Оптичні датчики - Фотопереривачі - Тип гнізда - Тр

OPB380L51Z

OPB380L51Z

частина: 18656

Зондування відстані: 0.125" (3.18mm), Метод зондування: Transmissive, Вихідна конфігурація: Phototransistor, Струм - вперед постійного струму (якщо) (макс.): 50mA, Струм - колектор (Ic) (макс.): 30mA, Напруга - пробій випромінювача колектора (макс.): 30V,

До побажання
OPB880P55Z

OPB880P55Z

частина: 20356

Зондування відстані: 0.125" (3.18mm), Метод зондування: Transmissive, Вихідна конфігурація: Phototransistor, Струм - вперед постійного струму (якщо) (макс.): 50mA, Струм - колектор (Ic) (макс.): 30mA, Напруга - пробій випромінювача колектора (макс.): 30V,

До побажання
OPB800L51

OPB800L51

частина: 32075

Зондування відстані: 0.375" (9.53mm), Метод зондування: Transmissive, Вихідна конфігурація: Phototransistor, Струм - вперед постійного струму (якщо) (макс.): 50mA, Струм - колектор (Ic) (макс.): 30mA, Напруга - пробій випромінювача колектора (макс.): 30V,

До побажання
OPB876T55

OPB876T55

частина: 34276

Зондування відстані: 0.125" (3.18mm), Метод зондування: Transmissive, Вихідна конфігурація: Phototransistor, Струм - вперед постійного струму (якщо) (макс.): 50mA, Струм - колектор (Ic) (макс.): 30mA, Напруга - пробій випромінювача колектора (макс.): 30V,

До побажання
OPB842W51Z

OPB842W51Z

частина: 19424

Зондування відстані: 0.125" (3.18mm), Метод зондування: Transmissive, Вихідна конфігурація: Phototransistor, Струм - вперед постійного струму (якщо) (макс.): 50mA, Струм - колектор (Ic) (макс.): 30mA, Напруга - пробій випромінювача колектора (макс.): 30V,

До побажання
OPB365P55

OPB365P55

частина: 29903

Зондування відстані: 0.125" (3.18mm), Метод зондування: Transmissive, Вихідна конфігурація: Phototransistor, Струм - вперед постійного струму (якщо) (макс.): 50mA, Струм - колектор (Ic) (макс.): 30mA, Напруга - пробій випромінювача колектора (макс.): 30V,

До побажання
OPS691

OPS691

частина: 85168

Метод зондування: Transmissive, Вихідна конфігурація: Phototransistor, Струм - вперед постійного струму (якщо) (макс.): 50mA, Напруга - пробій випромінювача колектора (макс.): 30V,

До побажання
OPB891T51Z

OPB891T51Z

частина: 20370

Зондування відстані: 0.125" (3.18mm), Метод зондування: Transmissive, Вихідна конфігурація: Phototransistor, Струм - вперед постійного струму (якщо) (макс.): 50mA, Струм - колектор (Ic) (макс.): 30mA, Напруга - пробій випромінювача колектора (макс.): 30V,

До побажання
OPB812W55Z

OPB812W55Z

частина: 19286

Зондування відстані: 0.375" (9.53mm), Метод зондування: Transmissive, Вихідна конфігурація: Phototransistor, Струм - вперед постійного струму (якщо) (макс.): 50mA, Струм - колектор (Ic) (макс.): 30mA, Напруга - пробій випромінювача колектора (макс.): 30V,

До побажання
OPB825B

OPB825B

частина: 47883

Зондування відстані: 0.160" (4.06mm), Метод зондування: Transmissive, Вихідна конфігурація: Phototransistor, Струм - вперед постійного струму (якщо) (макс.): 50mA, Струм - колектор (Ic) (макс.): 30mA, Напруга - пробій випромінювача колектора (макс.): 30V,

До побажання
OPB855

OPB855

частина: 40968

Зондування відстані: 0.205" (5.21mm), Метод зондування: Transmissive, Вихідна конфігурація: Phototransistor, Струм - вперед постійного струму (якщо) (макс.): 50mA, Струм - колектор (Ic) (макс.): 30mA, Напруга - пробій випромінювача колектора (макс.): 30V,

До побажання
OPB828C

OPB828C

частина: 42099

Зондування відстані: 0.125" (3.18mm), Метод зондування: Transmissive, Вихідна конфігурація: Phototransistor, Струм - вперед постійного струму (якщо) (макс.): 50mA, Струм - колектор (Ic) (макс.): 30mA, Напруга - пробій випромінювача колектора (макс.): 30V,

До побажання
OPB890L11Z

OPB890L11Z

частина: 17397

Зондування відстані: 0.125" (3.18mm), Метод зондування: Transmissive, Вихідна конфігурація: Phototransistor, Струм - вперед постійного струму (якщо) (макс.): 50mA, Струм - колектор (Ic) (макс.): 30mA, Напруга - пробій випромінювача колектора (макс.): 30V,

До побажання
OPB880T51Z

OPB880T51Z

частина: 19265

Зондування відстані: 0.125" (3.18mm), Метод зондування: Transmissive, Вихідна конфігурація: Phototransistor, Струм - вперед постійного струму (якщо) (макс.): 50mA, Струм - колектор (Ic) (макс.): 30mA, Напруга - пробій випромінювача колектора (макс.): 30V,

До побажання
OPB390T51Z

OPB390T51Z

частина: 17988

Зондування відстані: 0.125" (3.18mm), Метод зондування: Transmissive, Вихідна конфігурація: Phototransistor, Струм - вперед постійного струму (якщо) (макс.): 50mA, Струм - колектор (Ic) (макс.): 30mA, Напруга - пробій випромінювача колектора (макс.): 30V,

До побажання
OPB370N11

OPB370N11

частина: 33627

Зондування відстані: 0.125" (3.18mm), Метод зондування: Transmissive, Вихідна конфігурація: Phototransistor, Струм - вперед постійного струму (якщо) (макс.): 50mA, Струм - колектор (Ic) (макс.): 30mA, Напруга - пробій випромінювача колектора (макс.): 30V,

До побажання
OPB420BZ

OPB420BZ

частина: 16131

Метод зондування: Transmissive, Вихідна конфігурація: Phototransistor, Струм - вперед постійного струму (якщо) (макс.): 20mA, Струм - колектор (Ic) (макс.): 10mA, Напруга - пробій випромінювача колектора (макс.): 24V,

До побажання
OPB885Z

OPB885Z

частина: 10869

Зондування відстані: 0.374" (9.5mm), Метод зондування: Transmissive, Вихідна конфігурація: Phototransistor, Струм - вперед постійного струму (якщо) (макс.): 50mA, Струм - колектор (Ic) (макс.): 50mA, Напруга - пробій випромінювача колектора (макс.): 30V,

До побажання
OPB821S3Z

OPB821S3Z

частина: 16968

Зондування відстані: 0.080" (2.03mm), Метод зондування: Transmissive, Вихідна конфігурація: Phototransistor, Струм - вперед постійного струму (якщо) (макс.): 50mA, Напруга - пробій випромінювача колектора (макс.): 30V,

До побажання
OPB360N51

OPB360N51

частина: 36872

Зондування відстані: 0.125" (3.18mm), Метод зондування: Transmissive, Вихідна конфігурація: Phototransistor, Струм - вперед постійного струму (якщо) (макс.): 50mA, Струм - колектор (Ic) (макс.): 30mA, Напруга - пробій випромінювача колектора (макс.): 30V,

До побажання
EE-SH3-B

EE-SH3-B

частина: 15230

Зондування відстані: 0.134" (3.4mm), Метод зондування: Transmissive, Вихідна конфігурація: Phototransistor, Струм - вперед постійного струму (якщо) (макс.): 50mA, Струм - колектор (Ic) (макс.): 20mA, Напруга - пробій випромінювача колектора (макс.): 30V,

До побажання
EE-SX1340

EE-SX1340

частина: 64711

Зондування відстані: 0.157" (4mm), Метод зондування: Transmissive, Вихідна конфігурація: Phototransistor, Струм - вперед постійного струму (якщо) (макс.): 30mA, Струм - колектор (Ic) (макс.): 20mA, Напруга - пробій випромінювача колектора (макс.): 12V,

До побажання
EE-SH3-C

EE-SH3-C

частина: 10574

Зондування відстані: 0.134" (3.4mm), Метод зондування: Transmissive, Вихідна конфігурація: Phototransistor, Струм - вперед постійного струму (якщо) (макс.): 50mA, Струм - колектор (Ic) (макс.): 20mA, Напруга - пробій випромінювача колектора (макс.): 30V,

До побажання
EE-SX1320

EE-SX1320

частина: 126846

Зондування відстані: 0.079" (2mm), Метод зондування: Transmissive, Вихідна конфігурація: Phototransistor, Струм - вперед постійного струму (якщо) (макс.): 5mA, Струм - колектор (Ic) (макс.): 20mA,

До побажання
EE-SX1035

EE-SX1035

частина: 18256

Зондування відстані: 0.205" (5.2mm), Метод зондування: Transmissive, Вихідна конфігурація: Phototransistor, Струм - вперед постійного струму (якщо) (макс.): 50mA, Струм - колектор (Ic) (макс.): 20mA, Напруга - пробій випромінювача колектора (макс.): 30V,

До побажання
EE-SX1321

EE-SX1321

частина: 82172

Зондування відстані: 0.079" (2mm), Метод зондування: Transmissive, Вихідна конфігурація: Phototransistor, Струм - вперед постійного струму (якщо) (макс.): 25mA, Струм - колектор (Ic) (макс.): 20mA,

До побажання
EE-SX972-C1

EE-SX972-C1

частина: 2399

Зондування відстані: 0.020" (0.5mm), Метод зондування: Transmissive, Струм - вперед постійного струму (якщо) (макс.): 50mA, Струм - колектор (Ic) (макс.): 20mA, Напруга - пробій випромінювача колектора (макс.): 30V,

До побажання
EE-SX771R 5M

EE-SX771R 5M

частина: 975

Зондування відстані: 0.197" (5mm), Метод зондування: Transmissive, Вихідна конфігурація: PNP - Open Collector/Dark-ON,

До побажання
EE-SX974P-C1

EE-SX974P-C1

частина: 2321

Зондування відстані: 0.020" (0.5mm), Метод зондування: Transmissive, Струм - вперед постійного струму (якщо) (макс.): 50mA, Струм - колектор (Ic) (макс.): 20mA, Напруга - пробій випромінювача колектора (макс.): 30V,

До побажання
EE-SX951-W 3M

EE-SX951-W 3M

частина: 2568

Зондування відстані: 0.197" (5mm), Метод зондування: Transmissive, Вихідна конфігурація: NPN - Dark-ON/Light-ON - Selectable, Струм - вперед постійного струму (якщо) (макс.): 50mA, Струм - колектор (Ic) (макс.): 15mA, Напруга - пробій випромінювача колектора (макс.): 24V,

До побажання
TCST1030

TCST1030

частина: 62621

Зондування відстані: 0.122" (3.1mm), Метод зондування: Transmissive, Вихідна конфігурація: Phototransistor, Струм - вперед постійного струму (якщо) (макс.): 60mA, Струм - колектор (Ic) (макс.): 100mA, Напруга - пробій випромінювача колектора (макс.): 70V,

До побажання
TCST5250

TCST5250

частина: 40523

Зондування відстані: 0.106" (2.7mm), Метод зондування: Transmissive, Вихідна конфігурація: Phototransistor, Струм - вперед постійного струму (якщо) (макс.): 60mA, Струм - колектор (Ic) (макс.): 100mA, Напруга - пробій випромінювача колектора (макс.): 70V,

До побажання
TCST2300

TCST2300

частина: 35047

Зондування відстані: 0.122" (3.1mm), Метод зондування: Transmissive, Вихідна конфігурація: Phototransistor, Струм - вперед постійного струму (якщо) (макс.): 60mA, Струм - колектор (Ic) (макс.): 200mA, Напруга - пробій випромінювача колектора (макс.): 70V,

До побажання
RPI-129BN

RPI-129BN

частина: 69168

Вихідна конфігурація: Phototransistor, Струм - вперед постійного струму (якщо) (макс.): 50mA, Струм - колектор (Ic) (макс.): 30mA, Напруга - пробій випромінювача колектора (макс.): 30V,

До побажання
RPI-0226

RPI-0226

частина: 177561

Зондування відстані: 0.047" (1.2mm), Вихідна конфігурація: Transistor, Струм - вперед постійного струму (якщо) (макс.): 50mA, Струм - колектор (Ic) (макс.): 30mA, Напруга - пробій випромінювача колектора (макс.): 30V,

До побажання
GP1S53VJ000F

GP1S53VJ000F

частина: 58604

Зондування відстані: 0.197" (5mm), Метод зондування: Transmissive, Вихідна конфігурація: Phototransistor, Струм - вперед постійного струму (якщо) (макс.): 50mA, Струм - колектор (Ic) (макс.): 20mA, Напруга - пробій випромінювача колектора (макс.): 35V,

До побажання