Menu
УКРАЇНАУКРАЇНА
Rfq / замовлення
0Rfq / замовлення

Пам'ять

70T633S10BC8
IDT, Integrated Device Technology Inc

70T633S10BC8

частина: 626

Тип пам'яті: Volatile, Формат пам'яті: SRAM, Технологія: SRAM - Dual Port, Asynchronous, Обсяг пам'яті: 9Mb (512K x 18), Написати час циклу - Слово, Сторінка: 10ns,

До побажання
70T3519S166BF8
IDT, Integrated Device Technology Inc

70T3519S166BF8

частина: 636

Тип пам'яті: Volatile, Формат пам'яті: SRAM, Технологія: SRAM - Dual Port, Synchronous, Обсяг пам'яті: 9Mb (256K x 36), Тактова частота: 166MHz,

До побажання
70T3519S166BFG8
IDT, Integrated Device Technology Inc

70T3519S166BFG8

частина: 629

Тип пам'яті: Volatile, Формат пам'яті: SRAM, Технологія: SRAM - Dual Port, Synchronous, Обсяг пам'яті: 9Mb (256K x 36), Тактова частота: 166MHz,

До побажання
70T651S10BC8
IDT, Integrated Device Technology Inc

70T651S10BC8

частина: 629

Тип пам'яті: Volatile, Формат пам'яті: SRAM, Технологія: SRAM - Dual Port, Asynchronous, Обсяг пам'яті: 9Mb (256K x 36), Написати час циклу - Слово, Сторінка: 10ns,

До побажання
70T3519S166BC8
IDT, Integrated Device Technology Inc

70T3519S166BC8

частина: 645

Тип пам'яті: Volatile, Формат пам'яті: SRAM, Технологія: SRAM - Dual Port, Synchronous, Обсяг пам'яті: 9Mb (256K x 36), Тактова частота: 166MHz,

До побажання
70V631S12PRFGI
IDT, Integrated Device Technology Inc

70V631S12PRFGI

частина: 583

Тип пам'яті: Volatile, Формат пам'яті: SRAM, Технологія: SRAM - Dual Port, Asynchronous, Обсяг пам'яті: 4.5Mb (256K x 18), Написати час циклу - Слово, Сторінка: 12ns,

До побажання
70T3599S133BFGI
IDT, Integrated Device Technology Inc

70T3599S133BFGI

частина: 635

Тип пам'яті: Volatile, Формат пам'яті: SRAM, Технологія: SRAM - Dual Port, Synchronous, Обсяг пам'яті: 4.5Mb (128K x 36), Тактова частота: 133MHz,

До побажання
7134LA45CB
IDT, Integrated Device Technology Inc

7134LA45CB

частина: 586

Тип пам'яті: Volatile, Формат пам'яті: SRAM, Технологія: SRAM - Dual Port, Asynchronous, Обсяг пам'яті: 32Kb (4K x 8), Написати час циклу - Слово, Сторінка: 45ns,

До побажання
7143SA90GB
IDT, Integrated Device Technology Inc

7143SA90GB

частина: 653

Тип пам'яті: Volatile, Формат пам'яті: SRAM, Технологія: SRAM - Dual Port, Asynchronous, Обсяг пам'яті: 32Kb (2K x 16), Написати час циклу - Слово, Сторінка: 90ns,

До побажання
7133SA90GB
IDT, Integrated Device Technology Inc

7133SA90GB

частина: 652

Тип пам'яті: Volatile, Формат пам'яті: SRAM, Технологія: SRAM - Dual Port, Asynchronous, Обсяг пам'яті: 32Kb (2K x 16), Написати час циклу - Слово, Сторінка: 90ns,

До побажання
70T631S12BCI
IDT, Integrated Device Technology Inc

70T631S12BCI

частина: 634

Тип пам'яті: Volatile, Формат пам'яті: SRAM, Технологія: SRAM - Dual Port, Asynchronous, Обсяг пам'яті: 4.5Mb (256K x 18), Написати час циклу - Слово, Сторінка: 12ns,

До побажання
70V631S12BCI
IDT, Integrated Device Technology Inc

70V631S12BCI

частина: 641

Тип пам'яті: Volatile, Формат пам'яті: SRAM, Технологія: SRAM - Dual Port, Asynchronous, Обсяг пам'яті: 4.5Mb (256K x 18), Написати час циклу - Слово, Сторінка: 12ns,

До побажання
70V3599S133BFI
IDT, Integrated Device Technology Inc

70V3599S133BFI

частина: 574

Тип пам'яті: Volatile, Формат пам'яті: SRAM, Технологія: SRAM - Dual Port, Synchronous, Обсяг пам'яті: 4.5Mb (128K x 36), Тактова частота: 133MHz,

До побажання
70T659S12BFI
IDT, Integrated Device Technology Inc

70T659S12BFI

частина: 575

Тип пам'яті: Volatile, Формат пам'яті: SRAM, Технологія: SRAM - Dual Port, Asynchronous, Обсяг пам'яті: 4.5Mb (128K x 36), Написати час циклу - Слово, Сторінка: 12ns,

До побажання
70T659S12BCI
IDT, Integrated Device Technology Inc

70T659S12BCI

частина: 607

Тип пам'яті: Volatile, Формат пам'яті: SRAM, Технологія: SRAM - Dual Port, Asynchronous, Обсяг пам'яті: 4.5Mb (128K x 36), Написати час циклу - Слово, Сторінка: 12ns,

До побажання
70V631S12BFI
IDT, Integrated Device Technology Inc

70V631S12BFI

частина: 633

Тип пам'яті: Volatile, Формат пам'яті: SRAM, Технологія: SRAM - Dual Port, Asynchronous, Обсяг пам'яті: 4.5Mb (256K x 18), Написати час циклу - Слово, Сторінка: 12ns,

До побажання
70V659S12BFGI
IDT, Integrated Device Technology Inc

70V659S12BFGI

частина: 618

Тип пам'яті: Volatile, Формат пам'яті: SRAM, Технологія: SRAM - Dual Port, Asynchronous, Обсяг пам'яті: 4.5Mb (128K x 36), Написати час циклу - Слово, Сторінка: 12ns,

До побажання
70V659S12BCI
IDT, Integrated Device Technology Inc

70V659S12BCI

частина: 659

Тип пам'яті: Volatile, Формат пам'яті: SRAM, Технологія: SRAM - Dual Port, Asynchronous, Обсяг пам'яті: 4.5Mb (128K x 36), Написати час циклу - Слово, Сторінка: 12ns,

До побажання
70V3599S133BFGI
IDT, Integrated Device Technology Inc

70V3599S133BFGI

частина: 654

Тип пам'яті: Volatile, Формат пам'яті: SRAM, Технологія: SRAM - Dual Port, Synchronous, Обсяг пам'яті: 4.5Mb (128K x 36), Тактова частота: 133MHz,

До побажання
70V659S12BCGI
IDT, Integrated Device Technology Inc

70V659S12BCGI

частина: 628

Тип пам'яті: Volatile, Формат пам'яті: SRAM, Технологія: SRAM - Dual Port, Asynchronous, Обсяг пам'яті: 4.5Mb (128K x 36), Написати час циклу - Слово, Сторінка: 12ns,

До побажання
70V3319S133BFI
IDT, Integrated Device Technology Inc

70V3319S133BFI

частина: 647

Тип пам'яті: Volatile, Формат пам'яті: SRAM, Технологія: SRAM - Dual Port, Synchronous, Обсяг пам'яті: 4.5Mb (256K x 18), Тактова частота: 133MHz,

До побажання
70V659S12BFI
IDT, Integrated Device Technology Inc

70V659S12BFI

частина: 638

Тип пам'яті: Volatile, Формат пам'яті: SRAM, Технологія: SRAM - Dual Port, Asynchronous, Обсяг пам'яті: 4.5Mb (128K x 36), Написати час циклу - Слово, Сторінка: 12ns,

До побажання
70V3319S133BCGI
IDT, Integrated Device Technology Inc

70V3319S133BCGI

частина: 569

Тип пам'яті: Volatile, Формат пам'яті: SRAM, Технологія: SRAM - Dual Port, Synchronous, Обсяг пам'яті: 4.5Mb (256K x 18), Тактова частота: 133MHz,

До побажання
70V3319S133BCI
IDT, Integrated Device Technology Inc

70V3319S133BCI

частина: 616

Тип пам'яті: Volatile, Формат пам'яті: SRAM, Технологія: SRAM - Dual Port, Synchronous, Обсяг пам'яті: 4.5Mb (256K x 18), Тактова частота: 133MHz,

До побажання
70V631S12BFGI
IDT, Integrated Device Technology Inc

70V631S12BFGI

частина: 597

Тип пам'яті: Volatile, Формат пам'яті: SRAM, Технологія: SRAM - Dual Port, Asynchronous, Обсяг пам'яті: 4.5Mb (256K x 18), Написати час циклу - Слово, Сторінка: 12ns,

До побажання
70V3599S133BCGI
IDT, Integrated Device Technology Inc

70V3599S133BCGI

частина: 579

Тип пам'яті: Volatile, Формат пам'яті: SRAM, Технологія: SRAM - Dual Port, Synchronous, Обсяг пам'яті: 4.5Mb (128K x 36), Тактова частота: 133MHz,

До побажання
7130SA25L48B
IDT, Integrated Device Technology Inc

7130SA25L48B

частина: 670

Тип пам'яті: Volatile, Формат пам'яті: SRAM, Технологія: SRAM - Dual Port, Asynchronous, Обсяг пам'яті: 8Kb (1K x 8), Написати час циклу - Слово, Сторінка: 25ns,

До побажання
70T3339S200BC8
IDT, Integrated Device Technology Inc

70T3339S200BC8

частина: 622

Тип пам'яті: Volatile, Формат пам'яті: SRAM, Технологія: SRAM - Dual Port, Synchronous, Обсяг пам'яті: 9Mb (512K x 18), Тактова частота: 200MHz,

До побажання
70T3339S133BFI8
IDT, Integrated Device Technology Inc

70T3339S133BFI8

частина: 584

Тип пам'яті: Volatile, Формат пам'яті: SRAM, Технологія: SRAM - Dual Port, Synchronous, Обсяг пам'яті: 9Mb (512K x 18), Тактова частота: 133MHz,

До побажання
70T3339S133BCI8
IDT, Integrated Device Technology Inc

70T3339S133BCI8

частина: 668

Тип пам'яті: Volatile, Формат пам'яті: SRAM, Технологія: SRAM - Dual Port, Synchronous, Обсяг пам'яті: 9Mb (512K x 18), Тактова частота: 133MHz,

До побажання
70T651S12BC8
IDT, Integrated Device Technology Inc

70T651S12BC8

частина: 671

Тип пам'яті: Volatile, Формат пам'яті: SRAM, Технологія: SRAM - Dual Port, Asynchronous, Обсяг пам'яті: 9Mb (256K x 36), Написати час циклу - Слово, Сторінка: 12ns,

До побажання
70T633S12BC8
IDT, Integrated Device Technology Inc

70T633S12BC8

частина: 632

Тип пам'яті: Volatile, Формат пам'яті: SRAM, Технологія: SRAM - Dual Port, Asynchronous, Обсяг пам'яті: 9Mb (512K x 18), Написати час циклу - Слово, Сторінка: 12ns,

До побажання
70T651S12BF8
IDT, Integrated Device Technology Inc

70T651S12BF8

частина: 591

Тип пам'яті: Volatile, Формат пам'яті: SRAM, Технологія: SRAM - Dual Port, Asynchronous, Обсяг пам'яті: 9Mb (256K x 36), Написати час циклу - Слово, Сторінка: 12ns,

До побажання
70T3519S133BF8
IDT, Integrated Device Technology Inc

70T3519S133BF8

частина: 598

Тип пам'яті: Volatile, Формат пам'яті: SRAM, Технологія: SRAM - Dual Port, Synchronous, Обсяг пам'яті: 9Mb (256K x 36), Тактова частота: 133MHz,

До побажання
70T3519S133BC8
IDT, Integrated Device Technology Inc

70T3519S133BC8

частина: 594

Тип пам'яті: Volatile, Формат пам'яті: SRAM, Технологія: SRAM - Dual Port, Synchronous, Обсяг пам'яті: 9Mb (256K x 36), Тактова частота: 133MHz,

До побажання
70V7339S166BCI
IDT, Integrated Device Technology Inc

70V7339S166BCI

частина: 626

Тип пам'яті: Volatile, Формат пам'яті: SRAM, Технологія: SRAM - Dual Port, Synchronous, Обсяг пам'яті: 9Mb (512K x 18), Тактова частота: 166MHz,

До побажання