор (Ic) (макс.): 25A, Потужність - Макс: 140W, Vce (увімкнено) (макс.) @ Vge, Ic: 3.7V @ 15V, 15A,

До побажання

Microsemi Corporation

APTGF15A120T1G

частина: 442

Тип IGBT: NPT, Конфігурація: Half Bridge, Напруга - пробій випромінювача колектора (макс.): 1200V, Струм - колектор (Ic) (макс.): 25A, Потужність - Макс: 140W, Vce (увімкнено) (макс.) @ Vge, Ic: 3.7V @ 15V, 15A,

До побажання

Microsemi Corporation

APTGF15H120T1G

частина: 487

Тип IGBT: NPT, Конфігурація: Full Bridge Inverter, Напруга - пробій випромінювача колектора (макс.): 1200V, Струм - колектор (Ic) (макс.): 25A, Потужність - Макс: 140W, Vce (увімкнено) (макс.) @ Vge, Ic: 3.7V @ 15V, 15A,

До побажання

Microsemi Corporation

APTGF150SK120TG

частина: 414

Тип IGBT: NPT, Конфігурація: Single, Напруга - пробій випромінювача колектора (макс.): 1200V, Струм - колектор (Ic) (макс.): 200A, Потужність - Макс: 961W, Vce (увімкнено) (макс.) @ Vge, Ic: 3.7V @ 15V, 150A,

До побажання

Microsemi Corporation

APTGF150DH120G

частина: 410

Тип IGBT: NPT, Конфігурація: Asymmetrical Bridge, Напруга - пробій випромінювача колектора (макс.): 1200V, Струм - колектор (Ic) (макс.): 200A, Потужність - Макс: 961W, Vce (увімкнено) (макс.) @ Vge, Ic: 3.7V @ 15V, 150A,

До побажання

Microsemi Corporation

APTGF150DA120TG

частина: 435

Тип IGBT: NPT, Конфігурація: Single, Напруга - пробій випромінювача колектора (макс.): 1200V, Струм - колектор (Ic) (макс.): 200A, Потужність - Макс: 961W, Vce (увімкнено) (макс.) @ Vge, Ic: 3.7V @ 15V, 150A,

До побажання

Microsemi Corporation

APTGF100SK120TG

частина: 453

Тип IGBT: NPT, Конфігурація: Single, Напруга - пробій випромінювача колектора (макс.): 1200V, Струм - колектор (Ic) (макс.): 135A, Потужність - Макс: 568W, Vce (увімкнено) (макс.) @ Vge, Ic: 3.7V @ 15V, 100A,

До побажання

Microsemi Corporation

APTGF150A120TG

частина: 3069

Тип IGBT: NPT, Конфігурація: Half Bridge, Напруга - пробій випромінювача колектора (макс.): 1200V, Струм - колектор (Ic) (макс.): 200A, Потужність - Макс: 961W, Vce (увімкнено) (макс.) @ Vge, Ic: 3.7V @ 15V, 150A,

До побажання

Microsemi Corporation

APTGF100DU120TG

частина: 453

Тип IGBT: NPT, Конфігурація: Dual, Common Source, Напруга - пробій випромінювача колектора (макс.): 1200V, Струм - колектор (Ic) (макс.): 135A, Потужність - Макс: 568W, Vce (увімкнено) (макс.) @ Vge, Ic: 3.7V @ 15V, 100A,

До побажання

Microsemi Corporation

APTGF100DA120T1G

частина: 411

Тип IGBT: NPT, Конфігурація: Single, Напруга - пробій випромінювача колектора (макс.): 1200V, Струм - колектор (Ic) (макс.): 130A, Потужність - Макс: 735W, Vce (увімкнено) (макс.) @ Vge, Ic: 3.7V @ 15V, 100A,

До побажання

Microsemi Corporation

APTGF100A120TG

частина: 435

Тип IGBT: NPT, Конфігурація: Half Bridge, Напруга - пробій випромінювача колектора (макс.): 1200V, Струм - колектор (Ic) (макс.): 135A, Потужність - Макс: 568W, Vce (увімкнено) (макс.) @ Vge, Ic: 3.7V @ 15V, 100A,

До побажання

Microsemi Corporation

APT60GF60JU3

частина: 455

Тип IGBT: NPT, Конфігурація: Single, Напруга - пробій випромінювача колектора (макс.): 600V, Струм - колектор (Ic) (макс.): 93A, Потужність - Макс: 378W, Vce (увімкнено) (макс.) @ Vge, Ic: 2.5V @ 15V, 60A,

До побажання

Microsemi Corporation

APT60GF60JU2

частина: 418

Тип IGBT: NPT, Конфігурація: Single, Напруга - пробій випромінювача колектора (макс.): 600V, Струм - колектор (Ic) (макс.): 93A, Потужність - Макс: 378W, Vce (увімкнено) (макс.) @ Vge, Ic: 2.5V @ 15V, 60A,

До побажання

Microsemi Corporation

APT50GT120JU3

частина: 3465

Тип IGBT: Trench Field Stop, Конфігурація: Single, Напруга - пробій випромінювача колектора (макс.): 1200V, Струм - колектор (Ic) (макс.): 75A, Потужність - Макс: 347W, Vce (увімкнено) (макс.) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 50A,

До побажання

Microsemi Corporation

APT50GT120JU2

частина: 3433

Тип IGBT: Trench Field Stop, Конфігурація: Single, Напруга - пробій випромінювача колектора (макс.): 1200V, Струм - колектор (Ic) (макс.): 75A, Потужність - Макс: 347W, Vce (увімкнено) (макс.) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 50A,

До побажання

Microsemi Corporation

APT50GF60JU3

частина: 448

Тип IGBT: NPT, Конфігурація: Single, Напруга - пробій випромінювача колектора (макс.): 600V, Струм - колектор (Ic) (макс.): 75A, Потужність - Макс: 277W, Vce (увімкнено) (макс.) @ Vge, Ic: 2.7V @ 15V, 50A,

До побажання

Microsemi Corporation

APT30GF60JU3

частина: 465

Тип IGBT: NPT, Конфігурація: Single, Напруга - пробій випромінювача колектора (макс.): 600V, Струм - колектор (Ic) (макс.): 58A, Потужність - Макс: 192W, Vce (увімкнено) (макс.) @ Vge, Ic: 2.5V @ 15V, 30A,

До побажання

Microsemi Corporation

APT30GF60JU2

частина: 416

Тип IGBT: NPT, Конфігурація: Single, Напруга - пробій випромінювача колектора (макс.): 600V, Струм - колектор (Ic) (макс.): 58A, Потужність - Макс: 192W, Vce (увімкнено) (макс.) @ Vge, Ic: 2.5V @ 15V, 30A,

До побажання

Microsemi Corporation

APT100GF60JU3

частина: 481

Тип IGBT: NPT, Конфігурація: Single, Напруга - пробій випромінювача колектора (макс.): 600V, Струм - колектор (Ic) (макс.): 120A, Потужність - Макс: 416W, Vce (увімкнено) (макс.) @ Vge, Ic: 2.5V @ 15V, 100A,

До побажання

Microsemi Corporation

APT75GN120J

частина: 420

Тип IGBT: Trench Field Stop, Конфігурація: Single, Напруга - пробій випромінювача колектора (макс.): 1200V, Струм - колектор (Ic) (макс.): 124A, Потужність - Макс: 379W, Vce (увімкнено) (макс.) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 75A,

До побажання

Microsemi Corporation

APT75GN120JDQ3G

частина: 401

Тип IGBT: Trench Field Stop, Конфігурація: Single, Напруга - пробій випромінювача колектора (макс.): 1200V, Струм - колектор (Ic) (макс.): 124A, Потужність - Макс: 379W, Vce (увімкнено) (макс.) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 75A,

До побажання

Microsemi Corporation

APT60GT60JR

частина: 445

Тип IGBT: NPT, Конфігурація: Single, Напруга - пробій випромінювача колектора (макс.): 600V, Струм - колектор (Ic) (макс.): 93A, Потужність - Макс: 378W, Vce (увімкнено) (макс.) @ Vge, Ic: 2.5V @ 15V, 60A,

До побажання

Microsemi Corporation

APT50GP60J

частина: 2419

Тип IGBT: PT, Конфігурація: Single, Напруга - пробій випромінювача колектора (макс.): 600V, Струм - колектор (Ic) (макс.): 100A, Потужність - Макс: 329W, Vce (увімкнено) (макс.) @ Vge, Ic: 2.7V @ 15V, 50A,

До побажання

Microsemi Corporation

APT50GT120JRDQ2

частина: 393

Тип IGBT: NPT, Конфігурація: Single, Напруга - пробій випромінювача колектора (макс.): 1200V, Струм - колектор (Ic) (макс.): 72A, Потужність - Макс: 379W, Vce (увімкнено) (макс.) @ Vge, Ic: 3.7V @ 15V, 50A,

До побажання

Microsemi Corporation

APT40GP60JDQ2

частина: 2536

Тип IGBT: PT, Конфігурація: Single, Напруга - пробій випромінювача колектора (макс.): 600V, Струм - колектор (Ic) (макс.): 86A, Потужність - Макс: 284W, Vce (увімкнено) (макс.) @ Vge, Ic: 2.7V @ 15V, 40A,

До побажання

Microsemi Corporation

APT40GF120JRDQ2

частина: 469

Тип IGBT: NPT, Конфігурація: Single, Напруга - пробій випромінювача колектора (макс.): 1200V, Струм - колектор (Ic) (макс.): 77A, Потужність - Макс: 347W, Vce (увімкнено) (макс.) @ Vge, Ic: 3V @ 15V, 40A,

До побажання

Microsemi Corporation

APT200GN60JG

частина: 406

Тип IGBT: Trench Field Stop, Конфігурація: Single, Напруга - пробій випромінювача колектора (макс.): 600V, Струм - колектор (Ic) (макс.): 283A, Потужність - Макс: 682W, Vce (увімкнено) (макс.) @ Vge, Ic: 1.85V @ 15V, 200A,

До побажання

Microsemi Corporation

APT75GP120JDQ3

частина: 1653

Тип IGBT: PT, Конфігурація: Single, Напруга - пробій випромінювача колектора (макс.): 1200V, Струм - колектор (Ic) (макс.): 128A, Потужність - Макс: 543W, Vce (увімкнено) (макс.) @ Vge, Ic: 3.9V @ 15V, 75A,

До побажання

Microsemi Corporation

APTGV50H60BT3G

частина: 1360

Тип IGBT: NPT, Trench Field Stop, Конфігурація: Boost Chopper, Full Bridge, Напруга - пробій випромінювача колектора (макс.): 600V, Струм - колектор (Ic) (макс.): 65A, Потужність - Макс: 250W, Vce (увімкнено) (макс.) @ Vge, Ic: 2.45V @ 15V, 50A,

До побажання

STMicroelectronics

A2P75S12M3-F

частина: 373

Тип IGBT: Trench Field Stop, Конфігурація: Three Phase Inverter, Напруга - пробій випромінювача колектора (макс.): 1200V, Струм - колектор (Ic) (макс.): 75A, Потужність - Макс: 454.5W, Vce (увімкнено) (макс.) @ Vge, Ic: 2.3V @ 15V, 75A,

До побажання

STMicroelectronics

A2P75S12M3

частина: 372

Тип IGBT: Trench Field Stop, Конфігурація: Three Phase Inverter, Напруга - пробій випромінювача колектора (макс.): 1200V, Струм - колектор (Ic) (макс.): 75A, Потужність - Макс: 454.5W, Vce (увімкнено) (макс.) @ Vge, Ic: 2.3V @ 15V, 75A,

До побажання

STMicroelectronics

A2C50S65M2

частина: 320

Тип IGBT: Trench Field Stop, Конфігурація: Three Phase Inverter with Brake, Напруга - пробій випромінювача колектора (макс.): 650V, Струм - колектор (Ic) (макс.): 50A, Потужність - Макс: 208W, Vce (увімкнено) (макс.) @ Vge, Ic: 2.3V @ 15V, 50A,

До побажання