Транзистори - біполярні (BJT) - масиви | Дискретні напівпровідникові вироби | 39

ULN2004AIDR

частина: 179925

Транзисторний тип: 7 NPN Darlington, Струм - колектор (Ic) (макс.): 500mA, Напруга - пробій випромінювача колектора (макс.): 50V, Насиченість Vce (макс.) @ Ib, Ic: 1.6V @ 500µA, 350mA, Струм - відсікання колектора (макс.): 50µA,

До побажання

Texas Instruments

ULN2003ANE4

частина: 108492

Транзисторний тип: 7 NPN Darlington, Струм - колектор (Ic) (макс.): 500mA, Напруга - пробій випромінювача колектора (макс.): 50V, Насиченість Vce (макс.) @ Ib, Ic: 1.6V @ 500µA, 350mA, Струм - відсікання колектора (макс.): 50µA,

До побажання

Texas Instruments

ULN2003BDR

частина: 160363

Транзисторний тип: 7 NPN Darlington, Струм - колектор (Ic) (макс.): 500mA, Напруга - пробій випромінювача колектора (макс.): 50V, Насиченість Vce (макс.) @ Ib, Ic: 1.6V @ 500µA, 350mA, Струм - відсікання колектора (макс.): 50µA,

До побажання

Nexperia USA Inc.

PBSS5230PAP,115

частина: 148433

Транзисторний тип: 2 PNP (Dual), Струм - колектор (Ic) (макс.): 2A, Напруга - пробій випромінювача колектора (макс.): 30V, Насиченість Vce (макс.) @ Ib, Ic: 420mv @ 100mA, 2A, Струм - відсікання колектора (макс.): 100nA (ICBO), Посилення струму постійного струму (hFE) (мінімальне) @ Ic, Vce: 160 @ 1A, 2V,

До побажання

Nexperia USA Inc.

PUMX1,115

частина: 106417

Транзисторний тип: 2 NPN (Dual), Струм - колектор (Ic) (макс.): 100mA, Напруга - пробій випромінювача колектора (макс.): 40V, Насиченість Vce (макс.) @ Ib, Ic: 200mV @ 5mA, 50mA, Струм - відсікання колектора (макс.): 100nA (ICBO), Посилення струму постійного струму (hFE) (мінімальне) @ Ic, Vce: 120 @ 1mA, 6V,

До побажання

Nexperia USA Inc.

PHPT610030NPKX

частина: 121393

Транзисторний тип: NPN, PNP, Струм - колектор (Ic) (макс.): 3A, Напруга - пробій випромінювача колектора (макс.): 100V, Насиченість Vce (макс.) @ Ib, Ic: 330mV @ 300mA, 3A / 110mV @ 50mA, 500mA, Струм - відсікання колектора (макс.): 100nA, Посилення струму постійного струму (hFE) (мінімальне) @ Ic, Vce: 80 @ 1A, 10V,

До побажання

Nexperia USA Inc.

PBSS4112PANP,115

частина: 194119

Транзисторний тип: NPN, PNP, Струм - колектор (Ic) (макс.): 1A, Напруга - пробій випромінювача колектора (макс.): 120V, Насиченість Vce (макс.) @ Ib, Ic: 120mV @ 50mA, 500mA, Струм - відсікання колектора (макс.): 100nA (ICBO), Посилення струму постійного струму (hFE) (мінімальне) @ Ic, Vce: 60 @ 500mA, 2V,

До побажання

Nexperia USA Inc.

PBSS4032SPN,115

частина: 155040

Транзисторний тип: NPN, PNP, Струм - колектор (Ic) (макс.): 5.7A, 4.8A, Напруга - пробій випромінювача колектора (макс.): 30V, Насиченість Vce (макс.) @ Ib, Ic: 450mV @ 300mA, 6A / 510mV @ 250mA, 5A, Струм - відсікання колектора (макс.): 100nA, Посилення струму постійного струму (hFE) (мінімальне) @ Ic, Vce: 250 @ 2A, 2V / 150 @ 2A, 2V,

До побажання

Nexperia USA Inc.

PMBT3946YPN,125

частина: 181115

Транзисторний тип: NPN, PNP, Струм - колектор (Ic) (макс.): 200mA, Напруга - пробій випромінювача колектора (макс.): 40V, Насиченість Vce (макс.) @ Ib, Ic: 300mV @ 5mA, 50mA / 400mV @ 5mA, 50mA, Струм - відсікання колектора (макс.): 50nA (ICBO), Посилення струму постійного струму (hFE) (мінімальне) @ Ic, Vce: 100 @ 10mA, 1V,

До побажання

Panasonic Electronic Components

UP0453400L

частина: 4538

Транзисторний тип: 2 NPN (Dual), Струм - колектор (Ic) (макс.): 15mA, Напруга - пробій випромінювача колектора (макс.): 20V, Посилення струму постійного струму (hFE) (мінімальне) @ Ic, Vce: 65 @ 1mA, 6V,

До побажання

Panasonic Electronic Components

XN0B30100L

частина: 6508

Транзисторний тип: NPN, PNP Complementary Darlington, Струм - колектор (Ic) (макс.): 100mA, Напруга - пробій випромінювача колектора (макс.): 50V, Насиченість Vce (макс.) @ Ib, Ic: 300mV @ 10mA, 100mA / 500mV @ 10mA, 100mA, Струм - відсікання колектора (макс.): 100µA, Посилення струму постійного струму (hFE) (мінімальне) @ Ic, Vce: 160 @ 2mA, 10V,

До побажання

Panasonic Electronic Components

DMA506010R

частина: 147841

Транзисторний тип: 2 PNP (Dual), Струм - колектор (Ic) (макс.): 100mA, Напруга - пробій випромінювача колектора (макс.): 50V, Насиченість Vce (макс.) @ Ib, Ic: 500mV @ 10mA, 100mA, Струм - відсікання колектора (макс.): 100µA, Посилення струму постійного струму (hFE) (мінімальне) @ Ic, Vce: 210 @ 2mA, 10V,

До побажання

Panasonic Electronic Components

UP0460100L

частина: 4382

Транзисторний тип: NPN, PNP, Струм - колектор (Ic) (макс.): 100mA, Напруга - пробій випромінювача колектора (макс.): 50V, Насиченість Vce (макс.) @ Ib, Ic: 300mV @ 10mA, 100mA / 500mV @ 10mA, 100mA, Струм - відсікання колектора (макс.): 100µA, Посилення струму постійного струму (hFE) (мінімальне) @ Ic, Vce: 180 @ 2mA, 10V / 180 @ 5mA, 10V,

До побажання

Panasonic Electronic Components

UP04501G0L

частина: 4634

Транзисторний тип: 2 NPN (Dual), Струм - колектор (Ic) (макс.): 100mA, Напруга - пробій випромінювача колектора (макс.): 50V, Насиченість Vce (макс.) @ Ib, Ic: 300mV @ 10mA, 100mA, Струм - відсікання колектора (макс.): 100µA, Посилення струму постійного струму (hFE) (мінімальне) @ Ic, Vce: 180 @ 2mA, 10V,

До побажання

STMicroelectronics

ULN2003D1

частина: 4541

Транзисторний тип: 7 NPN Darlington, Струм - колектор (Ic) (макс.): 500mA, Напруга - пробій випромінювача колектора (макс.): 50V, Насиченість Vce (макс.) @ Ib, Ic: 1.6V @ 500µA, 350mA, Струм - відсікання колектора (макс.): 50µA,

До побажання

Microsemi Corporation

JANTXV2N2919L

частина: 1586

Транзисторний тип: 2 NPN (Dual), Струм - колектор (Ic) (макс.): 30mA, Напруга - пробій випромінювача колектора (макс.): 60V, Насиченість Vce (макс.) @ Ib, Ic: 300mV @ 100µA, 1mA, Струм - відсікання колектора (макс.): 10µA (ICBO), Посилення струму постійного струму (hFE) (мінімальне) @ Ic, Vce: 150 @ 1mA, 5V,

До побажання

Microsemi Corporation

JANSR2N2920U

частина: 4563

Транзисторний тип: 2 NPN (Dual), Струм - колектор (Ic) (макс.): 30mA, Напруга - пробій випромінювача колектора (макс.): 60V, Насиченість Vce (макс.) @ Ib, Ic: 300mV @ 100µA, 1mA, Струм - відсікання колектора (макс.): 10µA (ICBO), Посилення струму постійного струму (hFE) (мінімальне) @ Ic, Vce: 300 @ 1mA, 5V,

До побажання

Microsemi Corporation

JANTXV2N6987

частина: 1339

Транзисторний тип: 4 PNP (Quad), Струм - колектор (Ic) (макс.): 600mA, Напруга - пробій випромінювача колектора (макс.): 60V, Насиченість Vce (макс.) @ Ib, Ic: 1.6V @ 50mA, 500mA, Струм - відсікання колектора (макс.): 10µA (ICBO), Посилення струму постійного струму (hFE) (мінімальне) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 10V,

До побажання

Microsemi Corporation

JANTX2N2920

частина: 204

Транзисторний тип: 2 NPN (Dual), Струм - колектор (Ic) (макс.): 30mA, Напруга - пробій випромінювача колектора (макс.): 60V, Насиченість Vce (макс.) @ Ib, Ic: 300mV @ 100µA, 1mA, Струм - відсікання колектора (макс.): 10µA (ICBO), Посилення струму постійного струму (hFE) (мінімальне) @ Ic, Vce: 300 @ 1mA, 5V,

До побажання

Microsemi Corporation

JAN2N3811U

частина: 4458

Транзисторний тип: 2 PNP (Dual), Струм - колектор (Ic) (макс.): 50mA, Напруга - пробій випромінювача колектора (макс.): 60V, Насиченість Vce (макс.) @ Ib, Ic: 250mV @ 100µA, 1mA, Струм - відсікання колектора (макс.): 10µA (ICBO), Посилення струму постійного струму (hFE) (мінімальне) @ Ic, Vce: 300 @ 1mA, 5V,

До побажання

Rohm Semiconductor

FMY5T148

частина: 168226

Транзисторний тип: NPN, PNP (Emitter Coupled), Струм - колектор (Ic) (макс.): 50mA, Напруга - пробій випромінювача колектора (макс.): 120V, Насиченість Vce (макс.) @ Ib, Ic: 500mV @ 1mA, 10mA, Струм - відсікання колектора (макс.): 500nA (ICBO), Посилення струму постійного струму (hFE) (мінімальне) @ Ic, Vce: 180 @ 100mA, 2V,

До побажання

ON Semiconductor

MC1413PG

частина: 128529

Транзисторний тип: 7 NPN Darlington, Струм - колектор (Ic) (макс.): 500mA, Напруга - пробій випромінювача колектора (макс.): 50V, Насиченість Vce (макс.) @ Ib, Ic: 1.6V @ 500µA, 350mA, Посилення струму постійного струму (hFE) (мінімальне) @ Ic, Vce: 1000 @ 350mA, 2V,

До побажання

ON Semiconductor

MMPQ2907A

частина: 96889

Транзисторний тип: 4 PNP (Quad), Струм - колектор (Ic) (макс.): 600mA, Напруга - пробій випромінювача колектора (макс.): 60V, Насиченість Vce (макс.) @ Ib, Ic: 1.6V @ 50mA, 500mA, Струм - відсікання колектора (макс.): 20nA (ICBO), Посилення струму постійного струму (hFE) (мінімальне) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 10V,

До побажання

Diodes Incorporated

ZXTD717MCTA

частина: 126820

Транзисторний тип: 2 PNP (Dual), Струм - колектор (Ic) (макс.): 4A, Напруга - пробій випромінювача колектора (макс.): 12V, Насиченість Vce (макс.) @ Ib, Ic: 310mV @ 150mA, 4A, Струм - відсікання колектора (макс.): 100nA, Посилення струму постійного струму (hFE) (мінімальне) @ Ic, Vce: 180 @ 2.5A, 2V,

До побажання

Diodes Incorporated

ULN2003V12S16-13

частина: 132682

Транзисторний тип: 7 NPN Darlington, Струм - колектор (Ic) (макс.): 500mA, Напруга - пробій випромінювача колектора (макс.): 50V, Насиченість Vce (макс.) @ Ib, Ic: 1.6V @ 500µA, 350mA, Струм - відсікання колектора (макс.): 50µA,

До побажання

Diodes Incorporated

ZXTD718MCTA

частина: 103485

Транзисторний тип: 2 PNP (Dual), Струм - колектор (Ic) (макс.): 3.5A, Напруга - пробій випромінювача колектора (макс.): 20V, Насиченість Vce (макс.) @ Ib, Ic: 300mV @ 350mA, 3.5A, Струм - відсікання колектора (макс.): 100nA, Посилення струму постійного струму (hFE) (мінімальне) @ Ic, Vce: 300 @ 100mA, 2V,

До побажання

Diodes Incorporated

ZXTD6717E6TC

частина: 4441

Транзисторний тип: NPN, PNP, Струм - колектор (Ic) (макс.): 1.5A, 1.25A, Напруга - пробій випромінювача колектора (макс.): 15V, 12V, Насиченість Vce (макс.) @ Ib, Ic: 245mV @ 20mA, 1.5A / 240mV @ 100mA, 1.25A, Струм - відсікання колектора (макс.): 10nA, Посилення струму постійного струму (hFE) (мінімальне) @ Ic, Vce: 250 @ 500mA, 2V / 200 @ 500mA, 2V,

До побажання

Diodes Incorporated

MMDT4126-7-F

частина: 124439

Транзисторний тип: 2 PNP (Dual), Струм - колектор (Ic) (макс.): 200mA, Напруга - пробій випромінювача колектора (макс.): 25V, Насиченість Vce (макс.) @ Ib, Ic: 400mV @ 5mA, 50mA, Струм - відсікання колектора (макс.): 50nA (ICBO), Посилення струму постійного струму (hFE) (мінімальне) @ Ic, Vce: 120 @ 2mA, 1V,

До побажання

Diodes Incorporated

MMDT4124-7-F

частина: 119491

Транзисторний тип: 2 NPN (Dual), Струм - колектор (Ic) (макс.): 200mA, Напруга - пробій випромінювача колектора (макс.): 25V, Насиченість Vce (макс.) @ Ib, Ic: 300mV @ 5mA, 50mA, Струм - відсікання колектора (макс.): 50nA (ICBO), Посилення струму постійного струму (hFE) (мінімальне) @ Ic, Vce: 120 @ 2mA, 1V,

До побажання

Diodes Incorporated

DSS45160FDB-7

частина: 130170

Транзисторний тип: NPN, PNP, Струм - колектор (Ic) (макс.): 1A, Напруга - пробій випромінювача колектора (макс.): 60V, Насиченість Vce (макс.) @ Ib, Ic: 240mV @ 50mA, 1A / 550mV @ 50mA, 1A, Струм - відсікання колектора (макс.): 100nA (ICBO), Посилення струму постійного струму (hFE) (мінімальне) @ Ic, Vce: 150 @ 500mA, 2V / 120 @ 500mA, 2V,

До побажання

Diodes Incorporated

ZDT6757TA

частина: 4442

Транзисторний тип: NPN, PNP, Струм - колектор (Ic) (макс.): 500mA, Напруга - пробій випромінювача колектора (макс.): 300V, Насиченість Vce (макс.) @ Ib, Ic: 500mV @ 10mA, 100mA, Струм - відсікання колектора (макс.): 100nA (ICBO), Посилення струму постійного струму (hFE) (мінімальне) @ Ic, Vce: 50 @ 100mA, 5V,

До побажання

Central Semiconductor Corp

CMKT5078 TR

частина: 162501

Транзисторний тип: NPN, PNP, Струм - колектор (Ic) (макс.): 50mA, Напруга - пробій випромінювача колектора (макс.): 30V, 50V, Насиченість Vce (макс.) @ Ib, Ic: 500mV @ 1mA, 10mA / 300mV @ 1mA, 10mA, Струм - відсікання колектора (макс.): 50nA (ICBO), Посилення струму постійного струму (hFE) (мінімальне) @ Ic, Vce: 300 @ 100µA, 5V / 250 @ 100µA, 5V,

До побажання

Central Semiconductor Corp

CMKT3920 TR

частина: 186053

Транзисторний тип: 2 NPN (Dual), Струм - колектор (Ic) (макс.): 200mA, Напруга - пробій випромінювача колектора (макс.): 50V, Насиченість Vce (макс.) @ Ib, Ic: 400mV @ 5mA, 50mA, Струм - відсікання колектора (макс.): 100nA (ICBO), Посилення струму постійного струму (hFE) (мінімальне) @ Ic, Vce: 120 @ 1mA, 6V,

До побажання

Toshiba Semiconductor and Storage

HN2A01FU-GR(TE85LF

частина: 4497

Транзисторний тип: 2 PNP (Dual), Струм - колектор (Ic) (макс.): 150mA, Напруга - пробій випромінювача колектора (макс.): 50V, Насиченість Vce (макс.) @ Ib, Ic: 300mV @ 10mA, 100mA, Струм - відсікання колектора (макс.): 100nA (ICBO), Посилення струму постійного струму (hFE) (мінімальне) @ Ic, Vce: 200 @ 2mA, 6V,

До побажання

Toshiba Semiconductor and Storage

HN2C01FEYTE85LF

частина: 4567

Транзисторний тип: 2 NPN (Dual), Струм - колектор (Ic) (макс.): 150mA, Напруга - пробій випромінювача колектора (макс.): 50V, Насиченість Vce (макс.) @ Ib, Ic: 250mV @ 10mA, 100mA, Струм - відсікання колектора (макс.): 100nA (ICBO), Посилення струму постійного струму (hFE) (мінімальне) @ Ic, Vce: 120 @ 2mA, 6V,

До побажання

Analog Devices Inc.

MAT01GHZ

частина: 3902

Транзисторний тип: 2 NPN (Dual) Matched Pair, Струм - колектор (Ic) (макс.): 25mA, Напруга - пробій випромінювача колектора (макс.): 45V, Насиченість Vce (макс.) @ Ib, Ic: 800mV @ 1mA, 10mA, Струм - відсікання колектора (макс.): 400nA,

До побажання