Пам'ять | Інтегральні схеми (ІС) | 100

70T3599S200BC

частина: 712

Тип пам'яті: Volatile, Формат пам'яті: SRAM, Технологія: SRAM - Dual Port, Synchronous, Обсяг пам'яті: 4.5Mb (128K x 36), Тактова частота: 200MHz,

До побажання

IDT, Integrated Device Technology Inc

70T3599S133BFI

частина: 684

Тип пам'яті: Volatile, Формат пам'яті: SRAM, Технологія: SRAM - Dual Port, Synchronous, Обсяг пам'яті: 4.5Mb (128K x 36), Тактова частота: 133MHz,

До побажання

IDT, Integrated Device Technology Inc

70T3319S133BFI

частина: 668

Тип пам'яті: Volatile, Формат пам'яті: SRAM, Технологія: SRAM - Dual Port, Synchronous, Обсяг пам'яті: 4.5Mb (256K x 18), Тактова частота: 133MHz,

До побажання

IDT, Integrated Device Technology Inc

70T3599S133BCI

частина: 648

Тип пам'яті: Volatile, Формат пам'яті: SRAM, Технологія: SRAM - Dual Port, Synchronous, Обсяг пам'яті: 4.5Mb (128K x 36), Тактова частота: 133MHz,

До побажання

IDT, Integrated Device Technology Inc

70T3319S133BFGI

частина: 632

Тип пам'яті: Volatile, Формат пам'яті: SRAM, Технологія: SRAM - Dual Port, Synchronous, Обсяг пам'яті: 4.5Mb (256K x 18), Тактова частота: 133MHz,

До побажання

IDT, Integrated Device Technology Inc

70V7339S166BCGI

частина: 694

Тип пам'яті: Volatile, Формат пам'яті: SRAM, Технологія: SRAM - Dual Port, Synchronous, Обсяг пам'яті: 9Mb (512K x 18), Тактова частота: 166MHz,

До побажання

IDT, Integrated Device Technology Inc

70V7339S166BC

частина: 680

Тип пам'яті: Volatile, Формат пам'яті: SRAM, Технологія: SRAM - Dual Port, Synchronous, Обсяг пам'яті: 9Mb (512K x 18), Тактова частота: 166MHz,

До побажання

IDT, Integrated Device Technology Inc

70V7519S166BF

частина: 632

Тип пам'яті: Volatile, Формат пам'яті: SRAM, Технологія: SRAM - Dual Port, Synchronous, Обсяг пам'яті: 9Mb (256K x 36), Тактова частота: 166MHz,

До побажання

IDT, Integrated Device Technology Inc

70V7339S166BF

частина: 690

Тип пам'яті: Volatile, Формат пам'яті: SRAM, Технологія: SRAM - Dual Port, Synchronous, Обсяг пам'яті: 9Mb (512K x 18), Тактова частота: 166MHz,

До побажання

IDT, Integrated Device Technology Inc

70V7519S166BC

частина: 656

Тип пам'яті: Volatile, Формат пам'яті: SRAM, Технологія: SRAM - Dual Port, Synchronous, Обсяг пам'яті: 9Mb (256K x 36), Тактова частота: 166MHz,

До побажання

IDT, Integrated Device Technology Inc

70V7339S166BFG

частина: 702

Тип пам'яті: Volatile, Формат пам'яті: SRAM, Технологія: SRAM - Dual Port, Synchronous, Обсяг пам'яті: 9Mb (512K x 18), Тактова частота: 166MHz,

До побажання

IDT, Integrated Device Technology Inc

70T3599S166BF

частина: 652

Тип пам'яті: Volatile, Формат пам'яті: SRAM, Технологія: SRAM - Dual Port, Synchronous, Обсяг пам'яті: 4.5Mb (128K x 36), Тактова частота: 166MHz,

До побажання

IDT, Integrated Device Technology Inc

70T3319S166BFG

частина: 704

Тип пам'яті: Volatile, Формат пам'яті: SRAM, Технологія: SRAM - Dual Port, Synchronous, Обсяг пам'яті: 4.5Mb (256K x 18), Тактова частота: 166MHz,

До побажання

IDT, Integrated Device Technology Inc

70T3599S166BC

частина: 716

Тип пам'яті: Volatile, Формат пам'яті: SRAM, Технологія: SRAM - Dual Port, Synchronous, Обсяг пам'яті: 4.5Mb (128K x 36), Тактова частота: 166MHz,

До побажання

IDT, Integrated Device Technology Inc

70T3319S166BF

частина: 623

Тип пам'яті: Volatile, Формат пам'яті: SRAM, Технологія: SRAM - Dual Port, Synchronous, Обсяг пам'яті: 4.5Mb (256K x 18), Тактова частота: 166MHz,

До побажання

IDT, Integrated Device Technology Inc

70T3319S166BC

частина: 649

Тип пам'яті: Volatile, Формат пам'яті: SRAM, Технологія: SRAM - Dual Port, Synchronous, Обсяг пам'яті: 4.5Mb (256K x 18), Тактова частота: 166MHz,

До побажання

IDT, Integrated Device Technology Inc

70V3319S133BC

частина: 714

Тип пам'яті: Volatile, Формат пам'яті: SRAM, Технологія: SRAM - Dual Port, Synchronous, Обсяг пам'яті: 4.5Mb (256K x 18), Тактова частота: 133MHz,

До побажання

IDT, Integrated Device Technology Inc

70V631S12BC

частина: 640

Тип пам'яті: Volatile, Формат пам'яті: SRAM, Технологія: SRAM - Dual Port, Asynchronous, Обсяг пам'яті: 4.5Mb (256K x 18), Написати час циклу - Слово, Сторінка: 12ns,

До побажання

IDT, Integrated Device Technology Inc

70V3599S133BF

частина: 670

Тип пам'яті: Volatile, Формат пам'яті: SRAM, Технологія: SRAM - Dual Port, Synchronous, Обсяг пам'яті: 4.5Mb (128K x 36), Тактова частота: 133MHz,

До побажання

IDT, Integrated Device Technology Inc

70T659S12BC

частина: 639

Тип пам'яті: Volatile, Формат пам'яті: SRAM, Технологія: SRAM - Dual Port, Asynchronous, Обсяг пам'яті: 4.5Mb (128K x 36), Написати час циклу - Слово, Сторінка: 12ns,

До побажання

IDT, Integrated Device Technology Inc

70V659S12BF

частина: 684

Тип пам'яті: Volatile, Формат пам'яті: SRAM, Технологія: SRAM - Dual Port, Asynchronous, Обсяг пам'яті: 4.5Mb (128K x 36), Написати час циклу - Слово, Сторінка: 12ns,

До побажання

IDT, Integrated Device Technology Inc

70V3599S133BC

частина: 631

Тип пам'яті: Volatile, Формат пам'яті: SRAM, Технологія: SRAM - Dual Port, Synchronous, Обсяг пам'яті: 4.5Mb (128K x 36), Тактова частота: 133MHz,

До побажання

IDT, Integrated Device Technology Inc

70V3319S133BF

частина: 689

Тип пам'яті: Volatile, Формат пам'яті: SRAM, Технологія: SRAM - Dual Port, Synchronous, Обсяг пам'яті: 4.5Mb (256K x 18), Тактова частота: 133MHz,

До побажання

IDT, Integrated Device Technology Inc

70T631S12BF

частина: 672

Тип пам'яті: Volatile, Формат пам'яті: SRAM, Технологія: SRAM - Dual Port, Asynchronous, Обсяг пам'яті: 4.5Mb (256K x 18), Написати час циклу - Слово, Сторінка: 12ns,

До побажання

IDT, Integrated Device Technology Inc

70V631S12BF

частина: 677

Тип пам'яті: Volatile, Формат пам'яті: SRAM, Технологія: SRAM - Dual Port, Asynchronous, Обсяг пам'яті: 4.5Mb (256K x 18), Написати час циклу - Слово, Сторінка: 12ns,

До побажання

IDT, Integrated Device Technology Inc

7134LA70L48B

частина: 699

Тип пам'яті: Volatile, Формат пам'яті: SRAM, Технологія: SRAM - Dual Port, Asynchronous, Обсяг пам'яті: 32Kb (4K x 8), Написати час циклу - Слово, Сторінка: 70ns,

До побажання

IDT, Integrated Device Technology Inc

70V631S15BC

частина: 708

Тип пам'яті: Volatile, Формат пам'яті: SRAM, Технологія: SRAM - Dual Port, Asynchronous, Обсяг пам'яті: 4.5Mb (256K x 18), Написати час циклу - Слово, Сторінка: 15ns,

До побажання

IDT, Integrated Device Technology Inc

70V631S15BF

частина: 726

Тип пам'яті: Volatile, Формат пам'яті: SRAM, Технологія: SRAM - Dual Port, Asynchronous, Обсяг пам'яті: 4.5Mb (256K x 18), Написати час циклу - Слово, Сторінка: 15ns,

До побажання

IDT, Integrated Device Technology Inc

70V659S15BF

частина: 704

Тип пам'яті: Volatile, Формат пам'яті: SRAM, Технологія: SRAM - Dual Port, Asynchronous, Обсяг пам'яті: 4.5Mb (128K x 36), Написати час циклу - Слово, Сторінка: 15ns,

До побажання

IDT, Integrated Device Technology Inc

70V659S15BC

частина: 724

Тип пам'яті: Volatile, Формат пам'яті: SRAM, Технологія: SRAM - Dual Port, Asynchronous, Обсяг пам'яті: 4.5Mb (128K x 36), Написати час циклу - Слово, Сторінка: 15ns,

До побажання

IDT, Integrated Device Technology Inc

70T631S15BF

частина: 717

Тип пам'яті: Volatile, Формат пам'яті: SRAM, Технологія: SRAM - Dual Port, Asynchronous, Обсяг пам'яті: 4.5Mb (256K x 18), Написати час циклу - Слово, Сторінка: 15ns,

До побажання

IDT, Integrated Device Technology Inc

70T659S15BC

частина: 633

Тип пам'яті: Volatile, Формат пам'яті: SRAM, Технологія: SRAM - Dual Port, Asynchronous, Обсяг пам'яті: 4.5Mb (128K x 36), Написати час циклу - Слово, Сторінка: 15ns,

До побажання

IDT, Integrated Device Technology Inc

70T3339S133BF8

частина: 644

Тип пам'яті: Volatile, Формат пам'яті: SRAM, Технологія: SRAM - Dual Port, Synchronous, Обсяг пам'яті: 9Mb (512K x 18), Тактова частота: 133MHz,

До побажання

IDT, Integrated Device Technology Inc

70T3339S133BC8

частина: 660

Тип пам'яті: Volatile, Формат пам'яті: SRAM, Технологія: SRAM - Dual Port, Synchronous, Обсяг пам'яті: 9Mb (512K x 18), Тактова частота: 133MHz,

До побажання

IDT, Integrated Device Technology Inc

7140LA35L48B

частина: 717

Тип пам'яті: Volatile, Формат пам'яті: SRAM, Технологія: SRAM - Dual Port, Asynchronous, Обсяг пам'яті: 8Kb (1K x 8), Написати час циклу - Слово, Сторінка: 35ns,

До побажання

IDT, Integrated Device Technology Inc

7130LA35L48B

частина: 646

Тип пам'яті: Volatile, Формат пам'яті: SRAM, Технологія: SRAM - Dual Port, Asynchronous, Обсяг пам'яті: 8Kb (1K x 8), Написати час циклу - Слово, Сторінка: 35ns,

До побажання