Оптичні датчики - Фотопереривачі - Тип гнізда - Тр

EE-SX953-R 1M

частина: 2774

Зондування відстані: 0.197" (5mm), Метод зондування: Transmissive, Вихідна конфігурація: NPN - Dark-ON/Light-ON - Selectable, Струм - вперед постійного струму (якщо) (макс.): 50mA, Струм - колектор (Ic) (макс.): 15mA, Напруга - пробій випромінювача колектора (макс.): 24V,

EE-SX952P-W 1M

частина: 2890

Зондування відстані: 0.197" (5mm), Метод зондування: Transmissive, Вихідна конфігурація: PNP - Dark-ON/Light-ON - Selectable, Струм - вперед постійного струму (якщо) (макс.): 50mA, Струм - колектор (Ic) (макс.): 15mA, Напруга - пробій випромінювача колектора (макс.): 24V,

OPB881T55Z

частина: 18769

Зондування відстані: 0.125" (3.18mm), Метод зондування: Transmissive, Вихідна конфігурація: Phototransistor, Струм - вперед постійного струму (якщо) (макс.): 50mA, Струм - колектор (Ic) (макс.): 30mA, Напруга - пробій випромінювача колектора (макс.): 30V,

OPB875T51

частина: 38821

Зондування відстані: 0.125" (3.18mm), Метод зондування: Transmissive, Вихідна конфігурація: Phototransistor, Струм - вперед постійного струму (якщо) (макс.): 50mA, Струм - колектор (Ic) (макс.): 30mA, Напруга - пробій випромінювача колектора (макс.): 30V,

OPB816Z

частина: 20327

Зондування відстані: 0.200" (5.08mm), Метод зондування: Transmissive, Вихідна конфігурація: Phototransistor, Струм - вперед постійного струму (якщо) (макс.): 50mA, Струм - колектор (Ic) (макс.): 30mA, Напруга - пробій випромінювача колектора (макс.): 30V,

OPB840L55

частина: 32126

Зондування відстані: 0.125" (3.18mm), Метод зондування: Transmissive, Вихідна конфігурація: Phototransistor, Струм - вперед постійного струму (якщо) (макс.): 50mA, Струм - колектор (Ic) (макс.): 30mA, Напруга - пробій випромінювача колектора (макс.): 30V,

OPB375L11

частина: 30910

Зондування відстані: 0.125" (3.18mm), Метод зондування: Transmissive, Вихідна конфігурація: Phototransistor, Струм - вперед постійного струму (якщо) (макс.): 50mA, Струм - колектор (Ic) (макс.): 30mA, Напруга - пробій випромінювача колектора (макс.): 30V,

OPB801W55Z

частина: 18652

Зондування відстані: 0.375" (9.53mm), Метод зондування: Transmissive, Вихідна конфігурація: Phototransistor, Струм - вперед постійного струму (якщо) (макс.): 50mA, Струм - колектор (Ic) (макс.): 30mA, Напруга - пробій випромінювача колектора (макс.): 30V,

OPB370T51

частина: 32354

Зондування відстані: 0.125" (3.18mm), Метод зондування: Transmissive, Вихідна конфігурація: Phototransistor, Струм - вперед постійного струму (якщо) (макс.): 50mA, Струм - колектор (Ic) (макс.): 30mA, Напруга - пробій випромінювача колектора (макс.): 30V,

OPB810L51

частина: 32570

Зондування відстані: 0.375" (9.53mm), Метод зондування: Transmissive, Вихідна конфігурація: Phototransistor, Струм - вперед постійного струму (якщо) (макс.): 50mA, Струм - колектор (Ic) (макс.): 30mA, Напруга - пробій випромінювача колектора (макс.): 30V,

OPB360L11

частина: 29481

Зондування відстані: 0.125" (3.18mm), Метод зондування: Transmissive, Вихідна конфігурація: Phototransistor, Струм - вперед постійного струму (якщо) (макс.): 50mA, Струм - колектор (Ic) (макс.): 30mA, Напруга - пробій випромінювача колектора (макс.): 30V,

OPB870P55

частина: 35924

Зондування відстані: 0.125" (3.18mm), Метод зондування: Transmissive, Вихідна конфігурація: Phototransistor, Струм - вперед постійного струму (якщо) (макс.): 50mA, Струм - колектор (Ic) (макс.): 30mA, Напруга - пробій випромінювача колектора (макс.): 30V,

OPB360N11

частина: 30654

Зондування відстані: 0.125" (3.18mm), Метод зондування: Transmissive, Вихідна конфігурація: Phototransistor, Струм - вперед постійного струму (якщо) (макс.): 50mA, Струм - колектор (Ic) (макс.): 30mA, Напруга - пробій випромінювача колектора (макс.): 30V,

OPB856Z

частина: 2590

Зондування відстані: 12" (304.8mm), Метод зондування: Transmissive, Вихідна конфігурація: Phototransistor, Струм - вперед постійного струму (якщо) (макс.): 40mA, Напруга - пробій випромінювача колектора (макс.): 30V,

OPB881T51Z

частина: 18954

Зондування відстані: 0.125" (3.18mm), Метод зондування: Transmissive, Вихідна конфігурація: Phototransistor, Струм - вперед постійного струму (якщо) (макс.): 50mA, Струм - колектор (Ic) (макс.): 30mA, Напруга - пробій випромінювача колектора (макс.): 30V,

OPB811L55

частина: 34907

Зондування відстані: 0.375" (9.53mm), Метод зондування: Transmissive, Вихідна конфігурація: Phototransistor, Струм - вперед постійного струму (якщо) (макс.): 50mA, Струм - колектор (Ic) (макс.): 30mA, Напруга - пробій випромінювача колектора (макс.): 30V,

OPB826SD

частина: 8970

Зондування відстані: 0.090" (2.29mm), Метод зондування: Transmissive, Вихідна конфігурація: 2 NPN, Струм - вперед постійного струму (якщо) (макс.): 40mA, Струм - колектор (Ic) (макс.): 30mA, Напруга - пробій випромінювача колектора (макс.): 30V,

OPB829AZ

частина: 21251

Зондування відстані: 0.125" (3.18mm), Метод зондування: Transmissive, Вихідна конфігурація: Phototransistor, Струм - вперед постійного струму (якщо) (макс.): 50mA, Струм - колектор (Ic) (макс.): 30mA, Напруга - пробій випромінювача колектора (макс.): 30V,

OPB806

частина: 24409

Зондування відстані: 0.125" (3.18mm), Метод зондування: Transmissive, Вихідна конфігурація: Phototransistor, Струм - вперед постійного струму (якщо) (макс.): 50mA, Напруга - пробій випромінювача колектора (макс.): 30V,

OPB853A3

частина: 25107

Зондування відстані: 0.125" (3.18mm), Метод зондування: Transmissive, Вихідна конфігурація: Photodarlington, Струм - вперед постійного струму (якщо) (макс.): 40mA, Напруга - пробій випромінювача колектора (макс.): 30V,

EE-SX129

частина: 14862

Зондування відстані: 0.118" (3mm), Метод зондування: Transmissive, Вихідна конфігурація: Phototransistor, Струм - вперед постійного струму (якщо) (макс.): 50mA, Струм - колектор (Ic) (макс.): 20mA, Напруга - пробій випромінювача колектора (макс.): 30V,

EE-SX1041

частина: 26774

Зондування відстані: 0.197" (5mm), Метод зондування: Transmissive, Вихідна конфігурація: Phototransistor, Струм - вперед постійного струму (якщо) (макс.): 50mA, Струм - колектор (Ic) (макс.): 20mA, Напруга - пробій випромінювача колектора (макс.): 30V,

EE-SX1105

частина: 36692

Зондування відстані: 0.079" (2mm), Метод зондування: Transmissive, Вихідна конфігурація: Phototransistor, Струм - вперед постійного струму (якщо) (макс.): 50mA, Струм - колектор (Ic) (макс.): 30mA, Напруга - пробій випромінювача колектора (макс.): 30V,

EE-SX1061

частина: 34477

Зондування відстані: 0.142" (3.6mm), Метод зондування: Transmissive, Вихідна конфігурація: Phototransistor, Струм - вперед постійного струму (якщо) (макс.): 50mA, Струм - колектор (Ic) (макс.): 20mA, Напруга - пробій випромінювача колектора (макс.): 30V,

EE-SX1070

частина: 22419

Зондування відстані: 0.315" (8mm), Метод зондування: Transmissive, Вихідна конфігурація: Phototransistor, Струм - вперед постійного струму (якщо) (макс.): 50mA, Струм - колектор (Ic) (макс.): 20mA, Напруга - пробій випромінювача колектора (макс.): 30V,

EE-SX1071

частина: 24563

Зондування відстані: 0.134" (3.4mm), Метод зондування: Transmissive, Вихідна конфігурація: Phototransistor, Струм - вперед постійного струму (якщо) (макс.): 50mA, Струм - колектор (Ic) (макс.): 20mA, Напруга - пробій випромінювача колектора (макс.): 30V,

EE-SA104

частина: 21185

Зондування відстані: 0.118" (3mm), Метод зондування: Transmissive, Вихідна конфігурація: Phototransistor, Струм - вперед постійного струму (якщо) (макс.): 50mA, Струм - колектор (Ic) (макс.): 20mA, Напруга - пробій випромінювача колектора (макс.): 30V,

EE-SX1031

частина: 9457

Зондування відстані: 0.134" (3.4mm), Метод зондування: Transmissive, Вихідна конфігурація: 2 NPN, Струм - вперед постійного струму (якщо) (макс.): 50mA, Струм - колектор (Ic) (макс.): 20mA, Напруга - пробій випромінювача колектора (макс.): 30V,

EAITRCA1

частина: 118862

ITR8105

частина: 142779

Зондування відстані: 0.102" (2.6mm), Метод зондування: Transmissive, Вихідна конфігурація: Transistor, Струм - вперед постійного струму (якщо) (макс.): 50mA, Струм - колектор (Ic) (макс.): 20mA, Напруга - пробій випромінювача колектора (макс.): 30V,

ITR8402-F-A

частина: 169972

Зондування відстані: 0.236" (6mm), Метод зондування: Transmissive, Вихідна конфігурація: Transistor, Струм - вперед постійного струму (якщо) (макс.): 50mA, Струм - колектор (Ic) (макс.): 20mA, Напруга - пробій випромінювача колектора (макс.): 30V,

EAITRDA3

частина: 192743

TCUT1600X01

частина: 88439

Зондування відстані: 0.118" (3mm), Метод зондування: Transmissive, Вихідна конфігурація: Phototransistor, Струм - вперед постійного струму (якщо) (макс.): 25mA, Струм - колектор (Ic) (макс.): 20mA, Напруга - пробій випромінювача колектора (макс.): 20V,

GP1S396HCPSF

частина: 198773

Зондування відстані: 0.047" (1.2mm), Метод зондування: Transmissive, Вихідна конфігурація: NPN - Open Collector, Струм - вперед постійного струму (якщо) (макс.): 30mA, Струм - колектор (Ic) (макс.): 20mA, Напруга - пробій випромінювача колектора (макс.): 35V,

HOA1886-012

частина: 10481

Зондування відстані: 0.200" (5.08mm), Метод зондування: Transmissive, Вихідна конфігурація: Phototransistor, Струм - вперед постійного струму (якщо) (макс.): 50mA, Напруга - пробій випромінювача колектора (макс.): 30V,

HOA1875-001

частина: 5501

Зондування відстані: 0.200" (5.08mm), Метод зондування: Transmissive, Вихідна конфігурація: Phototransistor, Струм - вперед постійного струму (якщо) (макс.): 50mA, Струм - колектор (Ic) (макс.): 30mA, Напруга - пробій випромінювача колектора (макс.): 30V,