Menu
УКРАЇНАУКРАЇНА
Rfq / замовлення
0Rfq / замовлення

Транзистори - IGBT - модулі

APTGV50H60T3G
Microsemi Corporation

APTGV50H60T3G

частина: 530

Тип IGBT: NPT, Trench Field Stop, Конфігурація: Full Bridge Inverter, Напруга - пробій випромінювача колектора (макс.): 600V, Струм - колектор (Ic) (макс.): 80A, Потужність - Макс: 176W, Vce (увімкнено) (макс.) @ Vge, Ic: 1.9V @ 15V, 50A,

До побажання
APTGV75H60T3G
Microsemi Corporation

APTGV75H60T3G

частина: 491

Тип IGBT: NPT, Trench Field Stop, Конфігурація: Full Bridge Inverter, Напруга - пробій випромінювача колектора (макс.): 600V, Струм - колектор (Ic) (макс.): 100A, Потужність - Макс: 250W, Vce (увімкнено) (макс.) @ Vge, Ic: 1.9V @ 15V, 75A,

До побажання
APTGV50H60BG
Microsemi Corporation

APTGV50H60BG

частина: 539

Тип IGBT: NPT, Trench Field Stop, Конфігурація: Boost Chopper, Full Bridge, Напруга - пробій випромінювача колектора (макс.): 600V, Струм - колектор (Ic) (макс.): 80A, Потужність - Макс: 176W, Vce (увімкнено) (макс.) @ Vge, Ic: 1.9V @ 15V, 50A,

До побажання
APTGV50H120T3G
Microsemi Corporation

APTGV50H120T3G

частина: 546

Тип IGBT: NPT, Trench Field Stop, Конфігурація: Full Bridge Inverter, Напруга - пробій випромінювача колектора (макс.): 1200V, Струм - колектор (Ic) (макс.): 75A, Потужність - Макс: 270W, Vce (увімкнено) (макс.) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 50A,

До побажання
APTGV30H60T3G
Microsemi Corporation

APTGV30H60T3G

частина: 476

Тип IGBT: NPT, Trench Field Stop, Конфігурація: Full Bridge Inverter, Напруга - пробій випромінювача колектора (макс.): 600V, Струм - колектор (Ic) (макс.): 50A, Потужність - Макс: 90W, Vce (увімкнено) (макс.) @ Vge, Ic: 1.9V @ 15V, 30A,

До побажання
APTGV50H120BTPG
Microsemi Corporation

APTGV50H120BTPG

частина: 466

Тип IGBT: NPT, Trench Field Stop, Конфігурація: Boost Chopper, Full Bridge, Напруга - пробій випромінювача колектора (макс.): 1200V, Струм - колектор (Ic) (макс.): 75A, Потужність - Макс: 270W, Vce (увімкнено) (макс.) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 50A,

До побажання
APTGV25H120BG
Microsemi Corporation

APTGV25H120BG

частина: 528

Тип IGBT: NPT, Trench Field Stop, Конфігурація: Boost Chopper, Full Bridge, Напруга - пробій випромінювача колектора (макс.): 1200V, Струм - колектор (Ic) (макс.): 40A, Потужність - Макс: 156W, Vce (увімкнено) (макс.) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 25A,

До побажання
APTGV25H120T3G
Microsemi Corporation

APTGV25H120T3G

частина: 540

Тип IGBT: NPT, Trench Field Stop, Конфігурація: Full Bridge Inverter, Напруга - пробій випромінювача колектора (макс.): 1200V, Струм - колектор (Ic) (макс.): 40A, Потужність - Макс: 156W, Vce (увімкнено) (макс.) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 25A,

До побажання
APTGV100H60T3G
Microsemi Corporation

APTGV100H60T3G

частина: 546

Тип IGBT: NPT, Trench Field Stop, Конфігурація: Full Bridge Inverter, Напруга - пробій випромінювача колектора (макс.): 600V, Струм - колектор (Ic) (макс.): 150A, Потужність - Макс: 340W, Vce (увімкнено) (макс.) @ Vge, Ic: 1.9V @ 15V, 100A,

До побажання
APTGV15H120T3G
Microsemi Corporation

APTGV15H120T3G

частина: 487

Тип IGBT: NPT, Trench Field Stop, Конфігурація: Full Bridge Inverter, Напруга - пробій випромінювача колектора (макс.): 1200V, Струм - колектор (Ic) (макс.): 25A, Потужність - Макс: 115W, Vce (увімкнено) (макс.) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 15A,

До побажання
APTGT75TA60PG
Microsemi Corporation

APTGT75TA60PG

частина: 546

Тип IGBT: Trench Field Stop, Конфігурація: Three Phase, Напруга - пробій випромінювача колектора (макс.): 600V, Струм - колектор (Ic) (макс.): 100A, Потужність - Макс: 250W, Vce (увімкнено) (макс.) @ Vge, Ic: 1.9V @ 15V, 75A,

До побажання
APTGV100H60BTPG
Microsemi Corporation

APTGV100H60BTPG

частина: 5307

Тип IGBT: NPT, Trench Field Stop, Конфігурація: Boost Chopper, Full Bridge, Напруга - пробій випромінювача колектора (макс.): 600V, Струм - колектор (Ic) (макс.): 150A, Потужність - Макс: 340W, Vce (увімкнено) (макс.) @ Vge, Ic: 1.9V @ 15V, 100A,

До побажання
APTGT75SK120T1G
Microsemi Corporation

APTGT75SK120T1G

частина: 531

Тип IGBT: Trench Field Stop, Конфігурація: Single, Напруга - пробій випромінювача колектора (макс.): 1200V, Струм - колектор (Ic) (макс.): 110A, Потужність - Макс: 357W, Vce (увімкнено) (макс.) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 75A,

До побажання
APTGT75SK120D1G
Microsemi Corporation

APTGT75SK120D1G

частина: 541

Тип IGBT: Trench Field Stop, Конфігурація: Single, Напруга - пробій випромінювача колектора (макс.): 1200V, Струм - колектор (Ic) (макс.): 110A, Потужність - Макс: 357W, Vce (увімкнено) (макс.) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 75A,

До побажання
APTGT75DH60TG
Microsemi Corporation

APTGT75DH60TG

частина: 521

Тип IGBT: Trench Field Stop, Конфігурація: Asymmetrical Bridge, Напруга - пробій випромінювача колектора (макс.): 600V, Струм - колектор (Ic) (макс.): 100A, Потужність - Макс: 250W, Vce (увімкнено) (макс.) @ Vge, Ic: 1.9V @ 15V, 75A,

До побажання
APTGT75DSK60T3G
Microsemi Corporation

APTGT75DSK60T3G

частина: 490

Тип IGBT: Trench Field Stop, Конфігурація: Dual Buck Chopper, Напруга - пробій випромінювача колектора (макс.): 600V, Струм - колектор (Ic) (макс.): 100A, Потужність - Макс: 250W, Vce (увімкнено) (макс.) @ Vge, Ic: 1.9V @ 15V, 75A,

До побажання
APTGT75DH120TG
Microsemi Corporation

APTGT75DH120TG

частина: 478

Тип IGBT: Trench Field Stop, Конфігурація: Asymmetrical Bridge, Напруга - пробій випромінювача колектора (макс.): 1200V, Струм - колектор (Ic) (макс.): 110A, Потужність - Макс: 357W, Vce (увімкнено) (макс.) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 75A,

До побажання
APTGT75DA170T1G
Microsemi Corporation

APTGT75DA170T1G

частина: 540

Тип IGBT: Trench Field Stop, Конфігурація: Single, Напруга - пробій випромінювача колектора (макс.): 1700V, Струм - колектор (Ic) (макс.): 130A, Потужність - Макс: 465W, Vce (увімкнено) (макс.) @ Vge, Ic: 2.4V @ 15V, 75A,

До побажання
APTGT75DA170D1G
Microsemi Corporation

APTGT75DA170D1G

частина: 464

Тип IGBT: Trench Field Stop, Конфігурація: Single, Напруга - пробій випромінювача колектора (макс.): 1700V, Струм - колектор (Ic) (макс.): 120A, Потужність - Макс: 520W, Vce (увімкнено) (макс.) @ Vge, Ic: 2.4V @ 15V, 75A,

До побажання
APTGT75DA120T1G
Microsemi Corporation

APTGT75DA120T1G

частина: 555

Тип IGBT: Trench Field Stop, Конфігурація: Single, Напруга - пробій випромінювача колектора (макс.): 1200V, Струм - колектор (Ic) (макс.): 110A, Потужність - Макс: 357W, Vce (увімкнено) (макс.) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 75A,

До побажання
APTGT75A170D1G
Microsemi Corporation

APTGT75A170D1G

частина: 545

Тип IGBT: Trench Field Stop, Конфігурація: Half Bridge, Напруга - пробій випромінювача колектора (макс.): 1700V, Струм - колектор (Ic) (макс.): 120A, Потужність - Макс: 520W, Vce (увімкнено) (макс.) @ Vge, Ic: 2.4V @ 15V, 75A,

До побажання
APTGT75DA120D1G
Microsemi Corporation

APTGT75DA120D1G

частина: 548

Тип IGBT: Trench Field Stop, Конфігурація: Single, Напруга - пробій випромінювача колектора (макс.): 1200V, Струм - колектор (Ic) (макс.): 110A, Потужність - Макс: 357W, Vce (увімкнено) (макс.) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 75A,

До побажання
APTGT75A120D1G
Microsemi Corporation

APTGT75A120D1G

частина: 526

Тип IGBT: Trench Field Stop, Конфігурація: Half Bridge, Напруга - пробій випромінювача колектора (макс.): 1200V, Струм - колектор (Ic) (макс.): 110A, Потужність - Макс: 357W, Vce (увімкнено) (макс.) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 75A,

До побажання
APTGT580U60D4G
Microsemi Corporation

APTGT580U60D4G

частина: 526

Тип IGBT: Trench Field Stop, Конфігурація: Single, Напруга - пробій випромінювача колектора (макс.): 600V, Струм - колектор (Ic) (макс.): 760A, Потужність - Макс: 1600W, Vce (увімкнено) (макс.) @ Vge, Ic: 1.9V @ 15V, 600A,

До побажання
APTGT50TA170PG
Microsemi Corporation

APTGT50TA170PG

частина: 482

Тип IGBT: Trench Field Stop, Конфігурація: Three Phase, Напруга - пробій випромінювача колектора (макс.): 1700V, Струм - колектор (Ic) (макс.): 70A, Потужність - Макс: 310W, Vce (увімкнено) (макс.) @ Vge, Ic: 2.4V @ 15V, 50A,

До побажання
APTGT50SK170D1G
Microsemi Corporation

APTGT50SK170D1G

частина: 514

Тип IGBT: Trench Field Stop, Конфігурація: Single, Напруга - пробій випромінювача колектора (макс.): 1700V, Струм - колектор (Ic) (макс.): 70A, Потужність - Макс: 310W, Vce (увімкнено) (макс.) @ Vge, Ic: 2.4V @ 15V, 50A,

До побажання
APTGT50DU170TG
Microsemi Corporation

APTGT50DU170TG

частина: 476

Тип IGBT: Trench Field Stop, Конфігурація: Dual, Common Source, Напруга - пробій випромінювача колектора (макс.): 1700V, Струм - колектор (Ic) (макс.): 75A, Потужність - Макс: 312W, Vce (увімкнено) (макс.) @ Vge, Ic: 2.4V @ 15V, 50A,

До побажання
APTGT50DSK60T3G
Microsemi Corporation

APTGT50DSK60T3G

частина: 541

Тип IGBT: Trench Field Stop, Конфігурація: Dual Buck Chopper, Напруга - пробій випромінювача колектора (макс.): 600V, Струм - колектор (Ic) (макс.): 80A, Потужність - Макс: 176W, Vce (увімкнено) (макс.) @ Vge, Ic: 1.9V @ 15V, 50A,

До побажання
APTGT50DSK120T3G
Microsemi Corporation

APTGT50DSK120T3G

частина: 552

Тип IGBT: Trench Field Stop, Конфігурація: Dual Buck Chopper, Напруга - пробій випромінювача колектора (макс.): 1200V, Струм - колектор (Ic) (макс.): 75A, Потужність - Макс: 270W, Vce (увімкнено) (макс.) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 50A,

До побажання
APTGT50DH60TG
Microsemi Corporation

APTGT50DH60TG

частина: 528

Тип IGBT: Trench Field Stop, Конфігурація: Asymmetrical Bridge, Напруга - пробій випромінювача колектора (макс.): 600V, Струм - колектор (Ic) (макс.): 80A, Потужність - Макс: 176W, Vce (увімкнено) (макс.) @ Vge, Ic: 1.9V @ 15V, 50A,

До побажання
APTGT50DA170T1G
Microsemi Corporation

APTGT50DA170T1G

частина: 3071

Тип IGBT: Trench Field Stop, Конфігурація: Single, Напруга - пробій випромінювача колектора (макс.): 1700V, Струм - колектор (Ic) (макс.): 75A, Потужність - Макс: 312W, Vce (увімкнено) (макс.) @ Vge, Ic: 2.4V @ 15V, 50A,

До побажання
APTGT50DA170D1G
Microsemi Corporation

APTGT50DA170D1G

частина: 518

Тип IGBT: Trench Field Stop, Конфігурація: Single, Напруга - пробій випромінювача колектора (макс.): 1700V, Струм - колектор (Ic) (макс.): 70A, Потужність - Макс: 310W, Vce (увімкнено) (макс.) @ Vge, Ic: 2.4V @ 15V, 50A,

До побажання
APTGT50DA120D1G
Microsemi Corporation

APTGT50DA120D1G

частина: 496

Тип IGBT: Trench Field Stop, Конфігурація: Single, Напруга - пробій випромінювача колектора (макс.): 1200V, Струм - колектор (Ic) (макс.): 75A, Потужність - Макс: 270W, Vce (увімкнено) (макс.) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 50A,

До побажання
APTGT50A170D1G
Microsemi Corporation

APTGT50A170D1G

частина: 535

Тип IGBT: Trench Field Stop, Конфігурація: Half Bridge, Напруга - пробій випромінювача колектора (макс.): 1700V, Струм - колектор (Ic) (макс.): 70A, Потужність - Макс: 310W, Vce (увімкнено) (макс.) @ Vge, Ic: 2.4V @ 15V, 50A,

До побажання
APTGT50A60T1G
Microsemi Corporation

APTGT50A60T1G

частина: 520

Тип IGBT: Trench Field Stop, Конфігурація: Half Bridge, Напруга - пробій випромінювача колектора (макс.): 600V, Струм - колектор (Ic) (макс.): 80A, Потужність - Макс: 176W, Vce (увімкнено) (макс.) @ Vge, Ic: 1.9V @ 15V, 50A,

До побажання
APTGT50A120D1G
Microsemi Corporation

APTGT50A120D1G

частина: 494

Тип IGBT: Trench Field Stop, Конфігурація: Half Bridge, Напруга - пробій випромінювача колектора (макс.): 1200V, Струм - колектор (Ic) (макс.): 75A, Потужність - Макс: 270W, Vce (увімкнено) (макс.) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 50A,

До побажання