Транзистори - транзистори, транзистори MOSF - маси

SI5517DU-T1-E3

частина: 2805

Тип FET: N and P-Channel, Функція FET: Logic Level Gate, Слив до джерела напруги (Vdss): 20V, Струм - безперервний злив (Id) при 25 ° C: 6A, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 39 mOhm @ 4.4A, 4.5V, Vgs (го) (макс.) @ Ідентифікатор: 1V @ 250µA,

До побажання

SI4544DY-T1-GE3

частина: 2824

Тип FET: N and P-Channel, Common Drain, Функція FET: Logic Level Gate, Слив до джерела напруги (Vdss): 30V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35 mOhm @ 6.5A, 10V, Vgs (го) (макс.) @ Ідентифікатор: 1V @ 250µA (Min),

До побажання

SI4210DY-T1-GE3

частина: 124384

Тип FET: 2 N-Channel (Dual), Функція FET: Logic Level Gate, Слив до джерела напруги (Vdss): 30V, Струм - безперервний злив (Id) при 25 ° C: 6.5A, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35.5 mOhm @ 5A, 10V, Vgs (го) (макс.) @ Ідентифікатор: 2.5V @ 250µA,

До побажання

SI5903DC-T1-E3

частина: 2754

Тип FET: 2 P-Channel (Dual), Функція FET: Logic Level Gate, Слив до джерела напруги (Vdss): 20V, Струм - безперервний злив (Id) при 25 ° C: 2.1A, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 155 mOhm @ 2.1A, 4.5V, Vgs (го) (макс.) @ Ідентифікатор: 600mV @ 250µA (Min),

До побажання

SI6966DQ-T1-GE3

частина: 2838

Тип FET: 2 N-Channel (Dual), Функція FET: Logic Level Gate, Слив до джерела напруги (Vdss): 20V, Струм - безперервний злив (Id) при 25 ° C: 4A, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30 mOhm @ 4.5A, 4.5V, Vgs (го) (макс.) @ Ідентифікатор: 1.4V @ 250µA,

До побажання

SI1553DL-T1-GE3

частина: 2851

Тип FET: N and P-Channel, Функція FET: Logic Level Gate, Слив до джерела напруги (Vdss): 20V, Струм - безперервний злив (Id) при 25 ° C: 660mA, 410mA, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 385 mOhm @ 660mA, 4.5V, Vgs (го) (макс.) @ Ідентифікатор: 600mV @ 250µA (Min),

До побажання

NTGD3149CT1G

частина: 2762

Тип FET: N and P-Channel, Функція FET: Logic Level Gate, Слив до джерела напруги (Vdss): 20V, Струм - безперервний злив (Id) при 25 ° C: 3.2A, 2.4A, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60 mOhm @ 3.5A, 4.5V, Vgs (го) (макс.) @ Ідентифікатор: 1V @ 250µA,

До побажання

FDMJ1023PZ

частина: 2762

Тип FET: 2 P-Channel (Dual), Функція FET: Logic Level Gate, Слив до джерела напруги (Vdss): 20V, Струм - безперервний злив (Id) при 25 ° C: 2.9A, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 112 mOhm @ 2.9A, 4.5V, Vgs (го) (макс.) @ Ідентифікатор: 1V @ 250µA,

До побажання

SI9955DY

частина: 2721

Тип FET: 2 N-Channel (Dual), Функція FET: Standard, Слив до джерела напруги (Vdss): 50V, Струм - безперервний злив (Id) при 25 ° C: 3A, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 130 mOhm @ 3A, 10V, Vgs (го) (макс.) @ Ідентифікатор: 1V @ 250µA,

До побажання

FW907-TL-E

частина: 2854

Тип FET: N and P-Channel, Функція FET: Logic Level Gate, Слив до джерела напруги (Vdss): 30V, Струм - безперервний злив (Id) при 25 ° C: 10A, 8A, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 17 mOhm @ 10A, 10V,

До побажання

NTJD4001NT2G

частина: 2721

Тип FET: 2 N-Channel (Dual), Функція FET: Standard, Слив до джерела напруги (Vdss): 30V, Струм - безперервний злив (Id) при 25 ° C: 250mA, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5 Ohm @ 10mA, 4V, Vgs (го) (макс.) @ Ідентифікатор: 1.5V @ 100µA,

До побажання

NTHD4502NT1

частина: 2711

Тип FET: 2 N-Channel (Dual), Функція FET: Logic Level Gate, Слив до джерела напруги (Vdss): 30V, Струм - безперервний злив (Id) при 25 ° C: 2.2A, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 85 mOhm @ 2.9A, 10V, Vgs (го) (макс.) @ Ідентифікатор: 3V @ 250µA,

До побажання

FDR8508P

частина: 2666

Тип FET: 2 P-Channel (Dual), Функція FET: Logic Level Gate, Слив до джерела напруги (Vdss): 30V, Струм - безперервний злив (Id) при 25 ° C: 3A, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 52 mOhm @ 3A, 10V, Vgs (го) (макс.) @ Ідентифікатор: 3V @ 250µA,

До побажання

FW707-TL-E

частина: 2866

Тип FET: 2 P-Channel (Dual), Функція FET: Logic Level Gate, Слив до джерела напруги (Vdss): 30V, Струм - безперервний злив (Id) при 25 ° C: 8A, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 26 mOhm @ 8A, 10V,

До побажання

FDW2510NZ

частина: 2700

Тип FET: 2 N-Channel (Dual), Функція FET: Logic Level Gate, Слив до джерела напруги (Vdss): 20V, Струм - безперервний злив (Id) при 25 ° C: 6.4A, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 24 mOhm @ 6.4A, 4.5V, Vgs (го) (макс.) @ Ідентифікатор: 1.5V @ 250µA,

До побажання

FDS8333C

частина: 2682

Тип FET: N and P-Channel, Функція FET: Logic Level Gate, Слив до джерела напруги (Vdss): 30V, Струм - безперервний злив (Id) при 25 ° C: 4.1A, 3.4A, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 80 mOhm @ 4.1A, 10V, Vgs (го) (макс.) @ Ідентифікатор: 3V @ 250µA,

До побажання

IRF7342QTRPBF

частина: 2806

Тип FET: 2 P-Channel (Dual), Функція FET: Logic Level Gate, Слив до джерела напруги (Vdss): 55V, Струм - безперервний злив (Id) при 25 ° C: 3.4A, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 105 mOhm @ 3.4A, 10V, Vgs (го) (макс.) @ Ідентифікатор: 1V @ 250µA,

До побажання

IRF5852TR

частина: 2705

Тип FET: 2 N-Channel (Dual), Функція FET: Logic Level Gate, Слив до джерела напруги (Vdss): 20V, Струм - безперервний злив (Id) при 25 ° C: 2.7A, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 90 mOhm @ 2.7A, 4.5V, Vgs (го) (макс.) @ Ідентифікатор: 1.25V @ 250µA,

До побажання

IRF7316TR

частина: 2982

Тип FET: 2 P-Channel (Dual), Функція FET: Logic Level Gate, Слив до джерела напруги (Vdss): 30V, Струм - безперервний злив (Id) при 25 ° C: 4.9A, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 58 mOhm @ 4.9A, 10V, Vgs (го) (макс.) @ Ідентифікатор: 1V @ 250µA,

До побажання

IRF9358PBF

частина: 57753

Тип FET: 2 P-Channel (Dual), Функція FET: Logic Level Gate, Слив до джерела напруги (Vdss): 30V, Струм - безперервний злив (Id) при 25 ° C: 9.2A, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16.3 mOhm @ 9.2A, 10V, Vgs (го) (макс.) @ Ідентифікатор: 2.4V @ 25µA,

До побажання

IRF7757TR

частина: 2666

Тип FET: 2 N-Channel (Dual), Функція FET: Logic Level Gate, Слив до джерела напруги (Vdss): 20V, Струм - безперервний злив (Id) при 25 ° C: 4.8A, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35 mOhm @ 4.8A, 4.5V, Vgs (го) (макс.) @ Ідентифікатор: 1.2V @ 250µA,

До побажання

IRF7351PBF

частина: 40500

Тип FET: 2 N-Channel (Dual), Функція FET: Logic Level Gate, Слив до джерела напруги (Vdss): 60V, Струм - безперервний злив (Id) при 25 ° C: 8A, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 17.8 mOhm @ 8A, 10V, Vgs (го) (макс.) @ Ідентифікатор: 4V @ 50µA,

До побажання