Транзистори - біполярні (BJT) - масиви | Дискретні напівпровідникові вироби | 39

QSX7TR

частина: 133111

Транзисторний тип: 2 NPN (Dual), Струм - колектор (Ic) (макс.): 1.5A, Напруга - пробій випромінювача колектора (макс.): 12V, Насиченість Vce (макс.) @ Ib, Ic: 200mV @ 25mA, 500mA, Струм - відсікання колектора (макс.): 100nA (ICBO), Посилення струму постійного струму (hFE) (мінімальне) @ Ic, Vce: 270 @ 200mA, 2V,

До побажання

Rohm Semiconductor

FMW1T148

частина: 193173

Транзисторний тип: 2 NPN (Dual), Струм - колектор (Ic) (макс.): 150mA, Напруга - пробій випромінювача колектора (макс.): 50V, Насиченість Vce (макс.) @ Ib, Ic: 400mV @ 5mA, 50mA, Струм - відсікання колектора (макс.): 100nA (ICBO), Посилення струму постійного струму (hFE) (мінімальне) @ Ic, Vce: 120 @ 1mA, 6V,

До побажання

Rohm Semiconductor

FMY4AT148

частина: 115359

Транзисторний тип: NPN, PNP Complementary Darlington, Струм - колектор (Ic) (макс.): 150mA, Напруга - пробій випромінювача колектора (макс.): 50V, Насиченість Vce (макс.) @ Ib, Ic: 400mV @ 5mA, 50mA / 500mV @ 5mA, 50mA, Струм - відсікання колектора (макс.): 100nA (ICBO), Посилення струму постійного струму (hFE) (мінімальне) @ Ic, Vce: 120 @ 1mA, 6V,

До побажання

Rohm Semiconductor

EMX5T2R

частина: 132191

Транзисторний тип: 2 NPN (Dual), Струм - колектор (Ic) (макс.): 50mA, Напруга - пробій випромінювача колектора (макс.): 11V, Насиченість Vce (макс.) @ Ib, Ic: 500mV @ 5mA, 10mA, Струм - відсікання колектора (макс.): 500nA (ICBO), Посилення струму постійного струму (hFE) (мінімальне) @ Ic, Vce: 56 @ 5mA, 10V,

До побажання

Rohm Semiconductor

US6T9TR

частина: 144882

Транзисторний тип: 2 PNP (Dual), Струм - колектор (Ic) (макс.): 1A, Напруга - пробій випромінювача колектора (макс.): 30V, Насиченість Vce (макс.) @ Ib, Ic: 350mV @ 25mA, 500mA, Струм - відсікання колектора (макс.): 100nA (ICBO), Посилення струму постійного струму (hFE) (мінімальне) @ Ic, Vce: 270 @ 100mA, 2V,

До побажання

Rohm Semiconductor

QSX8TR

частина: 124260

Транзисторний тип: 2 NPN (Dual), Струм - колектор (Ic) (макс.): 1A, Напруга - пробій випромінювача колектора (макс.): 30V, Насиченість Vce (макс.) @ Ib, Ic: 350mV @ 25mA, 500mA, Струм - відсікання колектора (макс.): 100nA (ICBO), Посилення струму постійного струму (hFE) (мінімальне) @ Ic, Vce: 270 @ 100mA, 2V,

До побажання

Rohm Semiconductor

IMX5T108

частина: 149748

Транзисторний тип: 2 NPN (Dual), Струм - колектор (Ic) (макс.): 50mA, Напруга - пробій випромінювача колектора (макс.): 11V, Насиченість Vce (макс.) @ Ib, Ic: 500mV @ 5mA, 10mA, Струм - відсікання колектора (макс.): 500nA (ICBO), Посилення струму постійного струму (hFE) (мінімальне) @ Ic, Vce: 56 @ 5mA, 10V,

До побажання

Rohm Semiconductor

QS6Z5TR

частина: 158820

Транзисторний тип: NPN, PNP, Струм - колектор (Ic) (макс.): 1A, Напруга - пробій випромінювача колектора (макс.): 50V, Насиченість Vce (макс.) @ Ib, Ic: 350mV @ 25mA, 500mA / 400mV @ 25mA, 500mA, Струм - відсікання колектора (макс.): 1µA (ICBO), Посилення струму постійного струму (hFE) (мінімальне) @ Ic, Vce: 180 @ 50mA, 2V,

До побажання

Rohm Semiconductor

QS5W2TR

частина: 188842

Транзисторний тип: 2 NPN (Dual) Common Emitter, Струм - колектор (Ic) (макс.): 3A, Напруга - пробій випромінювача колектора (макс.): 50V, Насиченість Vce (макс.) @ Ib, Ic: 350mV @ 50mA, 1A, Струм - відсікання колектора (макс.): 1µA (ICBO), Посилення струму постійного струму (hFE) (мінімальне) @ Ic, Vce: 180 @ 50mA, 3V,

До побажання

Rohm Semiconductor

IMX17T108

частина: 170021

Транзисторний тип: 2 NPN (Dual), Струм - колектор (Ic) (макс.): 500mA, Напруга - пробій випромінювача колектора (макс.): 50V, Насиченість Vce (макс.) @ Ib, Ic: 600mV @ 50mA, 500mA, Струм - відсікання колектора (макс.): 100nA (ICBO), Посилення струму постійного струму (hFE) (мінімальне) @ Ic, Vce: 120 @ 100mA, 3V,

До побажання

Rohm Semiconductor

IMX3T108

частина: 188015

Транзисторний тип: 2 NPN (Dual), Струм - колектор (Ic) (макс.): 150mA, Напруга - пробій випромінювача колектора (макс.): 50V, Насиченість Vce (макс.) @ Ib, Ic: 400mV @ 5mA, 50mA, Струм - відсікання колектора (макс.): 100nA (ICBO), Посилення струму постійного струму (hFE) (мінімальне) @ Ic, Vce: 120 @ 1mA, 6V,

До побажання

Rohm Semiconductor

IMZ2AT108

частина: 189718

Транзисторний тип: NPN, PNP, Струм - колектор (Ic) (макс.): 150mA, Напруга - пробій випромінювача колектора (макс.): 50V, Насиченість Vce (макс.) @ Ib, Ic: 400mV @ 5mA, 50mA / 500mV @ 5mA, 50mA, Струм - відсікання колектора (макс.): 100nA (ICBO), Посилення струму постійного струму (hFE) (мінімальне) @ Ic, Vce: 120 @ 1mA, 6V,

До побажання

Rohm Semiconductor

IMX1T108

частина: 134514

Транзисторний тип: 2 NPN (Dual), Струм - колектор (Ic) (макс.): 150mA, Напруга - пробій випромінювача колектора (макс.): 50V, Насиченість Vce (макс.) @ Ib, Ic: 400mV @ 5mA, 50mA, Струм - відсікання колектора (макс.): 100nA (ICBO), Посилення струму постійного струму (hFE) (мінімальне) @ Ic, Vce: 120 @ 1mA, 6V,

До побажання

Rohm Semiconductor

QSZ2TR

частина: 151664

Транзисторний тип: NPN, PNP (Emitter Coupled), Струм - колектор (Ic) (макс.): 1.5A, Напруга - пробій випромінювача колектора (макс.): 30V, Насиченість Vce (макс.) @ Ib, Ic: 350mV @ 50mA, 1A / 370mV @ 50mA, 1A, Струм - відсікання колектора (макс.): 100nA (ICBO), Посилення струму постійного струму (hFE) (мінімальне) @ Ic, Vce: 270 @ 100mA, 2V,

До побажання

Rohm Semiconductor

IMZ4T108

частина: 137089

Транзисторний тип: NPN, PNP, Струм - колектор (Ic) (макс.): 500mA, Напруга - пробій випромінювача колектора (макс.): 32V, Насиченість Vce (макс.) @ Ib, Ic: 600mV @ 50mA, 500mA / 600mV @ 30mA, 300mA, Струм - відсікання колектора (макс.): 100nA (ICBO), Посилення струму постійного струму (hFE) (мінімальне) @ Ic, Vce: 120 @ 100mA, 3V,

До побажання

Rohm Semiconductor

UMZ1NTR

частина: 165705

Транзисторний тип: NPN, PNP, Струм - колектор (Ic) (макс.): 150mA, Напруга - пробій випромінювача колектора (макс.): 50V, Насиченість Vce (макс.) @ Ib, Ic: 400mV @ 5mA, 50mA / 500mV @ 5mA, 50mA, Струм - відсікання колектора (макс.): 100nA (ICBO), Посилення струму постійного струму (hFE) (мінімальне) @ Ic, Vce: 120 @ 1mA, 6V,

До побажання

Rohm Semiconductor

UMZ2NTR

частина: 108768

Транзисторний тип: NPN, PNP, Струм - колектор (Ic) (макс.): 150mA, Напруга - пробій випромінювача колектора (макс.): 50V, Насиченість Vce (макс.) @ Ib, Ic: 400mV @ 5mA, 50mA / 500mV @ 5mA, 50mA, Струм - відсікання колектора (макс.): 100nA (ICBO), Посилення струму постійного струму (hFE) (мінімальне) @ Ic, Vce: 120 @ 1mA, 6V,

До побажання

Rohm Semiconductor

QS5W1TR

частина: 144757

Транзисторний тип: 2 NPN (Dual) Common Emitter, Струм - колектор (Ic) (макс.): 3A, Напруга - пробій випромінювача колектора (макс.): 30V, Насиченість Vce (макс.) @ Ib, Ic: 400mV @ 50mA, 1A, Струм - відсікання колектора (макс.): 1µA (ICBO), Посилення струму постійного струму (hFE) (мінімальне) @ Ic, Vce: 200 @ 500mA, 2V,

До побажання

Rohm Semiconductor

EMZ2T2R

частина: 102872

Транзисторний тип: NPN, PNP, Струм - колектор (Ic) (макс.): 150mA, Напруга - пробій випромінювача колектора (макс.): 50V, Насиченість Vce (макс.) @ Ib, Ic: 400mV @ 5mA, 50mA / 500mV @ 5mA, 50mA, Струм - відсікання колектора (макс.): 100nA (ICBO), Посилення струму постійного струму (hFE) (мінімальне) @ Ic, Vce: 120 @ 1mA, 6V,

До побажання

Texas Instruments

ULN2003ADRG4

частина: 142447

Транзисторний тип: 7 NPN Darlington, Струм - колектор (Ic) (макс.): 500mA, Напруга - пробій випромінювача колектора (макс.): 50V, Насиченість Vce (макс.) @ Ib, Ic: 1.6V @ 500µA, 350mA, Струм - відсікання колектора (макс.): 50µA,

До побажання

Texas Instruments

ULN2003AIPWR

частина: 189360

Транзисторний тип: 7 NPN Darlington, Струм - колектор (Ic) (макс.): 500mA, Напруга - пробій випромінювача колектора (макс.): 50V, Насиченість Vce (макс.) @ Ib, Ic: 1.6V @ 500µA, 350mA, Струм - відсікання колектора (макс.): 50µA,

До побажання

Diodes Incorporated

MMDT3904-7-F

частина: 137638

Транзисторний тип: 2 NPN (Dual), Струм - колектор (Ic) (макс.): 200mA, Напруга - пробій випромінювача колектора (макс.): 40V, Насиченість Vce (макс.) @ Ib, Ic: 300mV @ 5mA, 50mA, Струм - відсікання колектора (макс.): 50nA (ICBO), Посилення струму постійного струму (hFE) (мінімальне) @ Ic, Vce: 100 @ 10mA, 1V,

До побажання

Diodes Incorporated

DMMT5551-7-F

частина: 182764

Транзисторний тип: 2 NPN (Dual) Matched Pair, Струм - колектор (Ic) (макс.): 200mA, Напруга - пробій випромінювача колектора (макс.): 160V, Насиченість Vce (макс.) @ Ib, Ic: 200mV @ 5mA, 50mA, Струм - відсікання колектора (макс.): 50nA (ICBO), Посилення струму постійного струму (hFE) (мінімальне) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V,

До побажання

Diodes Incorporated

MMDT2227M-7

частина: 158166

Транзисторний тип: NPN, PNP, Струм - колектор (Ic) (макс.): 600mA, Напруга - пробій випромінювача колектора (макс.): 40V, 60V, Насиченість Vce (макс.) @ Ib, Ic: 1V @ 50mA, 500mA / 1.6V @ 50mA, 500mA, Струм - відсікання колектора (макс.): 10nA (ICBO), Посилення струму постійного струму (hFE) (мінімальне) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 10V,

До побажання

Diodes Incorporated

MMDT2222V-7

частина: 145001

Транзисторний тип: 2 NPN (Dual), Струм - колектор (Ic) (макс.): 600mA, Напруга - пробій випромінювача колектора (макс.): 40V, Насиченість Vce (макс.) @ Ib, Ic: 1V @ 50mA, 500mA, Струм - відсікання колектора (макс.): 10nA (ICBO), Посилення струму постійного струму (hFE) (мінімальне) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 10V,

До побажання

Diodes Incorporated

MMDT2907AQ-7-F

частина: 116803

Транзисторний тип: 2 PNP (Dual), Струм - колектор (Ic) (макс.): 600mA, Напруга - пробій випромінювача колектора (макс.): 60V, Насиченість Vce (макс.) @ Ib, Ic: 1.6V @ 50mA, 500mA, Струм - відсікання колектора (макс.): 10nA (ICBO), Посилення струму постійного струму (hFE) (мінімальне) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 10V,

До побажання

Diodes Incorporated

MMDT5551-7-F

частина: 174855

Транзисторний тип: 2 NPN (Dual), Струм - колектор (Ic) (макс.): 200mA, Напруга - пробій випромінювача колектора (макс.): 160V, Насиченість Vce (макс.) @ Ib, Ic: 200mV @ 5mA, 50mA, Струм - відсікання колектора (макс.): 50nA (ICBO), Посилення струму постійного струму (hFE) (мінімальне) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V,

До побажання

Nexperia USA Inc.

PMBT3906VS,115

частина: 191209

Транзисторний тип: 2 PNP (Dual), Струм - колектор (Ic) (макс.): 200mA, Напруга - пробій випромінювача колектора (макс.): 40V, Насиченість Vce (макс.) @ Ib, Ic: 400mV @ 5mA, 50mA, Струм - відсікання колектора (макс.): 50nA (ICBO), Посилення струму постійного струму (hFE) (мінімальне) @ Ic, Vce: 100 @ 10mA, 1V,

До побажання

Nexperia USA Inc.

PUMZ1,115

частина: 145366

Транзисторний тип: NPN, PNP, Струм - колектор (Ic) (макс.): 100mA, Напруга - пробій випромінювача колектора (макс.): 40V, Насиченість Vce (макс.) @ Ib, Ic: 200mV @ 5mA, 50mA, Струм - відсікання колектора (макс.): 100nA (ICBO), Посилення струму постійного струму (hFE) (мінімальне) @ Ic, Vce: 120 @ 1mA, 6V,

До побажання

Infineon Technologies

SMBT3904SH6327XTSA1

частина: 180805

Транзисторний тип: 2 NPN (Dual), Струм - колектор (Ic) (макс.): 200mA, Напруга - пробій випромінювача колектора (макс.): 40V, Насиченість Vce (макс.) @ Ib, Ic: 300mV @ 5mA, 50mA, Струм - відсікання колектора (макс.): 50nA (ICBO), Посилення струму постійного струму (hFE) (мінімальне) @ Ic, Vce: 100 @ 10mA, 1V,

До побажання

Infineon Technologies

SMBT3906SH6327XTSA1

частина: 136392

Транзисторний тип: 2 PNP (Dual), Струм - колектор (Ic) (макс.): 200mA, Напруга - пробій випромінювача колектора (макс.): 40V, Насиченість Vce (макс.) @ Ib, Ic: 400mV @ 5mA, 50mA, Струм - відсікання колектора (макс.): 50nA (ICBO), Посилення струму постійного струму (hFE) (мінімальне) @ Ic, Vce: 100 @ 10mA, 1V,

До побажання

Infineon Technologies

SMBT3906UE6327HTSA1

частина: 154530

Транзисторний тип: 2 PNP (Dual), Струм - колектор (Ic) (макс.): 200mA, Напруга - пробій випромінювача колектора (макс.): 40V, Насиченість Vce (макс.) @ Ib, Ic: 400mV @ 5mA, 50mA, Струм - відсікання колектора (макс.): 50nA (ICBO), Посилення струму постійного струму (hFE) (мінімальне) @ Ic, Vce: 100 @ 10mA, 1V,

До побажання

Toshiba Semiconductor and Storage

HN4A56JU(TE85L,F)

частина: 175513

Транзисторний тип: 2 PNP (Dual), Струм - колектор (Ic) (макс.): 150mA, Напруга - пробій випромінювача колектора (макс.): 50V, Насиченість Vce (макс.) @ Ib, Ic: 300mV @ 10mA, 100mA, Струм - відсікання колектора (макс.): 100nA (ICBO), Посилення струму постійного струму (hFE) (мінімальне) @ Ic, Vce: 120 @ 2mA, 6V,

До побажання

Panasonic Electronic Components

DMC206010R

частина: 130805

Транзисторний тип: 2 NPN (Dual), Струм - колектор (Ic) (макс.): 100mA, Напруга - пробій випромінювача колектора (макс.): 50V, Насиченість Vce (макс.) @ Ib, Ic: 300mV @ 10mA, 100mA, Струм - відсікання колектора (макс.): 100µA, Посилення струму постійного струму (hFE) (мінімальне) @ Ic, Vce: 210 @ 2mA, 10V,

До побажання

ON Semiconductor

ULN2003ADR2G

частина: 145782

Транзисторний тип: 7 NPN Darlington, Струм - колектор (Ic) (макс.): 500mA, Напруга - пробій випромінювача колектора (макс.): 50V, Насиченість Vce (макс.) @ Ib, Ic: 1.6V @ 500µA, 350mA, Струм - відсікання колектора (макс.): 50µA, Посилення струму постійного струму (hFE) (мінімальне) @ Ic, Vce: 1000 @ 350mA, 2V,

До побажання

ON Semiconductor

MBT3906DW1T2G

частина: 189131

Транзисторний тип: 2 PNP (Dual), Струм - колектор (Ic) (макс.): 200mA, Напруга - пробій випромінювача колектора (макс.): 40V, Насиченість Vce (макс.) @ Ib, Ic: 400mV @ 5mA, 50mA, Посилення струму постійного струму (hFE) (мінімальне) @ Ic, Vce: 100 @ 10mA, 1V,

До побажання