Оптичні датчики - Фотопереривачі - Тип гнізда - Тр

OPB800W51Z

частина: 18957

Зондування відстані: 0.375" (9.53mm), Метод зондування: Transmissive, Вихідна конфігурація: Phototransistor, Струм - вперед постійного струму (якщо) (макс.): 50mA, Струм - колектор (Ic) (макс.): 30mA, Напруга - пробій випромінювача колектора (макс.): 30V,

OPB821S10Z

частина: 16874

Зондування відстані: 0.080" (2.03mm), Метод зондування: Transmissive, Вихідна конфігурація: Phototransistor, Струм - вперед постійного струму (якщо) (макс.): 50mA, Напруга - пробій випромінювача колектора (макс.): 30V,

OPB380T51Z

частина: 17979

Зондування відстані: 0.125" (3.18mm), Метод зондування: Transmissive, Вихідна конфігурація: Phototransistor, Струм - вперед постійного струму (якщо) (макс.): 50mA, Струм - колектор (Ic) (макс.): 30mA, Напруга - пробій випромінювача колектора (макс.): 30V,

OPB830W11Z

частина: 15160

Зондування відстані: 0.125" (3.18mm), Метод зондування: Transmissive, Вихідна конфігурація: Phototransistor, Струм - вперед постійного струму (якщо) (макс.): 50mA, Струм - колектор (Ic) (макс.): 30mA, Напруга - пробій випромінювача колектора (макс.): 30V,

OPB365T11

частина: 29928

Зондування відстані: 0.125" (3.18mm), Метод зондування: Transmissive, Вихідна конфігурація: Phototransistor, Струм - вперед постійного струму (якщо) (макс.): 50mA, Струм - колектор (Ic) (макс.): 30mA, Напруга - пробій випромінювача колектора (макс.): 30V,

OPS665

частина: 62065

Метод зондування: Transmissive, Вихідна конфігурація: Phototransistor, Струм - вперед постійного струму (якщо) (макс.): 50mA, Напруга - пробій випромінювача колектора (макс.): 30V,

OPB852A2

частина: 35046

Зондування відстані: 0.125" (3.18mm), Метод зондування: Transmissive, Вихідна конфігурація: Phototransistor, Струм - вперед постійного струму (якщо) (макс.): 40mA, Напруга - пробій випромінювача колектора (макс.): 30V,

OPB811W55Z

частина: 20389

Зондування відстані: 0.375" (9.53mm), Метод зондування: Transmissive, Вихідна конфігурація: Phototransistor, Струм - вперед постійного струму (якщо) (макс.): 50mA, Струм - колектор (Ic) (макс.): 30mA, Напруга - пробій випромінювача колектора (макс.): 30V,

OPB815WZ

частина: 17279

Зондування відстані: 0.375" (9.53mm), Метод зондування: Transmissive, Вихідна конфігурація: Phototransistor, Струм - вперед постійного струму (якщо) (макс.): 50mA, Напруга - пробій випромінювача колектора (макс.): 30V,

OPB370N51

частина: 32289

Зондування відстані: 0.125" (3.18mm), Метод зондування: Transmissive, Вихідна конфігурація: Phototransistor, Струм - вперед постійного струму (якщо) (макс.): 50mA, Струм - колектор (Ic) (макс.): 30mA, Напруга - пробій випромінювача колектора (макс.): 30V,

OPB817Z

частина: 19833

Зондування відстані: 0.200" (5.08mm), Метод зондування: Transmissive, Вихідна конфігурація: Phototransistor, Струм - вперед постійного струму (якщо) (макс.): 50mA, Струм - колектор (Ic) (макс.): 30mA, Напруга - пробій випромінювача колектора (макс.): 30V,

OPB810W55Z

частина: 20137

Зондування відстані: 0.375" (9.53mm), Метод зондування: Transmissive, Вихідна конфігурація: Phototransistor, Струм - вперед постійного струму (якщо) (макс.): 50mA, Струм - колектор (Ic) (макс.): 30mA, Напруга - пробій випромінювача колектора (макс.): 30V,

OPB870T51TX

частина: 348

Зондування відстані: 0.125" (3.18mm), Метод зондування: Transmissive, Вихідна конфігурація: Phototransistor, Струм - вперед постійного струму (якщо) (макс.): 50mA, Струм - колектор (Ic) (макс.): 30mA, Напруга - пробій випромінювача колектора (макс.): 30V,

OPB829DZ

частина: 22483

Зондування відстані: 0.125" (3.18mm), Метод зондування: Transmissive, Вихідна конфігурація: Phototransistor, Струм - вперед постійного струму (якщо) (макс.): 50mA, Струм - колектор (Ic) (макс.): 30mA, Напруга - пробій випромінювача колектора (макс.): 30V,

OPB890P51Z

частина: 20424

Зондування відстані: 0.125" (3.18mm), Метод зондування: Transmissive, Вихідна конфігурація: Phototransistor, Струм - вперед постійного струму (якщо) (макс.): 50mA, Струм - колектор (Ic) (макс.): 30mA, Напруга - пробій випромінювача колектора (макс.): 30V,

OPB350W125Z

частина: 11417

Зондування відстані: 0.125" (3.18mm), Метод зондування: Liquid, Вихідна конфігурація: Phototransistor, Струм - вперед постійного струму (якщо) (макс.): 50mA, Струм - колектор (Ic) (макс.): 50mA, Напруга - пробій випромінювача колектора (макс.): 30V,

OPB830W55Z

частина: 18829

Зондування відстані: 0.125" (3.18mm), Метод зондування: Transmissive, Вихідна конфігурація: Phototransistor, Струм - вперед постійного струму (якщо) (макс.): 50mA, Струм - колектор (Ic) (макс.): 30mA, Напруга - пробій випромінювача колектора (макс.): 30V,

OPB891P55Z

частина: 22058

Зондування відстані: 0.125" (3.18mm), Метод зондування: Transmissive, Вихідна конфігурація: Phototransistor, Струм - вперед постійного струму (якщо) (макс.): 50mA, Струм - колектор (Ic) (макс.): 30mA, Напруга - пробій випромінювача колектора (макс.): 30V,

OPB360T51

частина: 36508

Зондування відстані: 0.125" (3.18mm), Метод зондування: Transmissive, Вихідна конфігурація: Phototransistor, Струм - вперед постійного струму (якщо) (макс.): 50mA, Струм - колектор (Ic) (макс.): 30mA, Напруга - пробій випромінювача колектора (макс.): 30V,

OPB825

частина: 45244

Зондування відстані: 0.160" (4.06mm), Метод зондування: Transmissive, Вихідна конфігурація: Phototransistor, Струм - вперед постійного струму (якщо) (макс.): 50mA, Струм - колектор (Ic) (макс.): 30mA, Напруга - пробій випромінювача колектора (макс.): 30V,

LTH-301-32

частина: 66059

Зондування відстані: 0.591" (15mm), Метод зондування: Transmissive, Вихідна конфігурація: Phototransistor, Струм - вперед постійного струму (якщо) (макс.): 20mA, Напруга - пробій випромінювача колектора (макс.): 30V,

PM-T64P

частина: 3692

Зондування відстані: 0.197" (5mm), Метод зондування: Transmissive, Вихідна конфігурація: PNP - Dark-ON/Light-ON - Selectable, Струм - вперед постійного струму (якщо) (макс.): 50mA, Струм - колектор (Ic) (макс.): 15mA, Напруга - пробій випромінювача колектора (макс.): 30V,

PM-F64P

частина: 3634

Зондування відстані: 0.197" (5mm), Метод зондування: Transmissive, Вихідна конфігурація: PNP - Dark-ON/Light-ON - Selectable, Струм - вперед постійного струму (якщо) (макс.): 50mA, Струм - колектор (Ic) (макс.): 15mA, Напруга - пробій випромінювача колектора (макс.): 30V,

TCST1202

частина: 45781

Зондування відстані: 0.122" (3.1mm), Метод зондування: Transmissive, Вихідна конфігурація: Phototransistor, Струм - вперед постійного струму (якщо) (макс.): 60mA, Струм - колектор (Ic) (макс.): 200mA, Напруга - пробій випромінювача колектора (макс.): 70V,

EE-SX1055

частина: 23952

Зондування відстані: 0.110" (2.8mm), Метод зондування: Transmissive, Вихідна конфігурація: Phototransistor, Струм - вперед постійного струму (якщо) (макс.): 50mA, Струм - колектор (Ic) (макс.): 20mA, Напруга - пробій випромінювача колектора (макс.): 30V,

EE-SH3-GS

частина: 15860

Зондування відстані: 0.134" (3.4mm), Метод зондування: Transmissive, Вихідна конфігурація: Phototransistor, Струм - вперед постійного струму (якщо) (макс.): 50mA, Струм - колектор (Ic) (макс.): 20mA, Напруга - пробій випромінювача колектора (макс.): 30V,

EE-SV3-B

частина: 11328

Зондування відстані: 0.134" (3.4mm), Метод зондування: Transmissive, Вихідна конфігурація: Phototransistor, Струм - вперед постійного струму (якщо) (макс.): 50mA, Струм - колектор (Ic) (макс.): 20mA, Напруга - пробій випромінювача колектора (макс.): 30V,

EE-SX153

частина: 14873

Зондування відстані: 0.134" (3.4mm), Метод зондування: Transmissive, Вихідна конфігурація: Phototransistor, Струм - вперед постійного струму (якщо) (макс.): 50mA, Струм - колектор (Ic) (макс.): 20mA, Напруга - пробій випромінювача колектора (макс.): 30V,

SFH 9540

частина: 135295

Зондування відстані: 0.197" (5mm), Метод зондування: Transmissive, Вихідна конфігурація: Phototransistor, Струм - вперед постійного струму (якщо) (макс.): 60mA, Струм - колектор (Ic) (макс.): 50mA, Напруга - пробій випромінювача колектора (макс.): 70V,

EE-SX951P-R 1M

частина: 2501

Зондування відстані: 0.197" (5mm), Метод зондування: Transmissive, Вихідна конфігурація: PNP - Dark-ON/Light-ON - Selectable, Струм - вперед постійного струму (якщо) (макс.): 50mA, Струм - колектор (Ic) (макс.): 15mA, Напруга - пробій випромінювача колектора (макс.): 24V,

EE-SX951P-W 1M

частина: 2930

Зондування відстані: 0.197" (5mm), Метод зондування: Transmissive, Вихідна конфігурація: PNP - Dark-ON/Light-ON - Selectable, Струм - вперед постійного струму (якщо) (макс.): 50mA, Струм - колектор (Ic) (макс.): 15mA, Напруга - пробій випромінювача колектора (макс.): 24V,

EE-SX971P-C1

частина: 2380

Зондування відстані: 0.020" (0.5mm), Метод зондування: Transmissive, Струм - вперед постійного струму (якщо) (макс.): 50mA, Струм - колектор (Ic) (макс.): 20mA, Напруга - пробій випромінювача колектора (макс.): 30V,

EE-SX976-C1

частина: 2332

Зондування відстані: 0.020" (0.5mm), Метод зондування: Transmissive, Струм - вперед постійного струму (якщо) (макс.): 50mA, Струм - колектор (Ic) (макс.): 20mA, Напруга - пробій випромінювача колектора (макс.): 30V,

H21A2

частина: 37423

Зондування відстані: 0.118" (3mm), Метод зондування: Transmissive, Вихідна конфігурація: NPN - Open Collector/Light-ON, Струм - вперед постійного струму (якщо) (макс.): 3mA, Струм - колектор (Ic) (макс.): 50mA, Напруга - пробій випромінювача колектора (макс.): 30V,

RPI-2501

частина: 50505

Зондування відстані: 1.6mm, Метод зондування: Transmissive, Вихідна конфігурація: Phototransistor, Струм - вперед постійного струму (якщо) (макс.): 35mA, Струм - колектор (Ic) (макс.): 30mA, Напруга - пробій випромінювача колектора (макс.): 30V,

EAITRDA2

частина: 160063