Menu
УКРАЇНАУКРАЇНА
Rfq / замовлення
0Rfq / замовлення

Пам'ять

7027L35G
IDT, Integrated Device Technology Inc

7027L35G

частина: 711

Тип пам'яті: Volatile, Формат пам'яті: SRAM, Технологія: SRAM - Dual Port, Asynchronous, Обсяг пам'яті: 512Kb (32K x 16), Написати час циклу - Слово, Сторінка: 35ns,

До побажання
7134SA45CB
IDT, Integrated Device Technology Inc

7134SA45CB

частина: 712

Тип пам'яті: Volatile, Формат пам'яті: SRAM, Технологія: SRAM - Dual Port, Asynchronous, Обсяг пам'яті: 32Kb (4K x 8), Написати час циклу - Слово, Сторінка: 45ns,

До побажання
70V7519S133BC
IDT, Integrated Device Technology Inc

70V7519S133BC

частина: 663

Тип пам'яті: Volatile, Формат пам'яті: SRAM, Технологія: SRAM - Dual Port, Synchronous, Обсяг пам'яті: 9Mb (256K x 36), Тактова частота: 133MHz,

До побажання
70V7339S133BC
IDT, Integrated Device Technology Inc

70V7339S133BC

частина: 729

Тип пам'яті: Volatile, Формат пам'яті: SRAM, Технологія: SRAM - Dual Port, Synchronous, Обсяг пам'яті: 9Mb (512K x 18), Тактова частота: 133MHz,

До побажання
70V7339S133BF
IDT, Integrated Device Technology Inc

70V7339S133BF

частина: 661

Тип пам'яті: Volatile, Формат пам'яті: SRAM, Технологія: SRAM - Dual Port, Synchronous, Обсяг пам'яті: 9Mb (512K x 18), Тактова частота: 133MHz,

До побажання
70V7519S133BF
IDT, Integrated Device Technology Inc

70V7519S133BF

частина: 708

Тип пам'яті: Volatile, Формат пам'яті: SRAM, Технологія: SRAM - Dual Port, Synchronous, Обсяг пам'яті: 9Mb (256K x 36), Тактова частота: 133MHz,

До побажання
70T3319S133BF
IDT, Integrated Device Technology Inc

70T3319S133BF

частина: 687

Тип пам'яті: Volatile, Формат пам'яті: SRAM, Технологія: SRAM - Dual Port, Synchronous, Обсяг пам'яті: 4.5Mb (256K x 18), Тактова частота: 133MHz,

До побажання
70T3599S133BC
IDT, Integrated Device Technology Inc

70T3599S133BC

частина: 751

Тип пам'яті: Volatile, Формат пам'яті: SRAM, Технологія: SRAM - Dual Port, Synchronous, Обсяг пам'яті: 4.5Mb (128K x 36), Тактова частота: 133MHz,

До побажання
70T3319S133BC
IDT, Integrated Device Technology Inc

70T3319S133BC

частина: 668

Тип пам'яті: Volatile, Формат пам'яті: SRAM, Технологія: SRAM - Dual Port, Synchronous, Обсяг пам'яті: 4.5Mb (256K x 18), Тактова частота: 133MHz,

До побажання
70V3319S166PRFG8
IDT, Integrated Device Technology Inc

70V3319S166PRFG8

частина: 698

Тип пам'яті: Volatile, Формат пам'яті: SRAM, Технологія: SRAM - Dual Port, Synchronous, Обсяг пам'яті: 4.5Mb (256K x 18), Тактова частота: 166MHz,

До побажання
70T659S10BFI8
IDT, Integrated Device Technology Inc

70T659S10BFI8

частина: 668

Тип пам'яті: Volatile, Формат пам'яті: SRAM, Технологія: SRAM - Dual Port, Asynchronous, Обсяг пам'яті: 4.5Mb (128K x 36), Написати час циклу - Слово, Сторінка: 10ns,

До побажання
70T659S10BCI8
IDT, Integrated Device Technology Inc

70T659S10BCI8

частина: 749

Тип пам'яті: Volatile, Формат пам'яті: SRAM, Технологія: SRAM - Dual Port, Asynchronous, Обсяг пам'яті: 4.5Mb (128K x 36), Написати час циклу - Слово, Сторінка: 10ns,

До побажання
70T631S10BCI8
IDT, Integrated Device Technology Inc

70T631S10BCI8

частина: 738

Тип пам'яті: Volatile, Формат пам'яті: SRAM, Технологія: SRAM - Dual Port, Asynchronous, Обсяг пам'яті: 4.5Mb (256K x 18), Написати час циклу - Слово, Сторінка: 10ns,

До побажання
7027S25G
IDT, Integrated Device Technology Inc

7027S25G

частина: 694

Тип пам'яті: Volatile, Формат пам'яті: SRAM, Технологія: SRAM - Dual Port, Asynchronous, Обсяг пам'яті: 512Kb (32K x 16), Написати час циклу - Слово, Сторінка: 25ns,

До побажання
7134LA55CB
IDT, Integrated Device Technology Inc

7134LA55CB

частина: 741

Тип пам'яті: Volatile, Формат пам'яті: SRAM, Технологія: SRAM - Dual Port, Asynchronous, Обсяг пам'яті: 32Kb (4K x 8), Написати час циклу - Слово, Сторінка: 55ns,

До побажання
70V3589S166DRG
IDT, Integrated Device Technology Inc

70V3589S166DRG

частина: 709

Тип пам'яті: Volatile, Формат пам'яті: SRAM, Технологія: SRAM - Dual Port, Synchronous, Обсяг пам'яті: 2Mb (64K x 36), Тактова частота: 166MHz,

До побажання
70V658S10DRG
IDT, Integrated Device Technology Inc

70V658S10DRG

частина: 694

Тип пам'яті: Volatile, Формат пам'яті: SRAM, Технологія: SRAM - Dual Port, Asynchronous, Обсяг пам'яті: 2Mb (64K x 36), Написати час циклу - Слово, Сторінка: 10ns,

До побажання
70V639S10PRFG
IDT, Integrated Device Technology Inc

70V639S10PRFG

частина: 694

Тип пам'яті: Volatile, Формат пам'яті: SRAM, Технологія: SRAM - Dual Port, Asynchronous, Обсяг пам'яті: 2.25Mb (128K x 18), Написати час циклу - Слово, Сторінка: 10ns,

До побажання
70V3589S133DRGI
IDT, Integrated Device Technology Inc

70V3589S133DRGI

частина: 714

Тип пам'яті: Volatile, Формат пам'яті: SRAM, Технологія: SRAM - Dual Port, Synchronous, Обсяг пам'яті: 2Mb (64K x 36), Тактова частота: 133MHz,

До побажання
7140SA35L48B
IDT, Integrated Device Technology Inc

7140SA35L48B

частина: 771

Тип пам'яті: Volatile, Формат пам'яті: SRAM, Технологія: SRAM - Dual Port, Asynchronous, Обсяг пам'яті: 8Kb (1K x 8), Написати час циклу - Слово, Сторінка: 35ns,

До побажання
7130SA35L48B
IDT, Integrated Device Technology Inc

7130SA35L48B

частина: 776

Тип пам'яті: Volatile, Формат пам'яті: SRAM, Технологія: SRAM - Dual Port, Asynchronous, Обсяг пам'яті: 8Kb (1K x 8), Написати час циклу - Слово, Сторінка: 35ns,

До побажання
70V3319S133BCI8
IDT, Integrated Device Technology Inc

70V3319S133BCI8

частина: 766

Тип пам'яті: Volatile, Формат пам'яті: SRAM, Технологія: SRAM - Dual Port, Synchronous, Обсяг пам'яті: 4.5Mb (256K x 18), Тактова частота: 133MHz,

До побажання
70T659S12BFI8
IDT, Integrated Device Technology Inc

70T659S12BFI8

частина: 716

Тип пам'яті: Volatile, Формат пам'яті: SRAM, Технологія: SRAM - Dual Port, Asynchronous, Обсяг пам'яті: 4.5Mb (128K x 36), Написати час циклу - Слово, Сторінка: 12ns,

До побажання
70V631S12BFI8
IDT, Integrated Device Technology Inc

70V631S12BFI8

частина: 783

Тип пам'яті: Volatile, Формат пам'яті: SRAM, Технологія: SRAM - Dual Port, Asynchronous, Обсяг пам'яті: 4.5Mb (256K x 18), Написати час циклу - Слово, Сторінка: 12ns,

До побажання
70V3599S133BCI8
IDT, Integrated Device Technology Inc

70V3599S133BCI8

частина: 731

Тип пам'яті: Volatile, Формат пам'яті: SRAM, Технологія: SRAM - Dual Port, Synchronous, Обсяг пам'яті: 4.5Mb (128K x 36), Тактова частота: 133MHz,

До побажання
70V631S12BCI8
IDT, Integrated Device Technology Inc

70V631S12BCI8

частина: 710

Тип пам'яті: Volatile, Формат пам'яті: SRAM, Технологія: SRAM - Dual Port, Asynchronous, Обсяг пам'яті: 4.5Mb (256K x 18), Написати час циклу - Слово, Сторінка: 12ns,

До побажання
70V3599S133BFI8
IDT, Integrated Device Technology Inc

70V3599S133BFI8

частина: 737

Тип пам'яті: Volatile, Формат пам'яті: SRAM, Технологія: SRAM - Dual Port, Synchronous, Обсяг пам'яті: 4.5Mb (128K x 36), Тактова частота: 133MHz,

До побажання
70V3319S133BFI8
IDT, Integrated Device Technology Inc

70V3319S133BFI8

частина: 720

Тип пам'яті: Volatile, Формат пам'яті: SRAM, Технологія: SRAM - Dual Port, Synchronous, Обсяг пам'яті: 4.5Mb (256K x 18), Тактова частота: 133MHz,

До побажання
70V659S12BCI8
IDT, Integrated Device Technology Inc

70V659S12BCI8

частина: 731

Тип пам'яті: Volatile, Формат пам'яті: SRAM, Технологія: SRAM - Dual Port, Asynchronous, Обсяг пам'яті: 4.5Mb (128K x 36), Написати час циклу - Слово, Сторінка: 12ns,

До побажання
70V659S12BFI8
IDT, Integrated Device Technology Inc

70V659S12BFI8

частина: 737

Тип пам'яті: Volatile, Формат пам'яті: SRAM, Технологія: SRAM - Dual Port, Asynchronous, Обсяг пам'яті: 4.5Mb (128K x 36), Написати час циклу - Слово, Сторінка: 12ns,

До побажання
70T659S12BCI8
IDT, Integrated Device Technology Inc

70T659S12BCI8

частина: 762

Тип пам'яті: Volatile, Формат пам'яті: SRAM, Технологія: SRAM - Dual Port, Asynchronous, Обсяг пам'яті: 4.5Mb (128K x 36), Написати час циклу - Слово, Сторінка: 12ns,

До побажання
70V659S12BFGI8
IDT, Integrated Device Technology Inc

70V659S12BFGI8

частина: 776

Тип пам'яті: Volatile, Формат пам'яті: SRAM, Технологія: SRAM - Dual Port, Asynchronous, Обсяг пам'яті: 4.5Mb (128K x 36), Написати час циклу - Слово, Сторінка: 12ns,

До побажання
70T631S12BCI8
IDT, Integrated Device Technology Inc

70T631S12BCI8

частина: 721

Тип пам'яті: Volatile, Формат пам'яті: SRAM, Технологія: SRAM - Dual Port, Asynchronous, Обсяг пам'яті: 4.5Mb (256K x 18), Написати час циклу - Слово, Сторінка: 12ns,

До побажання
70V631S12BFGI8
IDT, Integrated Device Technology Inc

70V631S12BFGI8

частина: 761

Тип пам'яті: Volatile, Формат пам'яті: SRAM, Технологія: SRAM - Dual Port, Asynchronous, Обсяг пам'яті: 4.5Mb (256K x 18), Написати час циклу - Слово, Сторінка: 12ns,

До побажання
70V3599S133BFGI8
IDT, Integrated Device Technology Inc

70V3599S133BFGI8

частина: 760

Тип пам'яті: Volatile, Формат пам'яті: SRAM, Технологія: SRAM - Dual Port, Synchronous, Обсяг пам'яті: 4.5Mb (128K x 36), Тактова частота: 133MHz,

До побажання
7027S35G
IDT, Integrated Device Technology Inc

7027S35G

частина: 782

Тип пам'яті: Volatile, Формат пам'яті: SRAM, Технологія: SRAM - Dual Port, Asynchronous, Обсяг пам'яті: 512Kb (32K x 16), Написати час циклу - Слово, Сторінка: 35ns,

До побажання