Menu
УКРАЇНАУКРАЇНА
Rfq / замовлення
0Rfq / замовлення

Транзистори - транзистори, транзистори MOSF - маси

SI3981DV-T1-GE3
Vishay Siliconix

SI3981DV-T1-GE3

частина: 2791

Тип FET: 2 P-Channel (Dual), Функція FET: Logic Level Gate, Слив до джерела напруги (Vdss): 20V, Струм - безперервний злив (Id) при 25 ° C: 1.6A, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 185 mOhm @ 1.9A, 4.5V, Vgs (го) (макс.) @ Ідентифікатор: 1.1V @ 250µA,

До побажання
SI5920DC-T1-E3
Vishay Siliconix

SI5920DC-T1-E3

частина: 2798

Тип FET: 2 N-Channel (Dual), Функція FET: Logic Level Gate, Слив до джерела напруги (Vdss): 8V, Струм - безперервний злив (Id) при 25 ° C: 4A, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 32 mOhm @ 6.8A, 4.5V, Vgs (го) (макс.) @ Ідентифікатор: 1V @ 250µA,

До побажання
SI1913EDH-T1-E3
Vishay Siliconix

SI1913EDH-T1-E3

частина: 2794

Тип FET: 2 P-Channel (Dual), Функція FET: Logic Level Gate, Слив до джерела напруги (Vdss): 20V, Струм - безперервний злив (Id) при 25 ° C: 880mA, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 490 mOhm @ 880mA, 4.5V, Vgs (го) (макс.) @ Ідентифікатор: 450mV @ 100µA,

До побажання
SI7214DN-T1-GE3
Vishay Siliconix

SI7214DN-T1-GE3

частина: 99144

Тип FET: 2 N-Channel (Dual), Функція FET: Logic Level Gate, Слив до джерела напруги (Vdss): 30V, Струм - безперервний злив (Id) при 25 ° C: 4.6A, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 40 mOhm @ 6.4A, 10V, Vgs (го) (макс.) @ Ідентифікатор: 3V @ 250µA,

До побажання
SI6981DQ-T1-GE3
Vishay Siliconix

SI6981DQ-T1-GE3

частина: 2836

Тип FET: 2 P-Channel (Dual), Функція FET: Logic Level Gate, Слив до джерела напруги (Vdss): 20V, Струм - безперервний злив (Id) при 25 ° C: 4.1A, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 31 mOhm @ 4.8A, 4.5V, Vgs (го) (макс.) @ Ідентифікатор: 900mV @ 300µA,

До побажання
SI6562DQ-T1-E3
Vishay Siliconix

SI6562DQ-T1-E3

частина: 3304

Тип FET: N and P-Channel, Функція FET: Logic Level Gate, Слив до джерела напруги (Vdss): 20V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30 mOhm @ 4.5A, 4.5V, Vgs (го) (макс.) @ Ідентифікатор: 600mV @ 250µA (Min),

До побажання
SIZ342DT-T1-GE3
Vishay Siliconix

SIZ342DT-T1-GE3

частина: 178805

Тип FET: 2 N-Channel (Dual), Слив до джерела напруги (Vdss): 30V, Струм - безперервний злив (Id) при 25 ° C: 15.7A (Ta), 100A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11.5 mOhm @ 14A, 10V, Vgs (го) (макс.) @ Ідентифікатор: 2.4V @ 250µA,

До побажання
SI4330DY-T1-E3
Vishay Siliconix

SI4330DY-T1-E3

частина: 2782

Тип FET: 2 N-Channel (Dual), Функція FET: Logic Level Gate, Слив до джерела напруги (Vdss): 30V, Струм - безперервний злив (Id) при 25 ° C: 6.6A, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16.5 mOhm @ 8.7A, 10V, Vgs (го) (макс.) @ Ідентифікатор: 3V @ 250µA,

До побажання
SI4953ADY-T1-GE3
Vishay Siliconix

SI4953ADY-T1-GE3

частина: 2804

Тип FET: 2 P-Channel (Dual), Функція FET: Logic Level Gate, Слив до джерела напруги (Vdss): 30V, Струм - безперервний злив (Id) при 25 ° C: 3.7A, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 53 mOhm @ 4.9A, 10V, Vgs (го) (макс.) @ Ідентифікатор: 1V @ 250µA (Min),

До побажання
SI4622DY-T1-GE3
Vishay Siliconix

SI4622DY-T1-GE3

частина: 2878

Тип FET: 2 N-Channel (Dual), Функція FET: Standard, Слив до джерела напруги (Vdss): 30V, Струм - безперервний злив (Id) при 25 ° C: 8A, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16 mOhm @ 9.6A, 10V, Vgs (го) (макс.) @ Ідентифікатор: 2.5V @ 1mA,

До побажання
SI9934BDY-T1-E3
Vishay Siliconix

SI9934BDY-T1-E3

частина: 3305

Тип FET: 2 P-Channel (Dual), Функція FET: Logic Level Gate, Слив до джерела напруги (Vdss): 12V, Струм - безперервний злив (Id) при 25 ° C: 4.8A, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35 mOhm @ 6.4A, 4.5V, Vgs (го) (макс.) @ Ідентифікатор: 1.4V @ 250µA,

До побажання
SI3948DV-T1-E3
Vishay Siliconix

SI3948DV-T1-E3

частина: 2733

Тип FET: 2 N-Channel (Dual), Функція FET: Logic Level Gate, Слив до джерела напруги (Vdss): 30V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 105 mOhm @ 2.5A, 10V, Vgs (го) (макс.) @ Ідентифікатор: 1V @ 250µA (Min),

До побажання
SI4914BDY-T1-E3
Vishay Siliconix

SI4914BDY-T1-E3

частина: 118968

Тип FET: 2 N-Channel (Half Bridge), Функція FET: Standard, Слив до джерела напруги (Vdss): 30V, Струм - безперервний злив (Id) при 25 ° C: 8.4A, 8A, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 21 mOhm @ 8A, 10V, Vgs (го) (макс.) @ Ідентифікатор: 2.7V @ 250µA,

До побажання
SI4618DY-T1-GE3
Vishay Siliconix

SI4618DY-T1-GE3

частина: 64981

Тип FET: 2 N-Channel (Half Bridge), Функція FET: Standard, Слив до джерела напруги (Vdss): 30V, Струм - безперервний злив (Id) при 25 ° C: 8A, 15.2A, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 17 mOhm @ 8A, 10V, Vgs (го) (макс.) @ Ідентифікатор: 2.5V @ 1mA,

До побажання
EMH2408-TL-H
ON Semiconductor

EMH2408-TL-H

частина: 2843

Тип FET: 2 N-Channel (Dual), Функція FET: Logic Level Gate, Слив до джерела напруги (Vdss): 20V, Струм - безперервний злив (Id) при 25 ° C: 4A, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45 mOhm @ 4A, 4.5V,

До побажання
FDS8934A
ON Semiconductor

FDS8934A

частина: 2753

Тип FET: 2 P-Channel (Dual), Функція FET: Logic Level Gate, Слив до джерела напруги (Vdss): 20V, Струм - безперервний злив (Id) при 25 ° C: 4A, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 55 mOhm @ 4A, 4.5V, Vgs (го) (макс.) @ Ідентифікатор: 1V @ 250µA,

До побажання
MMDF2N02ER2G
ON Semiconductor

MMDF2N02ER2G

частина: 2690

Тип FET: 2 N-Channel (Dual), Функція FET: Logic Level Gate, Слив до джерела напруги (Vdss): 25V, Струм - безперервний злив (Id) при 25 ° C: 3.6A, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100 mOhm @ 2.2A, 10V, Vgs (го) (макс.) @ Ідентифікатор: 3V @ 250µA,

До побажання
NTHD2102PT1G
ON Semiconductor

NTHD2102PT1G

частина: 3360

Тип FET: 2 P-Channel (Dual), Функція FET: Logic Level Gate, Слив до джерела напруги (Vdss): 8V, Струм - безперервний злив (Id) при 25 ° C: 3.4A, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 58 mOhm @ 3.4A, 4.5V, Vgs (го) (макс.) @ Ідентифікатор: 1.5V @ 250µA,

До побажання
FW276-TL-2H
ON Semiconductor

FW276-TL-2H

частина: 3348

Тип FET: 2 N-Channel (Dual), Функція FET: Logic Level Gate, Слив до джерела напруги (Vdss): 450V, Струм - безперервний злив (Id) при 25 ° C: 700mA, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12.1 Ohm @ 350mA, 10V, Vgs (го) (макс.) @ Ідентифікатор: 4.5V @ 1mA,

До побажання
NVMD6N03R2G
ON Semiconductor

NVMD6N03R2G

частина: 2901

Тип FET: 2 N-Channel (Dual), Функція FET: Logic Level Gate, Слив до джерела напруги (Vdss): 30V, Струм - безперервний злив (Id) при 25 ° C: 6A, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 32 mOhm @ 6A, 10V, Vgs (го) (макс.) @ Ідентифікатор: 2.5V @ 250µA,

До побажання
MCH6601-TL-E
ON Semiconductor

MCH6601-TL-E

частина: 168759

Тип FET: 2 P-Channel (Dual), Функція FET: Logic Level Gate, Слив до джерела напруги (Vdss): 30V, Струм - безперервний злив (Id) при 25 ° C: 200mA, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10.4 Ohm @ 50mA, 4V,

До побажання
NTQD6866R2G
ON Semiconductor

NTQD6866R2G

частина: 2711

Тип FET: 2 N-Channel (Dual), Функція FET: Logic Level Gate, Слив до джерела напруги (Vdss): 20V, Струм - безперервний злив (Id) при 25 ° C: 4.7A, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 32 mOhm @ 6.9A, 4.5V, Vgs (го) (макс.) @ Ідентифікатор: 1.2V @ 250µA,

До побажання
NTUD3128NT5G
ON Semiconductor

NTUD3128NT5G

частина: 2747

Тип FET: 2 N-Channel (Dual), Функція FET: Logic Level Gate, Слив до джерела напруги (Vdss): 20V, Струм - безперервний злив (Id) при 25 ° C: 160mA, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3 Ohm @ 100mA, 4.5V, Vgs (го) (макс.) @ Ідентифікатор: 1V @ 250µA,

До побажання
IRF5852
Infineon Technologies

IRF5852

частина: 2710

Тип FET: 2 N-Channel (Dual), Функція FET: Logic Level Gate, Слив до джерела напруги (Vdss): 20V, Струм - безперервний злив (Id) при 25 ° C: 2.7A, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 90 mOhm @ 2.7A, 4.5V, Vgs (го) (макс.) @ Ідентифікатор: 1.25V @ 250µA,

До побажання
IRF7751TRPBF
Infineon Technologies

IRF7751TRPBF

частина: 2786

Тип FET: 2 P-Channel (Dual), Функція FET: Logic Level Gate, Слив до джерела напруги (Vdss): 30V, Струм - безперервний злив (Id) при 25 ° C: 4.5A, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35 mOhm @ 4.5A, 10V, Vgs (го) (макс.) @ Ідентифікатор: 2.5V @ 250µA,

До побажання
IRF7504TR
Infineon Technologies

IRF7504TR

частина: 2662

Тип FET: 2 P-Channel (Dual), Функція FET: Logic Level Gate, Слив до джерела напруги (Vdss): 20V, Струм - безперервний злив (Id) при 25 ° C: 1.7A, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 270 mOhm @ 1.2A, 4.5V, Vgs (го) (макс.) @ Ідентифікатор: 700mV @ 250µA,

До побажання
IRF7319PBF
Infineon Technologies

IRF7319PBF

частина: 85832

Тип FET: N and P-Channel, Функція FET: Standard, Слив до джерела напруги (Vdss): 30V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 29 mOhm @ 5.8A, 10V, Vgs (го) (макс.) @ Ідентифікатор: 1V @ 250µA,

До побажання
IRF7509TR
Infineon Technologies

IRF7509TR

частина: 2686

Тип FET: N and P-Channel, Функція FET: Logic Level Gate, Слив до джерела напруги (Vdss): 30V, Струм - безперервний злив (Id) при 25 ° C: 2.7A, 2A, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 110 mOhm @ 1.4A, 10V, Vgs (го) (макс.) @ Ідентифікатор: 1V @ 250µA,

До побажання
IRF7303QTRPBF
Infineon Technologies

IRF7303QTRPBF

частина: 2779

Тип FET: 2 N-Channel (Dual), Функція FET: Standard, Слив до джерела напруги (Vdss): 30V, Струм - безперервний злив (Id) при 25 ° C: 4.9A, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50 mOhm @ 2.4A, 10V, Vgs (го) (макс.) @ Ідентифікатор: 1V @ 250µA,

До побажання
IRF6723M2DTRPBF
Infineon Technologies

IRF6723M2DTRPBF

частина: 2819

Тип FET: 2 N-Channel (Dual), Функція FET: Logic Level Gate, Слив до джерела напруги (Vdss): 30V, Струм - безперервний злив (Id) при 25 ° C: 15A, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.6 mOhm @ 15A, 10V, Vgs (го) (макс.) @ Ідентифікатор: 2.35V @ 25µA,

До побажання
IRFH4255DTRPBF
Infineon Technologies

IRFH4255DTRPBF

частина: 2936

Тип FET: 2 N-Channel (Dual), Функція FET: Logic Level Gate, Слив до джерела напруги (Vdss): 25V, Струм - безперервний злив (Id) при 25 ° C: 64A, 105A, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.2 mOhm @ 30A, 10V, Vgs (го) (макс.) @ Ідентифікатор: 2.1V @ 35µA,

До побажання
ZXMP3F37DN8TA
Diodes Incorporated

ZXMP3F37DN8TA

частина: 2938

Тип FET: 2 P-Channel (Dual), Функція FET: Logic Level Gate, Слив до джерела напруги (Vdss): 30V, Струм - безперервний злив (Id) при 25 ° C: 5.7A, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25 mOhm @ 7.1A, 10V, Vgs (го) (макс.) @ Ідентифікатор: 3V @ 250µA,

До побажання
TPC8212-H(TE12LQ,M
Toshiba Semiconductor and Storage

TPC8212-H(TE12LQ,M

частина: 2781

Тип FET: 2 N-Channel (Dual), Функція FET: Logic Level Gate, Слив до джерела напруги (Vdss): 30V, Струм - безперервний злив (Id) при 25 ° C: 6A, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 21 mOhm @ 3A, 10V, Vgs (го) (макс.) @ Ідентифікатор: 2.3V @ 1mA,

До побажання
IXTL2X220N075T
IXYS

IXTL2X220N075T

частина: 2763

Тип FET: 2 N-Channel (Dual), Функція FET: Standard, Слив до джерела напруги (Vdss): 75V, Струм - безперервний злив (Id) при 25 ° C: 120A, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.5 mOhm @ 50A, 10V, Vgs (го) (макс.) @ Ідентифікатор: 4V @ 250µA,

До побажання
SP8K1TB
Rohm Semiconductor

SP8K1TB

частина: 2651

Тип FET: 2 N-Channel (Dual), Функція FET: Logic Level Gate, Слив до джерела напруги (Vdss): 30V, Струм - безперервний злив (Id) при 25 ° C: 5A, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 51 mOhm @ 5A, 10V, Vgs (го) (макс.) @ Ідентифікатор: 2.5V @ 1mA,

До побажання
UP04878G0L
Panasonic Electronic Components

UP04878G0L

частина: 2789

Тип FET: 2 N-Channel (Dual), Функція FET: Logic Level Gate, Слив до джерела напруги (Vdss): 50V, Струм - безперервний злив (Id) при 25 ° C: 100mA, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12 Ohm @ 10mA, 4V, Vgs (го) (макс.) @ Ідентифікатор: 1.5V @ 1µA,

До побажання