Оптичні датчики - Фотопереривачі - Тип гнізда - Тр

OPB882T51Z

частина: 19541

Зондування відстані: 0.125" (3.18mm), Метод зондування: Transmissive, Вихідна конфігурація: Phototransistor, Струм - вперед постійного струму (якщо) (макс.): 50mA, Струм - колектор (Ic) (макс.): 30mA, Напруга - пробій випромінювача колектора (макс.): 30V,

До побажання

OPB840W11Z

частина: 14420

Зондування відстані: 0.125" (3.18mm), Метод зондування: Transmissive, Вихідна конфігурація: Phototransistor, Струм - вперед постійного струму (якщо) (макс.): 50mA, Струм - колектор (Ic) (макс.): 30mA, Напруга - пробій випромінювача колектора (макс.): 30V,

До побажання

OPB690Z

частина: 19972

Метод зондування: Optical Flag, Вихідна конфігурація: Transistor, Base-Emitter Resistor, Струм - вперед постійного струму (якщо) (макс.): 50mA, Струм - колектор (Ic) (макс.): 30mA, Напруга - пробій випромінювача колектора (макс.): 30V,

До побажання

OPB800W55Z

частина: 19867

Зондування відстані: 0.375" (9.53mm), Метод зондування: Transmissive, Вихідна конфігурація: Phototransistor, Струм - вперед постійного струму (якщо) (макс.): 50mA, Струм - колектор (Ic) (макс.): 30mA, Напруга - пробій випромінювача колектора (макс.): 30V,

До побажання

OPB801L55

частина: 33176

Зондування відстані: 0.375" (9.53mm), Метод зондування: Transmissive, Вихідна конфігурація: Phototransistor, Струм - вперед постійного струму (якщо) (макс.): 50mA, Струм - колектор (Ic) (макс.): 30mA, Напруга - пробій випромінювача колектора (макс.): 30V,

До побажання

OPB660N

частина: 34404

Зондування відстані: 0.125" (3.18mm), Метод зондування: Transmissive, Вихідна конфігурація: Transistor, Base-Emitter Resistor, Струм - вперед постійного струму (якщо) (макс.): 50mA, Струм - колектор (Ic) (макс.): 30mA, Напруга - пробій випромінювача колектора (макс.): 24V,

До побажання

OPB880T55Z

частина: 19594

Зондування відстані: 0.125" (3.18mm), Метод зондування: Transmissive, Вихідна конфігурація: Phototransistor, Струм - вперед постійного струму (якщо) (макс.): 50mA, Струм - колектор (Ic) (макс.): 30mA, Напруга - пробій випромінювача колектора (макс.): 30V,

До побажання

OPB350W062Z

частина: 11446

Зондування відстані: 0.063" (1.6mm), Метод зондування: Liquid, Вихідна конфігурація: Phototransistor, Струм - вперед постійного струму (якщо) (макс.): 50mA, Струм - колектор (Ic) (макс.): 50mA, Напруга - пробій випромінювача колектора (макс.): 30V,

До побажання

OPB880L51Z

частина: 19276

Зондування відстані: 0.125" (3.18mm), Метод зондування: Transmissive, Вихідна конфігурація: Phototransistor, Струм - вперед постійного струму (якщо) (макс.): 50mA, Струм - колектор (Ic) (макс.): 30mA, Напруга - пробій випромінювача колектора (макс.): 30V,

До побажання

OPB871N51

частина: 35386

Зондування відстані: 0.125" (3.18mm), Метод зондування: Transmissive, Вихідна конфігурація: Phototransistor, Струм - вперед постійного струму (якщо) (макс.): 50mA, Струм - колектор (Ic) (макс.): 30mA, Напруга - пробій випромінювача колектора (макс.): 30V,

До побажання

OPS693

частина: 55538

Метод зондування: Transmissive, Вихідна конфігурація: Phototransistor, Струм - вперед постійного струму (якщо) (макс.): 50mA, Напруга - пробій випромінювача колектора (макс.): 30V,

До побажання

OPB828D

частина: 35068

Зондування відстані: 0.125" (3.18mm), Метод зондування: Transmissive, Вихідна конфігурація: Phototransistor, Струм - вперед постійного струму (якщо) (макс.): 50mA, Струм - колектор (Ic) (макс.): 30mA, Напруга - пробій випромінювача колектора (макс.): 30V,

До побажання

OPB100Z

частина: 12199

Зондування відстані: 12" (304.8mm), Метод зондування: Transmissive, Вихідна конфігурація: Phototransistor, Струм - вперед постійного струму (якщо) (макс.): 100mA, Струм - колектор (Ic) (макс.): 50mA, Напруга - пробій випромінювача колектора (макс.): 30V,

До побажання

OPB350W250Z

частина: 11422

Зондування відстані: 0.250" (6.35mm), Метод зондування: Liquid, Вихідна конфігурація: Phototransistor, Струм - вперед постійного струму (якщо) (макс.): 50mA, Струм - колектор (Ic) (макс.): 50mA, Напруга - пробій випромінювача колектора (макс.): 30V,

До побажання

OPB825R

частина: 36329

Зондування відстані: 0.160" (4.06mm), Метод зондування: Transmissive, Вихідна конфігурація: Phototransistor, Струм - вперед постійного струму (якщо) (макс.): 50mA, Струм - колектор (Ic) (макс.): 30mA, Напруга - пробій випромінювача колектора (макс.): 30V,

До побажання

OPB831W51Z

частина: 17924

Зондування відстані: 0.125" (3.18mm), Метод зондування: Transmissive, Вихідна конфігурація: Phototransistor, Струм - вперед постійного струму (якщо) (макс.): 50mA, Струм - колектор (Ic) (макс.): 30mA, Напруга - пробій випромінювача колектора (макс.): 30V,

До побажання

OPB365N11

частина: 29919

Зондування відстані: 0.125" (3.18mm), Метод зондування: Transmissive, Вихідна конфігурація: Phototransistor, Струм - вперед постійного струму (якщо) (макс.): 50mA, Струм - колектор (Ic) (макс.): 30mA, Напруга - пробій випромінювача колектора (макс.): 30V,

До побажання

OPB350L187

частина: 15297

Зондування відстані: 0.188" (4.78mm), Метод зондування: Liquid, Вихідна конфігурація: Phototransistor, Струм - вперед постійного струму (якщо) (макс.): 50mA, Струм - колектор (Ic) (макс.): 50mA, Напруга - пробій випромінювача колектора (макс.): 30V,

До побажання

OPB815L

частина: 29913

Зондування відстані: 0.375" (9.53mm), Метод зондування: Transmissive, Вихідна конфігурація: Phototransistor, Струм - вперед постійного струму (якщо) (макс.): 50mA, Напруга - пробій випромінювача колектора (макс.): 30V,

До побажання

EE-SX1088

частина: 19068

Зондування відстані: 0.134" (3.4mm), Метод зондування: Transmissive, Вихідна конфігурація: Phototransistor, Струм - вперед постійного струму (якщо) (макс.): 50mA, Струм - колектор (Ic) (макс.): 20mA, Напруга - пробій випромінювача колектора (макс.): 30V,

До побажання

EE-SJ8-B

частина: 11701

Зондування відстані: 0.315" (8mm), Метод зондування: Transmissive, Вихідна конфігурація: Phototransistor, Струм - вперед постійного струму (якщо) (макс.): 50mA, Струм - колектор (Ic) (макс.): 20mA, Напруга - пробій випромінювача колектора (макс.): 30V,

До побажання

EE-SV3-D

частина: 9679

Зондування відстані: 0.134" (3.4mm), Метод зондування: Transmissive, Вихідна конфігурація: Phototransistor, Струм - вперед постійного струму (якщо) (макс.): 50mA, Струм - колектор (Ic) (макс.): 20mA, Напруга - пробій випромінювача колектора (макс.): 30V,

До побажання

Vishay Semiconductor Opto Division

EE-SX1042

частина: 21566

Зондування відстані: 0.197" (5mm), Метод зондування: Transmissive, Вихідна конфігурація: Phototransistor, Струм - вперед постійного струму (якщо) (макс.): 50mA, Струм - колектор (Ic) (макс.): 20mA, Напруга - пробій випромінювача колектора (макс.): 30V,

До побажання

TCPT1350X01

частина: 109658

Зондування відстані: 0.118" (3mm), Метод зондування: Transmissive, Вихідна конфігурація: Phototransistor, Струм - вперед постійного струму (якщо) (макс.): 15mA, Струм - колектор (Ic) (макс.): 20mA, Напруга - пробій випромінювача колектора (макс.): 20V,

До побажання

Vishay Semiconductor Opto Division

TCST1103

частина: 47579

Зондування відстані: 0.122" (3.1mm), Метод зондування: Transmissive, Вихідна конфігурація: Phototransistor, Струм - вперед постійного струму (якщо) (макс.): 60mA, Струм - колектор (Ic) (макс.): 4mA, Напруга - пробій випромінювача колектора (макс.): 70V,

До побажання

Vishay Semiconductor Opto Division

TCUT1300X01

частина: 99768

Зондування відстані: 0.118" (3mm), Метод зондування: Transmissive, Вихідна конфігурація: Phototransistor, Струм - вперед постійного струму (якщо) (макс.): 25mA, Струм - колектор (Ic) (макс.): 20mA, Напруга - пробій випромінювача колектора (макс.): 20V,

До побажання

Lite-On Inc.

LTH-301-05

частина: 60564

Зондування відстані: 0.236" (6mm), Метод зондування: Transmissive, Вихідна конфігурація: Phototransistor, Струм - вперед постійного струму (якщо) (макс.): 20mA, Напруга - пробій випромінювача колектора (макс.): 30V,

До побажання

EE-SX976P-C1

частина: 2350

Зондування відстані: 0.020" (0.5mm), Метод зондування: Transmissive, Струм - вперед постійного струму (якщо) (макс.): 50mA, Струм - колектор (Ic) (макс.): 20mA, Напруга - пробій випромінювача колектора (макс.): 30V,

До побажання

EE-SX952-R 3M

частина: 2071

Зондування відстані: 0.197" (5mm), Метод зондування: Transmissive, Вихідна конфігурація: NPN - Dark-ON/Light-ON - Selectable, Струм - вперед постійного струму (якщо) (макс.): 50mA, Струм - колектор (Ic) (макс.): 15mA, Напруга - пробій випромінювача колектора (макс.): 24V,

До побажання

EE-SX952P-R 1M

частина: 2506

Зондування відстані: 0.197" (5mm), Метод зондування: Transmissive, Вихідна конфігурація: PNP - Dark-ON/Light-ON - Selectable, Струм - вперед постійного струму (якщо) (макс.): 50mA, Струм - колектор (Ic) (макс.): 15mA, Напруга - пробій випромінювача колектора (макс.): 24V,

До побажання