Menu
УКРАЇНАУКРАЇНА
Rfq / замовлення
0Rfq / замовлення

Пам'ять

7143SA55GB
IDT, Integrated Device Technology Inc

7143SA55GB

частина: 528

Тип пам'яті: Volatile, Формат пам'яті: SRAM, Технологія: SRAM - Dual Port, Asynchronous, Обсяг пам'яті: 32Kb (2K x 16), Написати час циклу - Слово, Сторінка: 55ns,

До побажання
70T633S10BF
IDT, Integrated Device Technology Inc

70T633S10BF

частина: 513

Тип пам'яті: Volatile, Формат пам'яті: SRAM, Технологія: SRAM - Dual Port, Asynchronous, Обсяг пам'яті: 9Mb (512K x 18), Написати час циклу - Слово, Сторінка: 10ns,

До побажання
70T3519S166BC
IDT, Integrated Device Technology Inc

70T3519S166BC

частина: 521

Тип пам'яті: Volatile, Формат пам'яті: SRAM, Технологія: SRAM - Dual Port, Synchronous, Обсяг пам'яті: 9Mb (256K x 36), Тактова частота: 166MHz,

До побажання
70T3519S166BF
IDT, Integrated Device Technology Inc

70T3519S166BF

частина: 468

Тип пам'яті: Volatile, Формат пам'яті: SRAM, Технологія: SRAM - Dual Port, Synchronous, Обсяг пам'яті: 9Mb (256K x 36), Тактова частота: 166MHz,

До побажання
70T651S10BF
IDT, Integrated Device Technology Inc

70T651S10BF

частина: 538

Тип пам'яті: Volatile, Формат пам'яті: SRAM, Технологія: SRAM - Dual Port, Asynchronous, Обсяг пам'яті: 9Mb (256K x 36), Написати час циклу - Слово, Сторінка: 10ns,

До побажання
70T3519S166BFG
IDT, Integrated Device Technology Inc

70T3519S166BFG

частина: 460

Тип пам'яті: Volatile, Формат пам'яті: SRAM, Технологія: SRAM - Dual Port, Synchronous, Обсяг пам'яті: 9Mb (256K x 36), Тактова частота: 166MHz,

До побажання
70T633S10BC
IDT, Integrated Device Technology Inc

70T633S10BC

частина: 533

Тип пам'яті: Volatile, Формат пам'яті: SRAM, Технологія: SRAM - Dual Port, Asynchronous, Обсяг пам'яті: 9Mb (512K x 18), Написати час циклу - Слово, Сторінка: 10ns,

До побажання
7133SA55GB
IDT, Integrated Device Technology Inc

7133SA55GB

частина: 535

Тип пам'яті: Volatile, Формат пам'яті: SRAM, Технологія: SRAM - Dual Port, Asynchronous, Обсяг пам'яті: 32Kb (2K x 16), Написати час циклу - Слово, Сторінка: 55ns,

До побажання
70T3799MS166BBG
IDT, Integrated Device Technology Inc

70T3799MS166BBG

частина: 521

Тип пам'яті: Volatile, Формат пам'яті: SRAM, Технологія: SRAM - Dual Port, Synchronous, Обсяг пам'яті: 9Mb (128K x 72), Тактова частота: 166MHz,

До побажання
70T651S10BFG
IDT, Integrated Device Technology Inc

70T651S10BFG

частина: 179

Тип пам'яті: Volatile, Формат пам'яті: SRAM, Технологія: SRAM - Dual Port, Asynchronous, Обсяг пам'яті: 9Mb (256K x 36), Написати час циклу - Слово, Сторінка: 10ns,

До побажання
7130LA55FB
IDT, Integrated Device Technology Inc

7130LA55FB

частина: 548

Тип пам'яті: Volatile, Формат пам'яті: SRAM, Технологія: SRAM - Dual Port, Asynchronous, Обсяг пам'яті: 8Kb (1K x 8), Написати час циклу - Слово, Сторінка: 55ns,

До побажання
70T3339S200BC
IDT, Integrated Device Technology Inc

70T3339S200BC

частина: 509

Тип пам'яті: Volatile, Формат пам'яті: SRAM, Технологія: SRAM - Dual Port, Synchronous, Обсяг пам'яті: 9Mb (512K x 18), Тактова частота: 200MHz,

До побажання
70T3339S200BCG
IDT, Integrated Device Technology Inc

70T3339S200BCG

частина: 549

Тип пам'яті: Volatile, Формат пам'яті: SRAM, Технологія: SRAM - Dual Port, Synchronous, Обсяг пам'яті: 9Mb (512K x 18), Тактова частота: 200MHz,

До побажання
7134LA35CB
IDT, Integrated Device Technology Inc

7134LA35CB

частина: 508

Тип пам'яті: Volatile, Формат пам'яті: SRAM, Технологія: SRAM - Dual Port, Asynchronous, Обсяг пам'яті: 32Kb (4K x 8), Написати час циклу - Слово, Сторінка: 35ns,

До побажання
70T3339S133BFI
IDT, Integrated Device Technology Inc

70T3339S133BFI

частина: 514

Тип пам'яті: Volatile, Формат пам'яті: SRAM, Технологія: SRAM - Dual Port, Synchronous, Обсяг пам'яті: 9Mb (512K x 18), Тактова частота: 133MHz,

До побажання
70T3339S133BCI
IDT, Integrated Device Technology Inc

70T3339S133BCI

частина: 557

Тип пам'яті: Volatile, Формат пам'яті: SRAM, Технологія: SRAM - Dual Port, Synchronous, Обсяг пам'яті: 9Mb (512K x 18), Тактова частота: 133MHz,

До побажання
70T3339S133BFGI
IDT, Integrated Device Technology Inc

70T3339S133BFGI

частина: 541

Тип пам'яті: Volatile, Формат пам'яті: SRAM, Технологія: SRAM - Dual Port, Synchronous, Обсяг пам'яті: 9Mb (512K x 18), Тактова частота: 133MHz,

До побажання
7132SA25L48B
IDT, Integrated Device Technology Inc

7132SA25L48B

частина: 523

Тип пам'яті: Volatile, Формат пам'яті: SRAM, Технологія: SRAM - Dual Port, Asynchronous, Обсяг пам'яті: 16Kb (2K x 8), Написати час циклу - Слово, Сторінка: 25ns,

До побажання
70T633S12BC
IDT, Integrated Device Technology Inc

70T633S12BC

частина: 508

Тип пам'яті: Volatile, Формат пам'яті: SRAM, Технологія: SRAM - Dual Port, Asynchronous, Обсяг пам'яті: 9Mb (512K x 18), Написати час циклу - Слово, Сторінка: 12ns,

До побажання
70T3519S133BF
IDT, Integrated Device Technology Inc

70T3519S133BF

частина: 577

Тип пам'яті: Volatile, Формат пам'яті: SRAM, Технологія: SRAM - Dual Port, Synchronous, Обсяг пам'яті: 9Mb (256K x 36), Тактова частота: 133MHz,

До побажання
70T3519S133BC
IDT, Integrated Device Technology Inc

70T3519S133BC

частина: 495

Тип пам'яті: Volatile, Формат пам'яті: SRAM, Технологія: SRAM - Dual Port, Synchronous, Обсяг пам'яті: 9Mb (256K x 36), Тактова частота: 133MHz,

До побажання
70T651S12BC
IDT, Integrated Device Technology Inc

70T651S12BC

частина: 518

Тип пам'яті: Volatile, Формат пам'яті: SRAM, Технологія: SRAM - Dual Port, Asynchronous, Обсяг пам'яті: 9Mb (256K x 36), Написати час циклу - Слово, Сторінка: 12ns,

До побажання
70T3799MS133BBG
IDT, Integrated Device Technology Inc

70T3799MS133BBG

частина: 530

Тип пам'яті: Volatile, Формат пам'яті: SRAM, Технологія: SRAM - Dual Port, Synchronous, Обсяг пам'яті: 9Mb (128K x 72), Тактова частота: 133MHz,

До побажання
70T651S12BF
IDT, Integrated Device Technology Inc

70T651S12BF

частина: 558

Тип пам'яті: Volatile, Формат пам'яті: SRAM, Технологія: SRAM - Dual Port, Asynchronous, Обсяг пам'яті: 9Mb (256K x 36), Написати час циклу - Слово, Сторінка: 12ns,

До побажання
7133LA70GB
IDT, Integrated Device Technology Inc

7133LA70GB

частина: 501

Тип пам'яті: Volatile, Формат пам'яті: SRAM, Технологія: SRAM - Dual Port, Asynchronous, Обсяг пам'яті: 32Kb (2K x 16), Написати час циклу - Слово, Сторінка: 70ns,

До побажання
7143LA70GB
IDT, Integrated Device Technology Inc

7143LA70GB

частина: 580

Тип пам'яті: Volatile, Формат пам'яті: SRAM, Технологія: SRAM - Dual Port, Asynchronous, Обсяг пам'яті: 32Kb (2K x 16), Написати час циклу - Слово, Сторінка: 70ns,

До побажання
70V3599S133BCI
IDT, Integrated Device Technology Inc

70V3599S133BCI

частина: 509

Тип пам'яті: Volatile, Формат пам'яті: SRAM, Технологія: SRAM - Dual Port, Synchronous, Обсяг пам'яті: 4.5Mb (128K x 36), Тактова частота: 133MHz,

До побажання
70T3339S166BF
IDT, Integrated Device Technology Inc

70T3339S166BF

частина: 575

Тип пам'яті: Volatile, Формат пам'яті: SRAM, Технологія: SRAM - Dual Port, Synchronous, Обсяг пам'яті: 9Mb (512K x 18), Тактова частота: 166MHz,

До побажання
70T3339S166BC
IDT, Integrated Device Technology Inc

70T3339S166BC

частина: 593

Тип пам'яті: Volatile, Формат пам'яті: SRAM, Технологія: SRAM - Dual Port, Synchronous, Обсяг пам'яті: 9Mb (512K x 18), Тактова частота: 166MHz,

До побажання
70T3519S166BCI8
IDT, Integrated Device Technology Inc

70T3519S166BCI8

частина: 586

Тип пам'яті: Volatile, Формат пам'яті: SRAM, Технологія: SRAM - Dual Port, Synchronous, Обсяг пам'яті: 9Mb (256K x 36), Тактова частота: 166MHz,

До побажання
70T651S10BFI8
IDT, Integrated Device Technology Inc

70T651S10BFI8

частина: 545

Тип пам'яті: Volatile, Формат пам'яті: SRAM, Технологія: SRAM - Dual Port, Asynchronous, Обсяг пам'яті: 9Mb (256K x 36), Написати час циклу - Слово, Сторінка: 10ns,

До побажання
70T633S10BCI8
IDT, Integrated Device Technology Inc

70T633S10BCI8

частина: 530

Тип пам'яті: Volatile, Формат пам'яті: SRAM, Технологія: SRAM - Dual Port, Asynchronous, Обсяг пам'яті: 9Mb (512K x 18), Написати час циклу - Слово, Сторінка: 10ns,

До побажання
70T633S10BFI8
IDT, Integrated Device Technology Inc

70T633S10BFI8

частина: 519

Тип пам'яті: Volatile, Формат пам'яті: SRAM, Технологія: SRAM - Dual Port, Asynchronous, Обсяг пам'яті: 9Mb (512K x 18), Написати час циклу - Слово, Сторінка: 10ns,

До побажання
70T651S10BCI8
IDT, Integrated Device Technology Inc

70T651S10BCI8

частина: 564

Тип пам'яті: Volatile, Формат пам'яті: SRAM, Технологія: SRAM - Dual Port, Asynchronous, Обсяг пам'яті: 9Mb (256K x 36), Написати час циклу - Слово, Сторінка: 10ns,

До побажання
70T651S10BFGI8
IDT, Integrated Device Technology Inc

70T651S10BFGI8

частина: 555

Тип пам'яті: Volatile, Формат пам'яті: SRAM, Технологія: SRAM - Dual Port, Asynchronous, Обсяг пам'яті: 9Mb (256K x 36), Написати час циклу - Слово, Сторінка: 10ns,

До побажання
70T633S15BC
IDT, Integrated Device Technology Inc

70T633S15BC

частина: 589

Тип пам'яті: Volatile, Формат пам'яті: SRAM, Технологія: SRAM - Dual Port, Asynchronous, Обсяг пам'яті: 9Mb (512K x 18), Написати час циклу - Слово, Сторінка: 15ns,

До побажання